知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

240 条记录 (耗时 0.06 秒)

    并网控制系统、方法、计算机设备和存储介质
    11.
    发明公开
    并网控制系统、方法、计算机设备和存储介质 审中-实审

    公开(公告)号：CN118017588A

    公开(公告)日：2024-05-10

    申请号：CN202410011243.9

    申请日：2024-01-03

    申请人： 深圳市国电科技通信有限公司 ,  深圳智芯微电子科技有限公司

    发明人： 郭君 ,  庞振江 ,  毛寒冰 ,  洪海敏 ,  赵玉珂 ,  吴在军 ,  刘飞飞 ,  石明丰

    IPC分类号： H02J3/38 ,  H02J3/01

    摘要： 本说明书实施方式提供了一种并网控制系统、方法、计算机设备和存储介质。所述系统包括逆变器、量测设备、调控器，调控器包括采集优化模块和控制模块，逆变器连接于量测设备，量测设备对逆变器输出的交流电进行量测控制，采集优化模块用于获取量测设备输出的第一交流信号，采集优化模块通过控制模块与量测设备连接，采集优化模块、控制模块和量测设备构成第一反馈环路，采集优化模块对第一交流信号进行数字采样操作和补偿优化操作得到第二交流信号，控制模块基于第二交流信号确定直流控制信号，根据直流控制信号对逆变器输入至量测设备的交流电进行调控，如此，可以提高谐波抑制效果，进而提高新能源供电系统向电力系统输出的电能质量。

    自适应电源开关频率的频率抖动电路、电源及其管理芯片
    12.
    发明授权
    自适应电源开关频率的频率抖动电路、电源及其管理芯片 有权

    公开(公告)号：CN117614260B

    公开(公告)日：2024-04-02

    申请号：CN202410089923.2

    申请日：2024-01-22

    申请人： 深圳市国电科技通信有限公司 ,  深圳智芯微电子科技有限公司

    发明人： 张子翔 ,  庞振江 ,  占兆武 ,  温雷 ,  方少茂

    IPC分类号： H02M1/44 ,  H03K17/687 ,  H03K17/567

    摘要： 本发明涉及开关电源领域，具体公开了一种自适应电源开关频率的频率抖动电路、电源及其管理芯片，其中频率抖动电路包括：分频电路，用于基于时钟信号产生多个脉冲信号；反馈电路，用于生成与电源的输出电压对应的反馈电压；振荡电路，用于产生频率抖动信号；频率抖动控制电路，频率抖动控制电路分别与分频电路、反馈电路和振荡电路相连，用于基于多个脉冲信号生成充电电流，并基于反馈电压调整充电电流，以便振荡电路基于调整后的充电电流产生频率抖动信号。该频率抖动电路能够根据电源输出电压自适应调节频率抖动信号的抖动频率，降低电磁干扰的性能较强。

    基于氮化镓功率器件的电源电路
    13.
    发明公开
    基于氮化镓功率器件的电源电路 审中-实审

    公开(公告)号：CN117639516A

    公开(公告)日：2024-03-01

    申请号：CN202311631090.X

    申请日：2023-11-30

    申请人： 深圳市国电科技通信有限公司 ,  深圳智芯微电子科技有限公司

    发明人： 王妍 ,  庞振江 ,  洪海敏 ,  潘晓冬 ,  温雷 ,  赵金玉 ,  黄康生 ,  梁智斌

    IPC分类号： H02M3/335 ,  H02M1/08 ,  H02M9/04 ,  H03K3/57

    摘要： 本发明公开了一种基于氮化镓功率器件的电源电路，其中，基于氮化镓功率器件的电源电路应用于电弧推力器，电源电路包括：变换单元，变换单元被配置为将输入的直流电变换为第一交流电源和第二交流电源；脉冲生成单元，脉冲生成单元被配置为根据第一交流电源生成高压脉冲信号，并将高压脉冲信号耦合到电弧推力器，以使电弧推力器击穿；恒流电源提供单元，恒流电源提供单元被配置为对第二交流电源进行整流，以生成恒流源，并在电弧推力器击穿的情况下将恒流源提供给电弧推力器，以使电弧推力器进行工作。该电源电路的脉冲生成单元和恒流电源提供单元之间不需要额外的隔离器件和连接单元，降低了电弧推力器供电电源的体积和重量。

    网络多节点通信质量评估方法、装置及电子设备
    15.
    发明授权
    网络多节点通信质量评估方法、装置及电子设备 有权

    公开(公告)号：CN114745294B

    公开(公告)日：2023-12-05

    申请号：CN202210332210.5

    申请日：2022-03-30

    申请人： 深圳市国电科技通信有限公司 ,  深圳智芯微电子科技有限公司

    发明人： 王祥 ,  武占侠 ,  占兆武 ,  李龙

    IPC分类号： H04L43/04 ,  H04L43/08 ,  H04L43/0829 ,  H04L43/0852

    摘要： 本发明公开了一种网络多节点通信质量评估方法、装置及电子设备，其中方法包括：确定网络通信的业务类型和网络通信中每个节点对应的各评估指标的指标值；基于业务类型确定各评估指标的第一权重；基于每个节点对应的各评估指标的指标值确定各评估指标的第二权重；根据各评估指标的第一权重和第二权重确定各评估指标的综合权重；根据各评估指标的指标值和综合权重获取通信质量评估值。由此，可以根据业务类型对通信质量进行针对性评估，减小了权重计算过程中主观因素的影响，提高了通信评估结果的可信度；同时，还可以实现对差异性较大的指标进行重点评估，更加清晰地对故障节点和异(56)对比文件彭玲艳.电力通信网运行质量评价方法研究.中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑.2022,全文.Yu Du等.A QoE Based Evaluation ofService Quality in Wireless CommunicationNetwork《.2009 International Conference onNew Trends in Information and ServiceScience》.2009,全文.向敏;杜延红.应用于配电无线通信网络建设的通信技术评价方法.电视技术.2017,摘要，第1节.

    射频能量收集装置和方法
    16.
    发明授权
    射频能量收集装置和方法 有权

    公开(公告)号：CN115037322B

    公开(公告)日：2023-11-28

    申请号：CN202210310810.1

    申请日：2022-03-28

    申请人： 深圳市国电科技通信有限公司 ,  深圳智芯微电子科技有限公司

    发明人： 王祥 ,  武占侠 ,  洪海敏 ,  刘飞飞 ,  胡江 ,  危桑 ,  刘子仪

    IPC分类号： H04B1/16 ,  H04B1/18

    摘要： 本发明提供一种射频能量收集装置和方法，其中装置通过在高功率信号从第一输出端口输出到阻抗变换设备时，将第一输出端口处向后端看去的阻抗变换为正无穷大，使得高功率信号从第一输出端口反射回环形器，并从环形器的第二输出端口输出至第二信号阻抗匹配电路，以对高功率信号进行阻抗匹配，在低功率信号从环形器的第一输出端口输出到阻抗变换设备时，阻抗变换设备将低功率信号传输至第一信号阻抗匹配电路，以对低功率信号进行阻抗匹配，通过阻抗变换设备，自动把高功率信号和低功率信号分成了两条通路，可以分别处理两种模型下的阻抗匹配问题，从而提高了综合转换效率。

    HEMT器件及其制备方法
    17.
    发明公开
    HEMT器件及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN117116984A

    公开(公告)日：2023-11-24

    申请号：CN202311355632.5

    申请日：2023-10-18

    申请人： 深圳智芯微电子科技有限公司

    发明人： 廖刚 ,  庞振江 ,  洪海敏 ,  周芝梅 ,  温雷 ,  文豪 ,  黎杰 ,  卜小松

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

    摘要： 本发明公开了一种HEMT器件及其制备方法，器件包括衬底、缓冲层、第一AlGaN层、GaN层、第二AlGaN层及电极；第一AlGaN层与GaN层之间的界面形成二维空穴气，第二AlGaN层与GaN层之间的界面形成二维电子气，二维电子气和二维空穴气在GaN层的上下表面交错分布，且二维电子气与二维空穴气达到电荷平衡；二维电子气和二维空穴气交错分布的延伸方向与任一电极的延伸方向相一致。本发明公开的技术方案，在GaN层上下表面分别形成二维电子气和二维空穴气，二维电子气和二维空穴气不仅在GaN层上下表面交错分布还达到电荷平衡，从而使得在器件施加反向电压时二维电子气和二维空穴气可相互耗尽，以提高器件耐压能力。

    GaN合封器件
    19.
    发明公开
    GaN合封器件 审中-实审

    公开(公告)号：CN117080182A

    公开(公告)日：2023-11-17

    申请号：CN202311248165.6

    申请日：2023-09-25

    申请人： 深圳智芯微电子科技有限公司

    发明人： 黄首杰 ,  庞振江 ,  洪海敏 ,  周芝梅 ,  温雷 ,  卜小松 ,  黎杰

    IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/14 ,  H01L23/15 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/48 ,  H01L25/16

    摘要： 本申请公开了一种GaN合封器件，包括：框架；级联型GaN HEMT器件；GaN HEMT器件包括设置在第一基岛上的Si MOSFET、设置在第二基岛上且与Si MOSFET级联的GaN HEMT；倒装设置的控制芯片；控制芯片的多个引脚通过铜柱与级联型GaN HEMT器件的栅极及第三基岛相连；设置在级联型GaN HEMT器件及控制芯片上方的陶瓷基板；陶瓷基板下表面设置有与级联型GaN HEMT器件对应的第一铜层；塑封料；陶瓷基板上表面裸露在塑封料外。本申请公开的技术方案，通过顶部覆铜陶瓷基板及底部框架实现双面散热，从而提高GaN合封器件的散热效率，减少内部热量积累，以提高GaN合封器件的可靠性。