公开(公告)号：CN113948527A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110579621.X

申请日：2021-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙仑焕 ,  金嘉银 ,  李贞硕

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：外围电路结构，所述外围电路结构包括位于半导体衬底上的外围电路和连接到所述外围电路的定位焊盘；电极结构，所述电极结构位于所述外围电路结构上，所述电极结构包括垂直堆叠的电极；平坦化电介质层，所述平坦化电介质层覆盖所述电极结构；外围贯通插塞，所述外围贯通插塞与所述电极结构间隔开，所述外围贯通插塞穿透所述平坦化电介质层以连接到所述定位焊盘；导线，所述导线通过接触插塞分别连接到所述外围贯通插塞；以及至少一个虚设贯通插塞，所述至少一个虚设贯通插塞与所述外围贯通插塞中的第一外围贯通插塞相邻，所述至少一个虚设贯通插塞穿透所述平坦化电介质层并且与所述导线绝缘。

公开(公告)号：CN113451321A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110323278.2

申请日：2021-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  千志成 ,  孙仑焕 ,  李昇珉

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种半导体器件包括：下部结构；第一上部结构，包括下栅极层并在下部结构上；第二上部结构，包括上栅极层并在第一上部结构上；分隔结构，在下部结构上并穿透第一上部结构和第二上部结构；存储器垂直结构，在分隔结构之间穿透下栅极层和上栅极层；第一接触插塞，穿透第一上部结构和第二上部结构并与下栅极层和上栅极层间隔开。第一接触插塞和存储器垂直结构中的每个包括具有弯曲部分的侧表面。该侧表面的弯曲部分设置在第一高度水平面和第二高度水平面之间，下栅极层中的最上面的栅极层设置在该第一高度水平面上，上栅极层中的最下面的栅极层设置在该第二高度水平面上。

公开(公告)号：CN113394227A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110198791.3

申请日：2021-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金嘉银 ,  孙仑焕 ,  朴珠希 ,  赵晟元

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种半导体存储器件和用于制造半导体存储器件的方法，所述器件包括：位于衬底上的外围逻辑结构；位于所述外围逻辑结构上的水平导电衬底；包括沿垂直方向堆叠的多个电极焊盘的堆叠结构；连接到所述水平导电衬底的板接触插塞；以及连接到所述下连接布线主体的第一穿透电极，其中，所述板接触插塞的上表面和所述第一穿透电极的上表面位于同一平面上，所述板接触插塞包括彼此直接连接的上部和下部，所述第一穿透电极包括彼此直接连接的上部和下部，远离所述板接触插塞的所述上表面和所述第一穿透电极的所述上表面移动，所述上部的宽度增大并且所述下部的宽度减小。

公开(公告)号：CN111293124A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201910863590.3

申请日：2019-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白石千 ,  鲁知艺 ,  孙仑焕 ,  千志成

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157

Abstract: 公开了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括位于基底上的栅电极以及沟道。栅电极在基本垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开。沟道延伸穿过栅电极，并且包括第一部分、第二部分和第三部分。第二部分形成在第一部分上并且连接到第一部分，并且具有相对于基底的上表面倾斜的侧壁，从而具有从第二部分的底部朝向顶部逐渐减小的宽度。第三部分形成在第二部分上并且连接到第二部分。