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公开(公告)号：CN115954031A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202210971322.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备包括非易失性存储器件和存储控制器，该非易失性存储器件包括存储单元阵列，该存储控制器用于控制非易失性存储器件。存储单元阵列包括字线、存储单元和将字线划分为存储块的字线切割区。存储控制器包括纠错码(ECC)引擎和存储器接口，ECC引擎包括ECC编码器。ECC编码器对用户数据中的每一个子数据单元执行第一ECC编码操作，以产生奇偶校验位并产生多个ECC扇区；选择要存储在外单元中的外单元位，以构成包括外单元位的外ECC扇区；以及对外ECC扇区执行第二ECC编码操作，以产生外奇偶校验位。存储器接口向非易失性存储器件发送包括ECC扇区和外奇偶校验位的码字集。
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公开(公告)号：CN105825896B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201610045380.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储器系统及操作该存储器系统的方法。一种操作存储器系统的方法包括：从主机接收与作为第一编程单位的一部分的第二编程单位对应的信息数据和对于所述信息数据的写入请求；通过对接收的信息数据执行纠错码(ECC)编码来生成码字，使得码字的所有奇偶校验比特之中的与所述信息数据对应的部分奇偶校验比特被更新；向存储器装置提供生成的码字和关于码字的写入命令。
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公开(公告)号：CN111192618A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201910634753.0
申请日：2019-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种确定耐久性降低的存储器控制器、包括该存储器控制器的存储器系统、以及操作该存储器控制器的方法。存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为从存储器器件读取的数据中检测错误；耐久性确定电路，被配置为检查指示对存储器器件的写入操作的次数的第一计数值和基于从存储器器件读取的数据指示以下中的至少一个的第二计数值：存储器器件的第一存储器单元的数量，每个第一存储器单元具有错误，以及处于特定逻辑状态的存储器器件的第二存储器单元的数量，并且被配置为基于检查结果执行用于确定存储器器件的耐久性是否已经降低的第一确定操作。
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公开(公告)号：CN103226975B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201310031305.4
申请日：2013-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5635 , G11C16/14 , G11C29/82
Abstract: 公开了一种存储设备、存储系统、块管理方法、编程和擦除方法。在一个实施例中，一种方法包括覆写存储m位数据的存储单元以存储n位数据，其中n小于或等于m。当存储m位数据时存储单元具有第一多个编程状态中的一个，而当存储n位数据时存储单元具有第二多个编程状态中的一个。第二多个编程状态包括不在第一多个编程状态中的至少一个编程状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105825896A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610045380.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储器系统及操作该存储器系统的方法。一种操作存储器系统的方法包括：从主机接收与作为第一编程单位的一部分的第二编程单位对应的信息数据和对于所述信息数据的写入请求；通过对接收的信息数据执行纠错码(ECC)编码来生成码字，使得码字的所有奇偶校验比特之中的与所述信息数据对应的部分奇偶校验比特被更新；向存储器装置提供生成的码字和关于码字的写入命令。
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公开(公告)号：CN105702286A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510931245.0
申请日：2015-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G06F11/1048 , G06F12/00 , G06F12/0238 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G11C8/06 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C2013/0088 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H03M13/05 , H03M13/27 , G11C13/0002 , G11C13/0026 , G11C13/0028
Abstract: 一种操作包括多个层的电阻式存储器系统的方法可以包括：接收对应于第一地址的第一数据和写请求，将第一地址变换成第二地址，并且将n(n是等于或大于2的整数)个从第一数据产生的子区域数据分配到多个层，并且根据第二地址将n个子区域数据写入到至少两个层。
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公开(公告)号：CN111354397B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201910977456.6
申请日：2019-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了重写存储器设备的方法、存储器控制器及其控制方法。所述存储器控制器包括：错误检查和校正(ECC)引擎，用于对从存储器设备读取的数据执行错误检测；以及数据操作管理器。数据操作管理器用于：基于存储器设备对测试单元的测试读操作的结果，控制存储器设备对所选存储器单元的第一重写操作以便补偿所选存储器单元的分布的漂移；当通过使用ECC引擎成功地执行与存储器设备的正常读操作对应的ECC解码操作时，基于正常读操作的结果来确定分布调整程度；以及基于所确定的分布调整程度控制存储器设备的第二重写操作。
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公开(公告)号：CN110544501B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201910422771.2
申请日：2019-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：非易失性存储器，包括多个非易失性存储单元；写入缓冲存储器，存储从主机接收的第一数据和第二数据；以及存储控制器，将存储在写入缓冲存储器中的第一数据和第二数据存储到非易失性存储器中。存储控制器对连接到第一字线组的多个第一存储单元执行第一编程操作和第二编程操作，以存储第一数据，并且对连接到第二字线组的多个第二存储单元执行第一编程操作和第二编程操作，以存储第二数据。当存储控制器对多个第二存储单元执行第一编程操作时，第一数据被写入写入缓冲存储器中。
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公开(公告)号：CN111192618B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910634753.0
申请日：2019-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种确定耐久性降低的存储器控制器、包括该存储器控制器的存储器系统、以及操作该存储器控制器的方法。存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为从存储器器件读取的数据中检测错误；耐久性确定电路，被配置为检查指示对存储器器件的写入操作的次数的第一计数值和基于从存储器器件读取的数据指示以下中的至少一个的第二计数值：存储器器件的第一存储器单元的数量，每个第一存储器单元具有错误，以及处于特定逻辑状态的存储器器件的第二存储器单元的数量，并且被配置为基于检查结果执行用于确定存储器器件的耐久性是否已经降低的第一确定操作。
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