公开(公告)号：CN101128618A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200680006235.5

申请日：2006-11-08

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 森中泰三

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/457

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3265 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/80

Abstract: 本发明提供一种高性能的SnO2类溅射靶，其具有高相对密度，而且可以在防止异常放电和防止粒子产生的同时、在高成模速度下形成兼具低比电阻和高透过率两者的溅射膜。该溅射靶的制造方法中包含将未烧结的成型体在1550～1650℃下进行烧结的工序，其中，所述未烧结的成型体以SnO2为主要成分、含有Nb2O5和Ta2O5共计1.15～10质量％、Nb2O5/Ta2O5的含量质量比为0.15～0.90。

公开(公告)号：CN115117433A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210711367.9

申请日：2019-11-18

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 森中泰三 ,  中山茂树

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  H01M10/42

Abstract: 一种固体电解质，其以质量基准计含有100ppm～1000ppm的铝，具有锂离子传导性。铝适宜来源于铝氧化物。固体电解质还适宜为含有锂元素、磷元素及硫元素的硫化物固体电解质。固体电解质还适宜为具有硫银锗矿型晶体结构的物质。固体电解质还适宜锂离子传导率为4.0mS/cm以上。

公开(公告)号：CN1990422A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610142572.9

申请日：2006-10-30

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 森中泰三 ,  尾野直纪

IPC: C04B35/453 ,  C04B38/00 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体，当其用作溅射靶时，可得到从使用初期至末期的稳定溅射放电，另外，可以得到在有机EL及高精细LCD等中使用的Ra及Ry小的透明导电膜，本发明还提供该氧化物烧结体的制造方法以及溅射靶及透明导电膜。含有氧化铟与根据需要的氧化锡并一同含有氧化硅的氧化物烧结体，其相对密度为102％以上。