公开(公告)号：CN110546299B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN201880027424.3

申请日：2018-03-08

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 矢野智泰 ,  儿平寿博 ,  立山伸一 ,  中村信一郎

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/01 ,  C23C14/08 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明的透明导电膜用溅射靶由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体的构成元素为In、Sn、Si和O，或者为In、Si和O，In的含有比率以In2O3换算计为70.0质量％以上且小于85.0质量％，Sn的含有比率以SnO2换算计为0质量％以上且10.0质量％以下，Si的含有比率以SiO2换算计大于15.0质量％且为20.0质量％以下，在上述溅射靶的X射线衍射测定中，Si全部以具有钪钇石型结构的硅酸铟化合物的峰的形式表现。本发明的导电膜形成用溅射靶的电阻率低，能够进行DC溅射，结瘤和电弧的产生少。另外，通过溅射，能够成膜成具有高的膜电阻率和高的蚀刻加工性的透明导电膜。

公开(公告)号：CN114630921A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202080076435.8

申请日：2020-08-06

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 矢野智泰 ,  打田龙彦 ,  寺村享祐 ,  广藤贤太郎

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明涉及由层叠结构构成的间隙配置部件，提供不易因加热而发生层间剥离的新型的间隙配置部件。本发明的间隙配置部件的特征在于，其是在溅射靶的基材(简称为“基材”)的表面侧配置多个靶部件时，沿着相邻的靶部件之间的间隙、介于上述靶部件与基材之间的间隙配置部件，其中，上述间隙配置部件形成在厚度方向上层叠三层以上而成的多层结构，在靶部件侧的层(也称为“表面层”)与基材侧的层(也称为“背面层”)之间具有中间层，构成上述中间层的材料的线膨胀系数在构成上述表面层的材料的线膨胀系数与构成上述背面层的材料的线膨胀系数之间的范围内。

公开(公告)号：CN106460163A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580032190.8

申请日：2015-05-25

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 世良佳弘 ,  石田新太郎 ,  矢野智泰

IPC: C23C14/34 ,  B24B27/06 ,  B28D1/22

CPC classification number: B24B27/06 ,  B28D1/22 ,  C23C14/34

Abstract: 实施方式的靶材是平板状的陶瓷。该靶材供溅镀的溅镀面的表面粗糙度Ra为0.5μm以上1.5μm以下，且形成于溅镀面的微裂隙的最大深度为15μm以下。

公开(公告)号：CN101437922A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780016693.1

申请日：2007-05-17

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 矢野智泰 ,  篠仓明日香 ,  伊东纯一

IPC: C09K11/59 ,  C09K11/08 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/7774 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/502 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明提供一种白色荧光体，该白色荧光体由单一材料构成，发光中心为除Mn以外的一种元素，在近紫外光激发下能够发出显色性优异的白色光。该白色荧光体的特征在于，其以式SraSbMgcZndSieOf:Eu2+(其中，e＝1时，0＜(c+d)/(a+c+d)≤0.2、1.8≤a+c+d≤2.2、0≤b/(b+f)≤0.07、3.0≤b+f≤4.4)表示，其中优选的一实例是以组成式(SrO1－αSα)x·(Mg1－βZnβO)y(SiO2)z:Eu2+(式中，4.5≤x/y≤27.5、3≤z/y≤14.5、0≤α≤0.3、0≤β≤0.7)表示的白色荧光体。