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公开(公告)号：CN117540682A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311602791.0
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种用于BJT器件的Gummel‑Poon模型特征参数的提取方法，涉及双极型晶体管器件的技术领域。所述的提取方法包括：设定词法的使用方法；基于设定的词法使用方法，筛选敏感度；基于筛选的敏感度，挑选参数；基于筛选的敏感度以及挑选的参数，计算获得待拟合参数。从而保证了基于拟合参数而建立的模型的精确性。而且整个过程完全可以通过对计算机进行预先设定，实现自动化精确获得。从而提高了计算效率。
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公开(公告)号：CN111855704B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202010735183.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明提供了一种双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据深能级瞬态谱中的信号峰位置，判定缺陷是否为电离缺陷；根据深能级瞬态谱中的缺陷信号能级，判定缺陷类型为氧化俘获电荷或界面态；根据缺陷信号类型的判断结果，判定双极晶体管的电离损伤敏感区。本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管辐射损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。(56)对比文件CN 109061430 A,2018.12.21CN 106571300 A,2017.04.19肖化宇;杨潇;唐义强;曾慧中;张万里.HfO2/SrTiO3氧化物场效应晶体管的深能级瞬态谱测试方法研究.电子测量技术.2020,第43卷(第09期),全文.李兴冀;兰慕杰;刘超铭;杨剑群;孙中亮;肖立伊;何世禹.偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响研究.物理学报.2013,第62卷(第09期),全文.Li, Xingji;Liu, Chaoming;Yang,Jianqun;Ma, Guoliang.Research on theCombined Effects of Ionization andDisplacement Defects in NPN TransistorsBased on Deep Level TransientSpectroscopy.IEEE Transactions on NuclearScience.2015,第62卷(第02期),全文.董磊;杨剑群;甄兆丰;李兴冀.预加温处理对双极晶体管过剩基极电流理想因子的影响机制.物理学报.2020,(第01期),全文.李兴冀;陈朝基;杨剑群;刘超铭;马国亮.氢气气氛下横向PNP晶体管电离损伤行为.太赫兹科学与电子信息学报.2017,(第04期),全文.杨晨;刘轮才;龚敏;蒲林;程兴华;谭开州;王健安;石瑞英.γ辐照对SiGe HBT特性的影响.四川大学学报(自然科学版).2007,(第03期),全文.杨剑群等.Si_3N_4钝化层对横向PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响机理《.物理学报》.2018,(第16期),陈蒲生等.快速热氮化的SiO_xN_Y膜界面特性的DLTS研究《.固体电子学研究与进展》.1993,(第02期),王德君等.SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性评价《.固体电子学研究与进展》.2009,(第02期),柳兆洪等.掺铒硫化锌薄膜电致发光的动态特性《.物理学报》.1999,(第09期),
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公开(公告)号：CN117130594A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311174931.9
申请日：2023-09-12
Applicant: 陕西夸克自控科技有限公司 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
Abstract: 本发明提出一种基于部件组装的半导体测试仪软件设计方法，以系统化、结构化的思维方式对软件功能进行划分，建立宿主程序，并将其作为部件的容器，通过标准接口实现标准部件接入宿主程序，建立通用接口，实现非标准功能模块的接入。建立执行数据接口，通过数据驱动的方式，将数据转化成对执行部件的驱动操作，由测试执行进行解析执行。根据实际需要创建可视化测试设计，或脚本化测试设计，并提供通用测试模板，简化了测试设计环节，增强测试分析和评估功能。通过该设计方法可以减少功能部件之间的耦合，增强标准部件的复用，简化设计，提高软件开发效率，并增强软件维护的安全性和便捷性。
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公开(公告)号：CN111865296B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010735247.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H03K19/14
Abstract: 本发明提供了一种超高压光电耦合器和数字信号系统，涉及光电学元件技术领域。所述超高压光电耦合器包括发射端、可见光纤、接收端以及光电流调理电路，所述发射端用于将输入的电信号转换为光信号，所述可见光纤作为传输介质，用于传输所述发射器发射的光信号，所述可见光纤的一端与所述发射端连接；所述接收端用于接收所述可见光纤传输的光信号，所述可见光纤的另一端与所述接收端连接；所述光电流调理电路用于对所述接收端接收到的信号进行修正。这样，通过所述发射端、所述可见光纤、所述接收端以及所述光电流调理电路的配合，以实现10KV耐压的超高压光电耦合器。
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公开(公告)号：CN111864070B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010735693.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种二维材料异质结及其性能分析方法，以及所述异质结在半导体和光电能量转化方面的用途。所述二维材料异质结包括：包括Janus二维材料的第一二维材料；以及包括硅烯的第二二维材料；第一二维材料和第二二维材料纵向堆叠。本发明提供的异质结不仅可以利用不同材料自身的卓越性能，而且可以克服单一二维材料的缺陷，通过Janus二维材料与硅烯的相互作用，打开硅烯的带隙，使得二维材料的能量谱分布相对于构成其的两种组分的各自单独的性质发生明显改变。异质结的性能分析方法基于含时密度泛函理论和随机相位近似进行电子能量损失谱谱分析，步骤简单、易于操作，为基于打开带隙为目的的异质结设计提供快速的分析途径和有力支持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111863625B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010735167.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/423 , H01L21/425 , H01L21/428 , H01L21/477
Abstract: 本发明提供了一种单一材料PN异质结及其设计方法，涉及PN异质结材料设计技术领域，包括：将一种二维过渡金属硫化物中的部分原子替换成替代原子，二维过渡金属硫化物具有单一N型半导体性质或单一P型半导体性质；通过原子替换形成缺陷型二维过渡金属硫化物，所述缺陷型二维过渡金属硫化物的半导体性质发生转变，适于与未进行原子替换的二维过渡金属硫化物形成PN异质结。本发明通过替代原子的引入使得本征半导体二维材料出现晶格缺陷，引入了缺陷能级，将同一种材料通过原子替换形成具备P型半导体性质与N型半导体性质两种同晶格材料，并从能带分布中判断体系的多数载流子，为实现单一材料PN异质结提供了理论依据。
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公开(公告)号：CN115659695A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211405329.7
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种晶体管界面态仿真方法、计算设备及存储介质。该方法包括：构建肖特基‑里德‑霍尔体复合模型，肖特基‑里德‑霍尔体复合模型包括单位体积下的第一界面陷阱浓度；将第一界面陷阱浓度转换为单位面积下的第二界面态陷阱浓度，根据第二界面态陷阱浓度构建出肖特基‑里德‑霍尔表面复合模型；构建电子连续性方程和空穴连续性方程；将肖特基‑里德‑霍尔表面复合模型分别与电子连续性方程和空穴连续性方程耦合，得到晶体管界面态模型；利用晶体管界面态模型对晶体管在不同第二界面态陷阱浓度下的基极电流进行仿真。本技术方案的有益效果是：通过仿真模拟界面态对晶体管基极电流的影响，避免了进行繁琐的地面实验，节约了成本。
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公开(公告)号：CN115540927A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211145033.6
申请日：2022-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明提供一种柔性传感器温度与辐照协同效应的分析方法，包括以下步骤：获取柔性传感器；分别在低温和高温条件下，采用不同辐照注量的电子辐照对柔性传感器进行辐照；在初始状态下和辐照后，在50％应变拉伸下对柔性传感器的辐照后基础性能进行测试，并测试柔性传感器中的辐照后缺陷结构；根据所述基础性能变化曲线，分析柔性传感器的温度和辐照协同效应对其基础性能的影响；根据初始缺陷结构和辐照后缺陷结构，分析柔性传感器的温度和辐照协同效应对柔性传感器中缺陷结构的影响机理。本发明提供的方法能够根据不同温度条件下，辐照前后变化情况来分析柔性传感器温度和辐照的协同效应，并深入研究柔性传感器温度和辐照的协同效应机理。
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公开(公告)号：CN111766496B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010735169.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种双极晶体管位移损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据不同的偏置电压下深能级瞬态谱中的信号峰变化，判定缺陷信号的类型；根据缺陷信号类型的判定结果，判定双极晶体管的位移损伤敏感区。本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管位移损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。
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公开(公告)号：CN115276860A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210770243.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H04B17/391 , H04B17/40
Abstract: 本发明提供了一种卫星在轨地球辐射带环境量化表征仿真方法及装置，涉及计算机仿真技术领域，仿真方法包括：获取仿真步长和仿真时间，根据仿真步长，遍历仿真时间，获取任一仿真时刻下卫星的空间位置；获取当前拓扑信息或当前用户请求，根据当前拓扑信息或当前用户请求，遍历各个卫星的空间位置，得到各个卫星的通信链路；或获取地球辐射带计算模型的控制参数，根据地球辐射带计算模型的控制参数，遍历各个卫星的空间位置，得到各个卫星所处的地球辐射带粒子通量。本发明实现空间通信卫星星座组网与星间通信链路的实现并且得到各个卫星所处的空间位置的极端带电粒子辐射环境量化协同仿真。
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