气相沉积晶圆承载装置
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112251736A

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN202011166734.9

    申请日:2020-10-27

    发明人: 吴铭钦 刘峰

    摘要: 本发明气相沉积晶圆承载装置,包含至少一碟盘以及一大盘模块,碟盘中央设有一晶圆定位通孔、边缘设有一呈环状的衔接部;大盘模块具有碟盘槽以供碟盘定位,且该碟盘槽设有一环槽沟以供衔接部置入,环槽沟衔接一入气引道,入气引道相对于与环槽沟的衔接角度的切线方向分量大于径向方向分量,以引入气浮气体于环槽沟中施力于衔接部使碟盘悬浮及旋转,环槽沟衔接于一导出口,以供气浮气体排出,藉此使得晶圆的受热效果及成膜效果更为均匀。

    薄膜沉积旋转盘系统
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112251735A

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN202011160763.4

    申请日:2020-10-27

    发明人: 吴铭钦 刘峰

    摘要: 本公开为一种薄膜沉积旋转盘系统,包括机台,机台上设有至少一晶圆凹座,其内设有一碟盘,且碟盘上设有晶圆容置槽。碟盘中央还穿设有晶圆升降装置,其包括一顶柱穿设在一套管内。机台上还设有一第一输气通道,以输送气体至套管的输气穿孔中,令套管内的顶柱根据气体的流量大小升降,以将晶圆容置槽上的晶圆顶出。机台上还设有一排气通道,当顶柱位于套管内的高度超过排气穿孔时,气体可由套管上的排气穿孔排出至排气通道,以调节顶柱的升降高度,等到流量与顶柱的高度平衡后,机械手臂即可进入夹取晶圆。本公开有助于机械手臂取放晶圆,有效因应自动化生产的需求,提升生产效率。

    提供低温差操作气体的方法

    公开(公告)号:CN112813405A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202011523553.7

    申请日:2020-12-21

    发明人: 吴铭钦 刘峰

    摘要: 本发明为一种提供低温差操作气体的方法,其适用于提供操作气体至气相沉积反应炉的气动驱动机构,反应炉包括一晶圆反应区以及一废热区。低温差操作气体方法包括下列步骤,首先提供反应炉;接着提供操作气体经过反应炉的废热区,令加热后的操作气体成为增温操作气体;最后将增温操作气体导入反应炉的气动驱动机构,使气动驱动机构通过增温操作气体作动。本发明能提供与反应炉反应温差较小的操作气体,从而降低操作气体对于反应炉中温度的影响,维持制作晶圆的品质。

    气相沉积晶圆温度控制结构及方法

    公开(公告)号:CN112725767A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011581669.6

    申请日:2020-12-28

    发明人: 吴铭钦 刘峰

    IPC分类号: C23C16/46 H01L21/67

    摘要: 本发明所提供的气相沉积晶圆温度控制结构及方法,是于晶圆受热过程中,利用温控气体通过晶圆的边缘或非反应面,以调控晶圆的受热分布情形。例如当温控气体中包含带热功能较差的氮气时,会得到晶圆边缘温度较高的温度分布结果,又当温控气体中包含带热能力较强的氢气时,会得到晶圆边缘温度接近中心温度的均匀分布结果。

    化学气相沉积装置及其温度控制方法

    公开(公告)号:CN112680724A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202011521736.5

    申请日:2020-12-21

    发明人: 吴铭钦 刘峰

    摘要: 本申请提供一种化学气相沉积装置,包括一基板座、一主加热系统及一辅助加热系统。该主加热系统是用以将该基板座以及在该基板座上的基板的温度加热至一预设值。该辅助加热系统是用以将该基板的各个部位的温度从该预设值加热至各自的温度目标值。该辅助加热系统可以局部加热基板的各个部位,以使基板的各个部位的温度相同或不同。本申请还提供一种化学气相沉积装置的温度控制方法包括:利用一主加热系统对一基板座以及一基板加热,其中该基板是被放置在该基板座上;以及在该基板的温度达到一预设值后,利用至少一辅助加热系统对该基板加热,以使该基板上各个部位的温度达到各自的温度目标值,其中该基板上各个部位的温度目标值可以相同或不同。

    一种晶圆浸泡单元卡匣倾斜调节结构

    公开(公告)号:CN221596420U

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202323551673.X

    申请日:2023-12-26

    发明人: 吴铭钦 刘峰

    摘要: 本实用新型公开了一种晶圆浸泡单元卡匣倾斜调节结构,涉及晶圆浸泡设备技术领域,包括端盖连接座、齿条连接板、连接轴、齿轮、齿条、导向轴、导向槽和丝杆。本实用新型中,丝杆的旋转运动通过丝杆螺母带动齿条连接板进行升降运动,齿条连接板带动齿条进行升降运动,齿条的升降运动可带动齿轮进行正反方向的旋转运动,卡匣柱随着连接轴进行正反方向的旋转运动,导向轴随着卡匣柱进行运动,导向槽对导向轴进行导向和限位处理,进而实现对卡匣柱的旋转角度进行限定,使得卡匣柱只能在一定角度内进行旋转运动,使得卡匣柱夹持的晶圆以一定倾斜角度进行排液和吹风除液处理,可让晶圆尾部排液效果更佳。

    磁吸式探针卡装置
    18.
    实用新型

    公开(公告)号:CN215678497U

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202120988401.8

    申请日:2021-05-10

    IPC分类号: G01R1/073 G01R31/26

    摘要: 本实用新型为一种磁吸式探针卡装置,包括一探针卡及一测试座。探针卡包括复数探针设置在基板上,且探针向下延伸至基板下表面,每一基板上表面镀有一磁性层。测试座则对应探针卡设置,测试座包括一晶圆测试平台及一电磁铁,电磁铁设置于晶圆测试平台下方,电磁铁能产生磁力,以吸引基板接近晶圆测试平台,令复数探针接触到晶圆测试平台上的晶圆,以进行晶圆检测。本实用新型可利用磁力吸附探针卡接触到晶圆,能有效确保复数探针都接触晶圆探测点,且避免探针被过度施力,减少探针结构的疲劳或断裂,同时减少晶圆测试接点上针痕的产生程度。

    可增温操作气体的反应炉
    19.
    实用新型

    公开(公告)号:CN214361677U

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202023103548.9

    申请日:2020-12-21

    发明人: 吴铭钦 刘峰

    IPC分类号: C23C16/44

    摘要: 本实用新型为一种可增温操作气体的反应炉,适用于高温气相沉积反应的技术。反应炉包括在反应腔内设置晶圆承载装置,以及热交换器设置在反应腔的废热区上,提供交换反应腔的热能至气体输送管。其中气体输送管曲绕设置在热交换器中,令气体输送管内的操作气体吸收热交换器的热能,以将增温后的操作气体输送至晶圆承载装置,驱动晶圆承载装置。由于本实用新型气体输送管曲绕设置在热交换器中,能吸收热交换器的热能,以产生与反应炉反应温差较小的操作气体,可降低操作气体对于反应炉温度的影响,维持制作晶圆的品质。

    水冷顶板
    20.
    实用新型

    公开(公告)号:CN214361676U

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202022920989.1

    申请日:2020-12-08

    发明人: 吴铭钦 刘峰

    IPC分类号: C23C16/44

    摘要: 本实用新型为一种水冷顶板,其应用于化学气相沉积反应技术,水冷顶板包括一基板,基板内穿设有多个多边形水路流道,且多个多边形水路流道之间互相串接,以形成一水路通道。本实用新型通过在水冷顶板上采用多边形水路流道的设置,形成蜂巢状的设计,可确保水冷顶板强度足够,同时多边形水冷顶板的设计能有效应用水冷顶板的面积,使穿孔截面积变大,增加冷却液的流量,相对的减轻了水冷顶板的重量。