公开(公告)号：CN102751180A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201110309006.3

申请日：2011-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周浩 ,  崔濬熙 ,  李相勋 ,  宋美贞

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00 ,  H01L41/08 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L21/02458 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/24 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/319

Abstract: 一种制造氮化镓(GaN)薄层的方法、利用该方法制造的GaN膜结构以及包括该GaN膜结构的半导体器件，其中高品质的GaN层可以通过该方法采用悬置在基板上方的电极层而生长在大面积基板上。该方法包括：在基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成电极层；在电极层上形成第二缓冲层；部分地蚀刻牺牲层，从而形成配置为支撑第一缓冲层的至少两个支撑件并且形成在基板与第一缓冲层之间的至少一个空腔；以及在第二缓冲层上形成GaN薄层。

公开(公告)号：CN1828923A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610004964.9

申请日：2006-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东硕 ,  姜闰浩 ,  瓦西列·勒尼阿钦 ,  宋美贞 ,  瑟盖·安托诺夫

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16

Abstract: 提供了一种要求低驱动电流脉冲的相变存储器件及其制造方法。在所述相变存储器件中，在第一电极上形成介电层，在所述介电层的接触孔中形成导电触头。在所述介电层上形成相变材料膜以覆盖所述导电触头，并在所述相变材料膜上形成第二电极。晶体管电连接至所述第一电极。由此形成了宽度小于30nm的导电触头。

公开(公告)号：CN1217009C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN02802541.5

申请日：2002-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许楠 ,  宋美贞 ,  朴钟勉 ,  朴佳永

IPC: C12Q1/68

CPC classification number: G01N33/544 ,  B01J19/0046 ,  B01J2219/00497 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00576 ,  B01J2219/00585 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00644 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00677 ,  B01J2219/00722 ,  B01J2219/00725 ,  B01J2219/00729 ,  C40B40/06 ,  C40B40/10

Abstract: 本发明提供一种制备生物芯片的方法和由该方法制备的生物芯片。在制备生物芯片的方法中，在其末端具有环氧基团的星状聚乙二醇衍生物与低分子量的亲水聚合物反应以形成基质，探针与该基质共价结合并被固定在固体支持物上。所述生物芯片具有三维结构，其自其表面向空间伸出，并改进了芯片灵敏度。此外，所述生物芯片可以使用水溶液方便有效地制备，成本较低。

公开(公告)号：CN102751180B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201110309006.3

申请日：2011-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周浩 ,  崔濬熙 ,  李相勋 ,  宋美贞

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L41/113 ,  H01L41/311 ,  H01L41/319 ,  H01L33/24

CPC classification number: H01L21/02458 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/24 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/319

Abstract: 一种制造氮化镓(GaN)薄层的方法、利用该方法制造的GaN膜结构以及包括该GaN膜结构的半导体器件，其中高品质的GaN层可以通过该方法采用悬置在基板上方的电极层而生长在大面积基板上。该方法包括：在基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成电极层；在电极层上形成第二缓冲层；部分地蚀刻牺牲层，从而形成配置为支撑第一缓冲层的至少两个支撑件并且形成在基板与第一缓冲层之间的至少一个空腔；以及在第二缓冲层上形成GaN薄层。

公开(公告)号：CN106464290A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580022676.3

申请日：2015-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金勇 ,  赵银英 ,  宋美贞 ,  李相宪 ,  朴成桓 ,  李昌俊

IPC: H04B1/40 ,  H04B1/3827

CPC classification number: H04B1/3888 ,  H04M1/0214 ,  H04M1/0254 ,  H04M1/185 ,  H04M1/7253

Abstract: 提供一种移动电子装置、用于该移动电子装置的附件设备、和包括该附件设备的电子装置。该移动电子装置包括：显示单元，包括显示屏；盖子检测单元，当该显示屏被盖子覆盖时检测该盖子的识别(ID)信息；以及控制单元，当接收该盖子的ID信息时，通过驱动与该盖子的ID信息对应的程序在该显示屏上显示与该盖子对应的用户界面(UI)屏幕。

公开(公告)号：CN103160430A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210460817.8

申请日：2012-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈兑锡 ,  金玟锡 ,  宋美贞 ,  李廷健 ,  李俊荣 ,  金渊正 ,  白相铉 ,  吴真美 ,  郑孝英

IPC: C12M1/12

CPC classification number: G01N1/34 ,  B01L3/502753 ,  B01L3/502761 ,  B01L2200/0631 ,  B01L2200/0668 ,  B01L2300/0681 ,  B01L2300/0803 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/087 ,  B01L2400/086 ,  C12M33/14 ,  C12M47/04 ,  G01N1/4077

Abstract: 本发明涉及一种细胞捕获过滤器，在其中样品中的具有预定或更大尺寸的细胞或粒子可以被容易地捕获，可以防止因捕获的细胞或粒子导致的流道的阻断，可以降低作用于捕获的细胞或粒子的应力。该过滤器具有包含第一表面的第一基板和包含接合到第一表面的第二表面的第二基板，其中第一基板可以包括：流道，形成在第一基板的第一表面中使得样品在流道中流动；和屏障，横过流道突出，第二基板可以包括形成在第二表面上的与突出的屏障相应的区域中的细凹槽，缝隙可以存在于突出的屏障的表面与细凹槽之间。