公开(公告)号：CN116096078A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211290621.9

申请日：2022-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李蕙兰 ,  朴素贤 ,  安浚爀

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/764 ,  H01L21/763

Abstract: 一种半导体器件，包括：导电接触插塞，置在衬底上；位线结构，设置在导电接触插塞上；第一间隔物和第二间隔物；以及封盖图案，设置在第一间隔物和第二间隔物上。导电接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有比第一宽度窄的第二宽度的上部。位线结构包括在竖直方向上堆叠的导电结构和绝缘结构。第一间隔物和第二间隔物在水平方向上堆叠在导电接触插塞的下部的侧壁上。封盖图案覆盖导电接触插塞的上部的侧壁。第一间隔物直接接触导电接触插塞的下部的侧壁，并且包括空气。

公开(公告)号：CN111312685A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201910776525.7

申请日：2019-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安浚爀 ,  李明东

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: 一种集成电路(IC)器件，包括：线结构，包括形成在衬底上的导线和下绝缘覆盖图案；绝缘间隔物，覆盖线结构的侧壁；导电插塞，沿第一水平方向与所述导线间隔开；下绝缘围栏，在第一水平方向上与所述导线间隔开，下绝缘围栏具有与所述导电插塞接触的侧壁；以及上绝缘围栏，包括覆盖所述下绝缘覆盖图案的第一部分和覆盖所述下绝缘围栏的第二部分，其中所述第二部分在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上的宽度不同于所述下绝缘围栏在所述第二水平方向上的宽度。

公开(公告)号：CN109545772A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201810466717.3

申请日：2018-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安浚爀 ,  金恩靓 ,  金熙中 ,  李基硕 ,  金奉秀 ,  李明东 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 一种集成电路器件可以包括成对的线结构。每对线结构可以包括在第一水平方向上在衬底之上延伸的一对导电线、以及分别覆盖一对导电线的一对绝缘盖图案。集成电路器件可以包括在成对的线结构之间的导电插塞、以及在成对的绝缘盖图案之间接触导电插塞的顶表面的金属硅化物膜。在垂直于第一水平方向的第二水平方向上，导电插塞可以在成对的导电线之间具有第一宽度并在成对的绝缘盖图案之间具有第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度。