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公开(公告)号：CN114940886A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210470448.4
申请日：2022-04-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了纳米氧化铝磨粒、制备方法、应用和含该磨粒的碳化硅抛光液，纳米氧化铝磨粒由含铝氧化剂、含氨基或羧基的有机物燃料、反应溶剂通过溶液燃烧法合成球形的α‑Al2O3，该磨粒按以下制备方法制得：将含铝氧化剂和含氨基或羧基的有机物燃料溶于反应溶剂形成溶液；将溶液转移至坩埚内，将坩埚置于马弗炉内，将马弗炉按10～20℃/min升温速率加热至预定温度，保温，冷却，获得球形α‑Al2O3，碳化硅抛光液由以下重量百分比浓度的组分组成：纳米氧化铝磨粒1～50％、表面活性剂0.05％～5％、氧化剂0.2～10％、pH调节剂0.02％～2％和余量水性介质。本发明具有氧化铝磨粒粒径小，有较好的表面精度，提高抛光效率和精度，氧化铝磨粒制备快速高效节能等优点。
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公开(公告)号：CN114899324A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210351399.2
申请日：2022-04-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种高品质高稳定性钙钛矿层及太阳电池的制备方法，通过调节钙钛矿前驱体溶液的配方种类、比例及添加剂的种类、比例，然后通过真空旋涂、旋涂或刮涂的方法制备无甲胺纯甲脒钙钛矿活性层，解决了由于甲胺的存在，使得钙钛矿在光照或高温的条件下，不稳定而易形成缺陷从而使钙钛矿效率和稳定性大幅损失的问题，从而大幅度提高了钙钛矿太阳电池的效率和稳定性。本发明提供的一种无甲胺掺杂或辅助结晶的纯甲脒钙钛矿太阳电池的制备方法，所涉及的器件结构从下至上分别为透明导电玻璃、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极层，利用本发明，极大地促进了钙钛矿太阳电池的稳定性，为其进一步商业化迈出重要一步。
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公开(公告)号：CN114836821A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110136723.4
申请日：2021-02-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种低位错密度氧化镓体块单晶的生长方法，采用泡生法生长晶体的同时以一定的提拉速度向上提拉籽晶，并且通过对籽晶杆进行降温调节温度阶梯，通过对炉内温度梯度的调节来控制晶体生长速度。本发明通过控制加热功率和对籽晶杆进行降温控制晶体生长的温度梯度，从而控制晶体的生长速度，有利于晶体降低热应力，减小晶体开裂，减少晶体内部缺陷密度，有效提高晶体质量，在整个晶体生长过程中以一定的速度进行提拉来增加温度梯度，有利于控制晶体生长。
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公开(公告)号：CN112071985B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202010772076.1
申请日：2020-08-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种通过界面工程提高钙钛矿太阳能电池全光谱光稳定性的方法，所涉及的器件结构从下至上分别为透明导电玻璃、电子传输层、界面层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极层，通过在电子传输层和钙钛矿活性层之间引入界面层，界面层由富勒烯或富勒烯衍生物与邻菲罗啉衍生物混合组成，邻菲罗啉衍生物与富勒烯或富勒烯衍生物的质量比为1:5～15。界面层阻止电子传输层在光照下催化分解钙钛矿活性层的同时，增强了界面层本身的稳定性，从而大幅度提高了钙钛矿太阳能电池的全光谱光稳定性，并且由于其钝化钙钛矿表面缺陷的作用，电池的能量转换效率也得以提升，迟滞现象得以减缓。本发明方法极大地促进了钙钛矿太阳能电池迈向商业化。
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公开(公告)号：CN114717639A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210631758.X
申请日：2022-06-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种基于光电化学腐蚀工艺定位氧化镓晶片表面缺陷的方法，基于光电化学腐蚀工艺在氧化镓晶片内部产生空穴‑电子对，使得空穴‑电子对中的空穴随能带弯曲移动到所述氧化镓晶片表面；并基于所述氧化镓晶片表面的缺陷区域相较于其他单晶区域的不同空穴活跃度，以及缺陷区域内位错线区域易发生的空穴‑电子对复合导致空穴的不同数量和腐蚀坑区域内位错线的位置分布，在所述氧化镓表面形成选择性腐蚀的腐蚀坑和所述腐蚀坑内对应位错线区域的凸起；使得极大地提高了腐蚀速率，具有高效暴露位错优势，且极大降低了反应危险性、降低了反应成本，具有工业化发展前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114496768A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210338480.7
申请日：2022-04-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/3063 , H01L21/308 , H01L21/04 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及工艺加工领域，具体用于在半导体衬底上形成纳米柱阵列，包括，提供半导体衬底，并在其上形成上涂有光刻胶，之后在光刻胶上光刻形成图案；在制备好后图案上形成掩膜层，通过掩膜层阻止光线的传播；对包含掩膜层的半导体衬底进行电化学刻蚀，且通过控制刻蚀条件得到不同高度的图案，之后除去掩膜层，所述半导体衬底包括碳化硅衬底片或者氮化镓衬底片，半导体衬底的长和宽尺寸均为2‑8英寸，半导体衬底厚度为200‑500微米，光刻方式采用电子束直写技术，图案为纳米柱阵列形状。本发明中通过采用光电化学刻蚀方法，可在晶圆级宽禁带半导体衬底片表面实现直径尺寸和高度可控的纳米柱阵列的大规模制备，流程简单，成品率高。
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公开(公告)号：CN114395804A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210044064.6
申请日：2022-01-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种导电型碳化硅衬底加工方法，涉及半导体加工方法技术领域，包括以下步骤：S1、对碳化硅晶体进行粗加工处理，得到待处理碳化硅基片；S2、将待处理碳化硅基片进行退火处理，并通入保护气体或者工艺气体，其中，退火温度为1800～2400℃，退火时间为30～180min；S3、将经过退火处理后的碳化硅基片进行快速冷却，其中，降温速率为100～350℃/s。相比于现有碳化硅衬底加工方法，其冷却时间一般超过10小时，本申请在碳化硅基片退火之后，采用快冷技术迅速降温，可以在较短时间内完成快速降温，确保更高的离化率，有效降低了导电型碳化硅衬底片的电阻率，提高了导电型碳化硅衬底的质量。
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公开(公告)号：CN114395803A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210038994.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种减少碳化硅籽晶背向升华的粘接结构与粘接方法，包括籽晶托、籽晶与缓冲层，所述籽晶边缘设有环形保护层，所述环形保护层的宽度小于所述缓冲层与所述籽晶托的半径差。采用本发明的籽晶粘接结构，籽晶与坩埚内壁之间不留空隙但却不是直接接触的，籽晶边缘温度不会过高，分解升华的概率大大降低，可以有效抑制碳化硅籽晶的背向分解。本发明在不改变籽晶粘接工艺的情况下，仅改变粘接材料的结构布局，就能有效减少SiC籽晶边缘烧蚀和晶体中空洞缺陷的出现，简单易行，设用于各种籽晶粘接工艺。
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公开(公告)号：CN114371223A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210257835.X
申请日：2022-03-16
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅领域，公开了一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉，所述碳化硅晶体生长检测装置采用兆声发生器产生第一兆声振动信号，利用所述传声棒将所述第一兆声振动信号传送至坩埚盖，进而传送至生长中的碳化硅晶体，使得生长中的碳化硅晶体发生振动，利用激光震动监测器对坩埚盖的振动信号进行检测，就可以获得第二兆声振动信号；根据所述第一兆声振动信号和第二兆声振动信号就可以对碳化硅晶体生长的厚度和质量进行检测。本发明不需要打开碳化硅晶体生长炉即可以对晶体生长的厚度和质量进行检测，当发现问题，可以及时中断生长过程或通过调整生长工艺参数来改善后续的晶体生长质量，避免材料和能源的浪费。
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公开(公告)号：CN114318542A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210245207.X
申请日：2022-03-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，公开了一种保持碳化硅单晶生长温度的方法，包括：对碳化硅单晶生长设备进行建模得到设备模型并对加热实验进行模拟，得到对应每次模拟过程中所述设备模型的碳化硅晶体表面的温度值，计算相邻实验温度值的温度差ΔT；通过碳化硅单晶生长设备进行实际单晶生长，以相应的固定加热功率加热相同所述预定时长直至坩埚盖顶部温度为T1‑ΔT×（i‑1），式中，i=1、2…，从而保持对应的碳化硅晶体表面的温度一致。本发明通过数值模拟计算，通过碳化硅晶体表面温度的变化去校正被测量的坩埚盖表面的温度。从而保证每次实验碳化硅晶体生长的温度一致，从而保证每次生长出来的碳化硅晶体的品质一致。
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