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公开(公告)号：CN114207195A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080018847.6
申请日：2020-03-03
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种抑制了宏观台阶聚束的形成的SiC衬底的制造方法及其制造装置。本发明的特征在于包括：主体容器(20)，能够收纳SiC衬底(10)，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉(30)，收纳所述主体容器(20)并进行加热，使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压并形成温度梯度，其中，所述主体容器(20)具有：蚀刻空间(S1)，在将所述SiC衬底(10)配置在所述温度梯度的高温侧的状态下，使配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器(20)的一部分和所述SiC衬底(10)相对而形成；以及Si蒸气供给源(25)，能够将Si蒸气供给到所述主体容器(20)内。
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公开(公告)号：CN114174563A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080030813.9
申请日：2020-04-24
Inventor： 金子忠昭
Abstract: 本发明的要解决的问题是提供一种新颖的SiC衬底的制造方法及其制造装置。实现了一种加热相对的两个SiC衬底并将原料从一个SiC单晶衬底输送到另一个SiC单晶衬底的SiC衬底的制造方法及其制造装置。由此，可以将相对的SiC单晶衬底表面彼此用作晶体生长的原料，因而可以实现经济性优异的SiC衬底的制造方法。
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公开(公告)号：CN114144546A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080024446.1
申请日：2020-03-25
Inventor： 金子忠昭
IPC: C30B33/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种即使是直径或长径相对较大的半导体衬底也能够均匀地加热表面的半导体衬底制造装置。一种半导体衬底的制造装置包括：主体容器，收纳半导体衬底；以及加热炉，具有收纳所述主体容器的加热室，其中，所述加热炉在与应配置在所述加热室内的所述半导体衬底交叉的方向上具有加热源。
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公开(公告)号：CN113286912A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201980088220.5
申请日：2019-11-25
Abstract: 一个目的是提供一种铝合金再生方法，其能够在使用Al合金废料等作为原材料的同时提供再生Al合金(熔体)，其中有效降低Fe浓度。本发明提供一种铝合金再生方法，其包含：通过熔融含有Fe和Mn的含Fe·Mn材料和Al合金原材料而制备第一熔体的制备步骤；使第一熔体保持在使Fe化合物结晶的分离温度下的结晶步骤；和提取通过除去从第一熔体中结晶的至少一部分Fe化合物而获得的第二熔体的提取步骤。所述含Fe·Mn材料优选具有例如2或更大的Mn与Fe的质量比(Mn/Fe)。所述含Fe·Mn材料可进一步含有Si、Cu、Mg、Zn、Cr、Mo、V、Ti或Al的一种或多种。
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公开(公告)号：CN113227466A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980072707.4
申请日：2019-11-05
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有台阶高度被控制的生长层的SiC半导体衬底及其制造方法以及其制造装置。其特征在于，包括用于使SiC衬底(10)在SiC‑Si平衡蒸气压环境下生长的生长步骤。这样通过使SiC衬底(10)在SiC‑Si平衡蒸气压环境下生长，可以提供一种生长层的台阶高度被控制的SiC半导体衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104041949B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201310655711.8
申请日：2013-12-06
Applicant: 丰田通商株式会社
Inventor： 上林哲也
IPC: A41D1/08
Abstract: 本发明提供一种能够使穿着者变得易于发挥自身运动能力的运动紧身裤。运动紧身裤（1）包括：紧身裤部（3），其紧密贴合于穿着者的下半身，且由具有伸缩性的布料形成；以及肌肉支承部，其形成于该紧身裤部（3）的外表面，且由与紧身裤部（3）相比难以伸展且易于收缩的材料构成，该肌肉支承部包括：腰支承部（5），其用于抑制穿着者的骨盆的后倾；内扭转肌支承部（7），其沿着穿着者的大腿四头肌的人体宽度方向内侧并且以覆盖穿着者的内扭转肌群的方式从腹股沟部向下延伸；以及大腿四头肌支承部（9），其以与上述内扭转肌支承部（7）一起夹着大腿四头肌的方式在大腿四头肌的人体宽度方向外侧沿着大腿四头肌向下延伸。
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公开(公告)号：CN104041949A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310655711.8
申请日：2013-12-06
Applicant: 丰田通商株式会社
Inventor： 上林哲也
IPC: A41D1/08
Abstract: 本发明提供一种能够使穿着者变得易于发挥自身运动能力的运动紧身裤。运动紧身裤（1）包括：紧身裤部（3），其紧密贴合于穿着者的下半身，且由具有伸缩性的布料形成；以及肌肉支承部，其形成于该紧身裤部（3）的外表面，且由与紧身裤部（3）相比难以伸展且易于收缩的材料构成，该肌肉支承部包括：腰支承部（5），其用于抑制穿着者的骨盆的后倾；内扭转肌支承部（7），其沿着穿着者的大腿四头肌的人体宽度方向内侧并且以覆盖穿着者的内扭转肌群的方式从腹股沟部向下延伸；以及大腿四头肌支承部（9），其以与上述内扭转肌支承部（7）一起夹着大腿四头肌的方式在大腿四头肌的人体宽度方向外侧沿着大腿四头肌向下延伸。
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公开(公告)号：CN114945436B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202180009195.4
申请日：2021-01-11
Applicant: 丰田通商株式会社
Abstract: 一个目的在于提供一种当从原料为废料等的铝合金熔体中除去Mg时使用的金属除去剂。本发明提供一种金属除去剂，用于形成从铝合金熔体中吸收Mg的熔融盐层。所述金属除去剂含有：特定金属元素，是Cu、Zn或Mn中的一种以上；特定卤族元素，是Cl或Br中的一种以上；以及Mg。所述金属除去剂还可以含有：基础卤化物，充当所述熔融盐层的基材；以及特定金属卤化物，是特定金属元素和特定卤族元素的化合物。所述特定金属元素是Cu、Zn或Mn中的一种以上，并且所述特定卤族元素是Cl或Br中的一种以上。当使用所述金属除去剂形成的熔融盐层与含有Mg的铝合金熔体彼此接触时，Mg从所述铝合金熔体侧被吸收至所述熔融盐层侧并被有效地除去。
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公开(公告)号：CN119547193A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380053842.0
申请日：2023-07-31
IPC: H01L21/66 , H01L21/304
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种能够抑制光致发光测量中的背景发光强度的变化的新技术。本发明是用于抑制光致发光测量中的背景发光强度的变化的方法，该方法包括：去除存在于半导体衬底(10)上的加工变质层(11)的至少一部分的加工变质层去除工序(S10)；以及通过光致发光测量来获取半导体衬底(10)中的晶体缺陷的分布信息的光致发光测量工序(S30)。
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公开(公告)号：CN114423889B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202080065931.3
申请日：2020-09-24
Inventor： 金子忠昭
IPC: H01L21/324 , C30B23/06 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/02
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种在抑制了SiC升华的同时减少了内部应力的新型的SiC单晶主体。为了解决上述问题，本发明提供一种SiC单晶的制造方法，其包括将SiC单晶主体在含有Si元素和C元素的气氛下在1800℃以上进行加热并减少所述SiC单晶主体的内部应力的应力减少步骤。此外，本发明是一种SiC单晶的制造装置，包括：主体容器，由SiC材料制成且能够收纳SiC单晶主体；和加热炉，能够将所述主体容器在1800℃以上进行加热。
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