公开(公告)号：CN103367369B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201310103506.0

申请日：2013-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全南镐 ,  金俊秀 ,  山田悟 ,  李在训 ,  韩升煜 ,  金志永 ,  李进成

IPC: H01L27/11517

CPC classification number: H01L29/7831 ,  G11C11/403 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/4097 ,  G11C2207/2227 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115

Abstract: 各半导体存储器件可以包括：写入晶体管，其包括用于控制第一源极/漏极端子的第一写入栅极和用于控制沟道区的第二写入栅极；以及读取晶体管，其包括与所述写入晶体管的第一源极/漏极端子连接的存储节点栅极。所述第一写入栅极可以具有第一功函数，并且所述第二写入栅极可以具有与所述第一功函数不同的第二功函数。所述写入晶体管的第一源极/漏极端子可以不具有PN结。

公开(公告)号：CN103367369A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310103506.0

申请日：2013-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全南镐 ,  金俊秀 ,  山田悟 ,  李在训 ,  韩升煜 ,  金志永 ,  李进成

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7831 ,  G11C11/403 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/4097 ,  G11C2207/2227 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115

Abstract: 各半导体存储器件可以包括：写入晶体管，其包括用于控制第一源极/漏极端子的第一写入栅极和用于控制沟道区的第二写入栅极；以及读取晶体管，其包括与所述写入晶体管的第一源极/漏极端子连接的存储节点栅极。所述第一写入栅极可以具有第一功函数，并且所述第二写入栅极可以具有与所述第一功函数不同的第二功函数。所述写入晶体管的第一源极/漏极端子可以不具有PN结。