公开(公告)号：CN102468280A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110347712.7

申请日：2011-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  孙炳根 ,  朴赞真 ,  赵慧珍 ,  张盛壹

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/115 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体存储器件包括：在下结构上的上结构，该上结构包括导电图案；半导体图案，穿过上结构连接到下结构；以及绝缘间隔物，在半导体图案与上结构之间，绝缘间隔物的底表面位于等于或高于下结构的最高表面的竖直水平面。

公开(公告)号：CN101826528A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010175237.5

申请日：2010-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基玄 ,  金汉洙 ,  赵源锡 ,  金镇瑚 ,  张在焄 ,  孙炳根

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11578 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括交替地层叠在衬底上的绝缘图案和栅图案；在衬底上沿绝缘图案和栅图案的侧壁向上延伸的有源图案；插置在栅图案和有源图案之间的数据存储图案；以及设置于在彼此相邻的一对栅图案之间的有源图案中的源/漏区。