公开(公告)号：CN105448738A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510551001.X

申请日：2015-08-31

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 卡西克·帕德马纳班 ,  马督儿·博德 ,  管灵鹏 ,  张磊 ,  哈姆扎·耶尔马兹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/66477 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括一个利用N和P型同步倾斜注入到沟槽侧壁中，制备而成的超级结结构。N和P同步倾斜注入使用不同的注入能量和不同扩散速率的掺杂物，以至于退火后，形成交替的N和P薄半导体区。交替的N和P薄半导体区构成一个超级结结构，其中所形成的空间电荷平衡区提高了半导体器件的击穿电压性能。

公开(公告)号：CN104701357A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410716370.5

申请日：2014-12-02

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 卡西克·帕德马纳班 ,  马督儿·博德

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提出一种金属带保护环沟槽短接本体区以缩小端接区的结构，其中形成在第一导电类型的半导体衬底中的半导体功率器件，包括一个有源区和一个包围着有源区并且设置在半导体衬底边缘附近的端接区。端接区包括多个用导电材料填充的沟槽，构成一个屏蔽电极，沿沟槽侧壁和沟槽底面通过电介质层绝缘，其中沟槽穿过半导体衬底顶面附近的第二导电类型的本体区垂直延伸到第一导电类型的表面屏蔽区。设置在表面屏蔽区下方的第二导电类型的掺杂区，穿过沟槽的底部延伸，并包围着沟槽底部。在半导体衬底的顶面上方设置至少一个金属接头，电连接到至少两个沟槽的屏蔽电极，并且短接至本体区。本发明在降低导通电阻的同时，能够提高功率器件可承受的击穿电压。