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公开(公告)号：CN110858621A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910722355.4
申请日：2019-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括衬底。第一导电线设置在衬底上并主要沿第一方向延伸。第二导电线设置在衬底上并主要沿第二方向延伸。第二方向交叉第一方向。相变图案设置在第一导电线和第二导电线之间。底部电极设置在相变图案和第一导电线之间。底部电极包括将第一导电线和相变图案彼此连接的第一侧壁区段。相变图案在第一方向上具有朝向衬底减小的宽度。第一侧壁区段具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面。相变图案的最下部设置在第一侧表面和第二侧表面之间。
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公开(公告)号：CN109148508A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810152082.X
申请日：2018-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/126 , H01L27/224 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1683 , H01L27/2481 , G11C11/161 , G11C13/0002 , H01L27/222 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供了一种存储器件及其制造方法。一种存储器件包括：第一导线；第二导线，所述第二导线沿与所述第一导线相交的方向延伸，使得所述第一导线和所述第二导线在所述第一导线和所述第二导线之间的交叉点处竖直地交叠；以及，存储单元柱，所述存储单元柱位于所述交叉点处。所述存储单元柱可以包括加热电极层和接触所述加热电极层的电阻式存储层。所述电阻式存储层可以包括：楔形存储部和体存储部，所述楔形存储部的宽度随着与所述加热电极层的距离的增加而成比例地连续增加，所述体存储部连接到所述楔形存储部，使得所述体存储部和所述楔形存储部构成单个连续的层，所述体存储部的宽度大于所述楔形存储部的最大宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119947120A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202410654392.7
申请日：2024-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：多条字线，在第一方向上延伸；多条位线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；多个存储单元，在多条字线和多条位线相交的多个区域中；以及半导体元件，连接到多条字线和多条位线中的至少一条，该半导体元件包括第一有源图案和第二有源图案，该第二有源图案沿着与第一方向和第二方向垂直的高度方向与第一有源图案重叠。
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公开(公告)号：CN109148508B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810152082.X
申请日：2018-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种存储器件及其制造方法。一种存储器件包括：第一导线；第二导线，所述第二导线沿与所述第一导线相交的方向延伸，使得所述第一导线和所述第二导线在所述第一导线和所述第二导线之间的交叉点处竖直地交叠；以及，存储单元柱，所述存储单元柱位于所述交叉点处。所述存储单元柱可以包括加热电极层和接触所述加热电极层的电阻式存储层。所述电阻式存储层可以包括：楔形存储部和体存储部，所述楔形存储部的宽度随着与所述加热电极层的距离的增加而成比例地连续增加，所述体存储部连接到所述楔形存储部，使得所述体存储部和所述楔形存储部构成单个连续的层，所述体存储部的宽度大于所述楔形存储部的最大宽度。
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公开(公告)号：CN112701219A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202010645856.X
申请日：2020-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：多条第一导线，设置在基底上；多条第二导线，与所述多条第一导线交叉；以及多个单元结构，介于所述多条第一导线与所述多条第二导线之间。所述多个单元结构之中的至少一个单元结构包括：第一电极；开关元件，设置在第一电极上；第二电极，设置在开关元件上；第一金属图案，设置在第二电极上；可变电阻图案，介于第一金属图案与所述多条第二导线之中的至少一条第二导线之间；以及第一间隔件，设置在可变电阻图案的侧壁、第一金属图案的侧壁和第二电极的侧壁上。
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公开(公告)号：CN110875354A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910438378.2
申请日：2019-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思涉及一种具有扩大的接触面积的共用电极相变存储器件，该存储器件包括下部导电线、第一存储单元、第二存储单元和共用下部电极，共用下部电极包括将第一存储单元和第二存储单元中的相应存储单元电连接到下部导电线的第一部分和第二部分。第一绝缘区域设置在第一存储单元与第二存储单元之间。第二绝缘区域设置在第一绝缘区域上。该器件还包括：第一开关单元，在第一存储单元上并包括具有从第二绝缘区域突出的部分的上部电极；以及第二开关单元，在第二存储单元上并包括具有从第二绝缘区域突出的部分的上部电极。第一上部导电线和第二上部导电线接触相应上部电极的突出部分。
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公开(公告)号：CN110867463A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910799037.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：沿第一方向延伸的字线；字线上沿与第一方向交叉的第二方向延伸的位线；位线和字线之间的开关图案；开关图案和字线之间的相变图案；以及相变图案和字线之间的底部电极，其中相变图案的底面积大于底部电极的顶面积，相变图案的厚度大于底部电极的厚度，并且其中底面积和顶面积沿第一方向和第二方向限定，以及厚度沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向限定。
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