公开(公告)号：CN108511524A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201710569298.1

申请日：2017-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石城大 ,  宋升珉 ,  裵金钟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件可以包括衬底、第一纳米线、栅电极、第一栅极间隔物、第二栅极间隔物、源极/漏极和间隔物连接器。第一纳米线可以在第一方向上延伸并与衬底间隔开。栅电极可以围绕第一纳米线的周边，并且在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一栅极间隔物可以形成在栅电极的第一侧壁上。第一纳米线可以穿过第一栅极间隔物。第二栅极间隔物可以形成在栅电极的第二侧壁上。第一纳米线可以穿过第二栅极间隔物。源极/漏极可以设置在栅电极的至少一侧并与第一纳米线连接。间隔物连接器可以设置在第一纳米线与衬底之间。间隔物连接器可以将第一栅极间隔物和第二栅极间隔物彼此连接。