公开(公告)号：CN117597016A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311052282.5

申请日：2023-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  姜周宪 ,  金宣浩 ,  金裕珉 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 提供可变电阻存储器件和/或包括其的电子设备。所述可变电阻存储器件包括：包括具有大于或等于约9％的缺氧率的金属氧化物的电阻变化层；在所述电阻变化层上的半导体层；在所述半导体层上的栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上彼此隔开的多个栅电极。

公开(公告)号：CN111106127A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201910743287.X

申请日：2019-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜周宪 ,  朴凤泰 ,  沈载株

IPC: H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11568

Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：在衬底上的电极结构，电极结构包括在垂直于衬底的顶表面的第一方向上堆叠的栅电极；垂直半导体图案，穿透电极结构并连接到衬底；以及数据存储图案，在电极结构和垂直半导体图案之间。数据存储图案包括顺序堆叠的第一绝缘图案、第二绝缘图案和第三绝缘图案。第一至第三绝缘图案的每个包括沿平行于衬底的顶表面的第二方向延伸的水平部分。第一、第二和第三绝缘图案的水平部分在第一方向上顺序地堆叠。第一绝缘图案的水平部分和第三绝缘图案的水平部分中的至少一个在第二方向上突出超过第二绝缘图案的水平部分的侧壁。