公开(公告)号：CN104966736A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510290535.1

申请日：2015-06-01

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 邓小川 ,  甘志 ,  梁坤元 ,  张晓菲 ,  萧寒 ,  李妍月 ,  唐亚超 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明涉及半导体技术，特别涉及一种射频LDMOS器件及其制造方法。本发明的主要方法为在器件漏端N型轻掺杂区中引入了氧化层区，通过对该氧化层区长度、厚度以及位置的调节，可以在保证不影响器件击穿电压和导通电阻的同时，降低漂移区的等效介电常数，从而降低器件的栅漏电容，提高器件的频率特性。本发明尤其适用于LDMOS器件及其制造。

公开(公告)号：CN104950840A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510218406.1

申请日：2015-04-30

Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 向勇 ,  刘恒 ,  赵正爽 ,  王维 ,  冯彦瑜

IPC: G05B19/418

CPC classification number: Y02P90/02 ,  G05B19/41855

Abstract: 本发明涉及一种电池组监控传输系统及方法，包括前端监控区域网络、传输网络、监控中心和客户端；所述前端监控区域网络，其用于实时监控收集电池组信息；其包括监控终端节点、路由节点和总节点；所述监控终端节点和路由节点构成星形网络，所述路由节点和总节点构成网状网络；所述监控终端节点、路由节点和总节点构成自检自组网络；所述传输网络，其用于前端监控区域网络至监控中心间电池组信息的传输；所述监控中心，其用于电池组信息的数据处理和数据存储；所述客户端，其用于通过Internet与监控中心连接，实现对电池组异常数据实时显示及告警。本发明实现了监控终端节点可经多条路径将电池组信息传输至总节点，提高了网络的稳定性。

公开(公告)号：CN103395307B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201310322790.0

申请日：2013-07-29

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞成电华瓷电子科技有限公司 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 李元勋 ,  康建宏 ,  滕林 ,  沈健 ,  黄树峰 ,  张怀武

IPC: B41M1/12 ,  G03F7/00

Abstract: 一种片式电子元器件内部电极的制备方法，主要包括：在暗室中，用负性感光导电金属浆料印刷初步内电极图形，然后在掩膜板作用下，将印刷的初步内电极图形按目标内电极图形要求要求曝光固化，再经过与负性感光导电金属浆料匹配的显影液显影，用溶剂清除精细电极图形之外的电极轮廓，保留已经固化的目标内电极图形，经干燥后完成内电极制备。本发明在采用传统丝网印刷工艺制作元器件内电极的基础上，利用负性感光导电金属浆料对特定波长光的敏感性，再通过曝光显影的方式，将目标内电极图形精细地刻画出来，以达到小尺寸电子元器件内部电极图形设计的要求，够制备出线宽精度更高的内电极，适用于英制0201、01005或更小尺寸元件内电极的制备。

公开(公告)号：CN103268890B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310202668.X

申请日：2013-05-28

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 罗小蓉 ,  魏杰 ,  罗尹春 ,  范远航 ,  徐青 ,  范叶 ,  王骁玮 ,  周坤 ,  张彦辉 ,  尹超 ,  张波 ,  李肇基

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 一种具有结型场板的功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规LDMOS器件的衬底中形成与衬底掺杂类型相反的埋层，在器件漂移区表面形成由PN结构成的结型场板。本发明利用结型场板中PN结电场分布调制器件表面电场，使器件表面电场分布更加均匀，能有效避免金属场板末端电场尖峰的不足，提高器件的击穿特性；反向阻断状态下，结型场板对漂移区有辅助耗尽作用，能大幅提高漂移区掺杂水平，降低器件导通电阻；同时，结型场板中PN结反向偏置时反向电流小，有利降低场板中的泄漏电流，衬底中的埋层能有效提高器件耐压特性。本发明的器件具有高压、低功耗、低成本与易集成的特点，适用于功率集成电路与射频功率集成电路。

公开(公告)号：CN103268886B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201310174274.8

申请日：2013-05-13

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 乔明 ,  吴文杰 ,  李燕妃 ,  温恒娟 ,  陈涛 ,  胡利志 ,  周锌 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分的电荷平衡问题，在保持器件表面横向超结掺杂条宽度为最小光刻精度W的两倍的情况下，对终端结构进行分析和优化，提出表面超结结构浓度的关系表达式，根据关系式优化器件结构，从而得到最优化的击穿电压。同时，N型漂移区表面所有的横向超结结构宽度都采用最小光刻精度W，可以减小芯片的版图面积。

公开(公告)号：CN102969356B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210443873.0

申请日：2012-11-08

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 任敏 ,  李果 ,  宋询奕 ,  张鹏 ,  王娜 ,  邓光敏 ,  夏小军 ,  张蒙 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种超结功率器件的终端结构，属于半导体功率器件技术领域。包括器件元胞和器件终端；器件元胞漂移区由交替相间的P柱区和N柱区构成超结结构；器件终端包括过渡终端区和耐压终端区；所述过渡终端区处于器件元胞和耐压终端区之间；过渡终端区具有与元胞相同的超结结构，耐压终端区的超结结构中P柱区和N柱区的掺杂浓度小于器件元胞的超结结构中P柱区和N柱区的掺杂浓度。本发明实际是元胞和终端采用不同的漂移区掺杂浓度。元胞区采用高掺杂漂移区获得低比导通电阻，终端区适当采用较低的掺杂浓度获得高耐压。采用该结构能够在和常规超结终端结构面积相同的情况下获得更高的耐压，或者在相同耐压的情况下具有比常规超结结构更小的面积。

公开(公告)号：CN104331917A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410566003.1

申请日：2014-10-22

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 陈雷霆 ,  杨帅 ,  卢光辉 ,  蔡洪斌 ,  曹跃 ,  邱航 ,  崔金钟

IPC: G06T13/40

CPC classification number: G06T13/40

Abstract: 本发明提供了一种恐慌人群逃生模拟方法，旨在真实地模拟恐慌情况下人群逃生的特点。本发明使用社会力模型进行人群建模，针对恐慌人群的特性，发明了新的交互力，并且引入性格模型，通过调整人群模拟参数来模拟不同性格个体的行为特征。在逃生路径规划技术方面，发明了非均匀网格技术，使得Agent可以更加准确地感知周围环境，并且在路径选择上呈现多样性。在路径规划中，针对真实情况下人群视野往往会被障碍物等阻挡的情况，发明局部视野技术，使得人群仅以视野范围内的点作为目标点来进行导航，从而保证了模拟的真实性。

公开(公告)号：CN104318601A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410568918.6

申请日：2014-10-22

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 卢光辉 ,  秦富春 ,  陈雷霆 ,  蔡洪斌 ,  曹跃 ,  邱航 ,  崔金钟

IPC: G06T13/40

CPC classification number: G06T13/40 ,  G06T2210/24

Abstract: 本发明提供了一种流体环境下人体运动仿真方法，其基于真实物理的仿真，并且了实现人体与流体的交互。在人体建模的基础上，发明了耦合面交互的技术、计算子链运动速度的技术、计算目标路径的技术和跟踪目标路径的技术。在局部仿真阶段，人体模型建立在拉格朗日动力学的基础上，能够很好的仿真人体独立运动状态；在交互仿真阶段，基于采样数组的耦合面传递方法使交互效率得到提高，基于粘滞阻力的速度计算方法使交互速度改变更为平稳，效果更为逼真；在整体仿真阶段，基于三维A星算法得到的目标路径满足人体在流体中的运动特点并且具有连续性，基于视觉空间的状态选择算法使人体能够很好跟踪目标路径，并且可以选择的运动状态更多。

公开(公告)号：CN104318241A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410498330.8

申请日：2014-09-25

Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 陈雷霆 ,  蔡洪斌 ,  邱航 ,  关亚勇 ,  曹跃 ,  崔金钟 ,  卢光辉

IPC: G06K9/62

CPC classification number: G06K9/6224

Abstract: 本发明公开了一种基于Self-tuning的局部密度谱聚类相似度量算法，通过对相似性度量方法的分析，提出了一种基于数据邻域的局部密度度量方法。该方法能够自适应的对数据的尺度规模进行度量，处理复杂结构的数据集聚类问题，与传统的谱聚类方法和Self-tuning方法相比，具有很好的聚类效果。

公开(公告)号：CN102790077B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210304090.4

申请日：2012-08-24

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 李泽宏 ,  赵起越 ,  李巍 ,  任敏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 一种绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过离子注入或杂质扩散方式在传统绝缘栅双极型晶体管的P+体区（6）中引入带有受主能级的深能级杂质（12）。在室温下，P+体区（6）中引入的深能级杂质（12）只有少部分电离，对器件正向导通工作的影响可以忽略。当器件内有大电流流过时，器件产生热损耗增大，深能级杂质（12）的电离率会随着器件温度的升高而增大，提高了IGBT器件中寄生NPNP晶闸管结构中NPN管基区有效掺杂浓度，降低了NPN管发射极注入效率γ，进而降低NPN管共基极放大系数αNPN，可避免因αNPN+αPNP≥1而使器件寄生的晶闸管开启，器件因失去栅控能力无法关断而最终烧毁的后果，最终达到增大器件的正向安全工作区，提高器件可靠性的目的。