本发明公开了一种HEMT器件及其制备方法，器件包括衬底、缓冲层、第一AlGaN层、GaN层、第二AlGaN层及电极；第一AlGaN层与GaN层之间的界面形成二维空穴气，第二AlGaN层与GaN层之间的界面形成二维电子气，二维电子气和二维空穴气在GaN层的上下表面交错分布，且二维电子气与二维空穴气达到电荷平衡；二维电子气和二维空穴气交错分布的延伸方向与任一电极的延伸方向相一致。本发明公开的技术方案，在GaN层上下表面分别形成二维电子气和二维空穴气，二维电子气和二维空穴气不仅在GaN层上下表面交错分布还达到电荷平衡，从而使得在器件施加反向电压时二维电子气和二维空穴气可相互耗尽，以提高器件耐压能力。