公开(公告)号：CN109768229A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811251478.6

申请日：2018-10-25

Applicant: 国立研究开发法人产业技术总合研究所 ,  住友橡胶工业株式会社

Inventor： 山下直人 ,  向井孝志 ,  柳田昌宏 ,  久保达也 ,  中条文哉

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/60 ,  H01M4/62 ,  H01M4/66 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/1399

CPC classification number: H01M4/628 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/13 ,  H01M4/136 ,  H01M4/137 ,  H01M4/139 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/1399 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/5815 ,  H01M4/608 ,  H01M4/622 ,  H01M4/625 ,  H01M4/661 ,  H01M4/663 ,  H01M4/667 ,  H01M4/668 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/028

Abstract: 本发明的一个目标是提供一种锂离子二次电池，其不论集电器的种类和形状如何，均具有大的充电和放电容量以及优异的循环特性。锂离子二次电池包括电极，其含有：用于保护集电器的底漆层和交联剂层，所述交联剂层含有能够交联底漆层中所含的水性粘合剂的化合物，上述底漆层和交联剂层均被设置在集电器和含有硫系活性材料的活性材料层之间。

公开(公告)号：CN107614756A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680029173.3

申请日：2016-11-02

Applicant: 株式会社山王 ,  国立研究开发法人产业技术总合研究所

Inventor： 八重樫聪 ,  远藤成辉 ,  前田哲彦 ,  熊川昌志 ,  铃木智史 ,  小曾根崇

IPC: C25D1/08 ,  C25D1/00

CPC classification number: C25D1/08 ,  C25D1/04 ,  C25D3/12 ,  C25D5/18 ,  C25D5/50

Abstract: 本发明的多孔质镍薄膜具有15.0N/mm以下的柔软值。

公开(公告)号：CN107532131A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680019753.4

申请日：2016-03-08

Applicant: 国立研究开发法人产业技术总合研究所

Inventor： 杉浦慎治 ,  佐藤琢 ,  金森敏幸 ,  进和美

IPC: C12M3/00 ,  C12M1/00 ,  C12N5/07

CPC classification number: B01J19/0046 ,  B01F13/0059 ,  B01L3/502 ,  C12M1/00 ,  C12M1/005 ,  C12M1/04 ,  C12M1/12 ,  C12M1/36 ,  C12M3/00 ,  C12M23/04

Abstract: 本发明涉及一种细胞培养装置，其具备：连结培养容器，所述连结培养容器具有保持被接种的细胞的细胞保持部、分别具有所述细胞保持部且贮存有液体培养基并沿着第一方向并列配置的m个培养室、以及使所述m个培养室间相互连通的1个以上的连接用流路，由所述m个培养室和所述连接用流路构成单元，将n个所述单元沿着与所述第一方向不同的方向即第二方向并列配置；以及，多个气压管，所述多个气压管在所述连结培养容器中使沿着所述第二方向配置于同列的同列配置培养室之间连通，可对所述同列配置培养室间同时进行加压或同时释放至大气压，利用所述m个培养室内的压力差，可通过所述连接用流路在所述m个培养室之间输送所述液体培养基，所述m是2以上的整数，所述n是2以上的整数。

公开(公告)号：CN106486642A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610645333.9

申请日：2016-08-08

Applicant: 住友橡胶工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术总合研究所

Inventor： 久保达也 ,  小岛敏胜 ,  境哲男 ,  山野晃裕 ,  柳田昌宏

IPC: H01M4/136 ,  H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明提供一种可大幅提高锂离子二次电池的循环能力的新颖硫系正极活性材料、一种包含所述正极活性材料的正极、及一种包括所述正极的锂离子二次电池。所述硫系正极活性材料包含：碳骨架，衍生自由具有至少一个含杂原子的部分的单体单元构成的聚合物；以及硫，通过热处理而在自所述聚合物形成所述碳骨架时并入所述碳骨架中。

公开(公告)号：CN115956067A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202180040584.3

申请日：2021-06-03

Applicant: 国立研究开发法人产业技术总合研究所 ,  东曹株式会社

Inventor： 竹内胜彦 ,  松本和弘 ,  深谷训久 ,  小泉博基 ,  崔准哲 ,  内田雅人 ,  松本清儿 ,  羽村敏

IPC: C07C269/00

Abstract: 本发明提供一种氨基甲酸盐的制造方法、以及使用了氨基甲酸盐的氨基甲酸酯或尿素衍生物的制造方法，所述氨基甲酸盐的制造方法包括：在选自碳原子数2以上且8以下的有机溶剂中的至少1种有机溶剂中，于碱存在下，使二氧化碳的分压为0.001atm以上且低于1atm的含二氧化碳混合气体与含氨基有机化合物接触。

公开(公告)号：CN113573735A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202080020343.8

申请日：2020-03-03

Applicant: 国立研究开发法人产业技术总合研究所 ,  株式会社大赛璐

Inventor： 都英次郎 ,  于跃 ,  西川正浩 ,  刘明 ,  郑贵宽

IPC: A61K45/00 ,  A61P35/00 ,  A61P43/00 ,  A61K47/52 ,  C01B32/15 ,  C01B32/28 ,  A61K33/44 ,  A61K41/00

Abstract: 本发明提供以下述式(I)表示的光发热性复合材料。CNM‑(Y1‑R)n1(I)(式中，CNM表示碳纳米材料。Y1表示2价的连接基团。R表示来自于荧光物质或色素的基团。n1表示1以上的整数)。

公开(公告)号：CN106601641B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201610796634.1

申请日：2016-08-31

Applicant: 富士电机株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术总合研究所

Inventor： 染谷满 ,  武井学 ,  原田信介

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供即使对栅极施加AC电压，也能够正确测定导通时的阈值电压的波动的半导体装置的评价方法及半导体装置的评价装置。作为被测定物的MOSFET的漏极与恒定电压源连接，源极和基体接地。AC电压源通常对MOSFET的栅极持续施加最大电压为MOSFET的阈值电压以上的应力电压。恒定电压源在MOSFET被施加有应力电压时，向MOSFET的源极‑漏极间施加源极‑漏极间电压，并且持续测定并监视流通于MOSFET的源极‑漏极间电流。MOSFET的阈值电压的波动量基于由恒定电压源测定的MOSFET的源极‑漏极间电流的波动量而得到。

公开(公告)号：CN109563128A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780050376.5

申请日：2017-08-16

Applicant: 国立研究开发法人产业技术总合研究所

Inventor： 福田道子 ,  野中元裕

IPC: C07K5/08 ,  A61K38/03 ,  A61K38/06 ,  A61K45/00 ,  A61K49/04 ,  A61K49/06 ,  A61K49/14 ,  A61P35/00 ,  C07K5/10 ,  C07K7/06 ,  C07K14/00 ,  C07K19/00 ,  C12N15/09

CPC classification number: A61K38/03 ,  A61K38/06 ,  A61K45/00 ,  A61K47/64 ,  A61K49/04 ,  A61K49/06 ,  A61K49/085 ,  A61K49/14 ,  A61P35/00 ,  C07K5/08 ,  C07K5/10 ,  C07K7/06 ,  C07K14/00 ,  C07K19/00 ,  C12N15/09

Abstract: 本发明提供了一种肽，其包含下式(I)～(III)中任一项的氨基酸序列：(I)氨基酸序列(X1)[D]P[D](X2)[D]，其中，X1是W或F，X2是S或T，并且其后紧接有符号[D]的各个氨基酸符号是该氨基酸的D型，(II)氨基酸序列P[D]T[D](X)nF[D]，其中，(X)n是彼此独立选择的n个任意氨基酸，n是0～4的整数，符号[D]如上所定义，(III)氨基酸序列，其是上述(I)和上述(II)中任一项氨基酸序列的逆向-翻转(Retro-inverso)序列；并且，本发明提供了含有所述肽和一个功能部分的缀合物。

公开(公告)号：CN107428559A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680014545.5

申请日：2016-05-20

Applicant: 国立研究开发法人产业技术总合研究所

Inventor： 秋本顺二 ,  早川博

IPC: C01G53/00 ,  C01D15/00 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明提供一种含有锂、钙及镁的至少一者并含有镍、及锰，且具备锂过量层状岩盐型结构的复合氧化物、以及包含上述复合氧化物的正极材料活性物质及锂二次电池。

公开(公告)号：CN106601641A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610796634.1

申请日：2016-08-31

Applicant: 富士电机株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术总合研究所

Inventor： 染谷满 ,  武井学 ,  原田信介

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R31/26 ,  G01R31/2621 ,  H01L22/34 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L22/14 ,  H01L22/30

Abstract: 本发明提供即使对栅极施加AC电压，也能够正确测定导通时的阈值电压的波动的半导体装置的评价方法及半导体装置的评价装置。作为被测定物的MOSFET的漏极与恒定电压源连接，源极和基体接地。AC电压源通常对MOSFET的栅极持续施加最大电压为MOSFET的阈值电压以上的应力电压。恒定电压源在MOSFET被施加有应力电压时，向MOSFET的源极‑漏极间施加源极‑漏极间电压，并且持续测定并监视流通于MOSFET的源极‑漏极间电流。MOSFET的阈值电压的波动量基于由恒定电压源测定的MOSFET的源极‑漏极间电流的波动量而得到。