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公开(公告)号：CN103869199B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410136726.8
申请日：2014-04-04
Applicant: 中国空间技术研究院 , 哈尔滨工业大学 , 石家庄天林石无二电子有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决现有的地面实验采用实际空间环境的低剂量率评估电子元器件进行抗辐射能力，导致辐照时间长的问题。本发明所述的采用TCAD软件模拟氢气气氛下的双极型器件电性能及电离辐射缺陷的变化规律，根据氢气气氛中双极型器件内的氧化物电荷与界面态密度，获得氢气浸泡的时间与氢气浓度，通过氢气浸泡、加热，加速双极型器件内部的电离辐射缺陷产生，从而起到加速低剂量率增强效应评价的作用，达到用高温氢气浸泡条件下高剂量率辐照双极型器件与低剂量率条件下辐照双极型器件的辐照时间相比所用的时间短的目的。它可用于航天电子系统中。
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公开(公告)号：CN115203920B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210768380.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种空间环境模型的表征方法，包括：接收任务开始时间、任务结束时间和仿真步长；分别对飞行器模型中的多个轨道计算模型以及多个空间环境模型的参数进行初始化；根据任务开始时间、任务结束时间以及仿真步长，获取仿真时刻，再通过仿真时刻，分别获取每个仿真时刻中飞行器的空间位置数据及每个飞行器在每个空间环境模型下的空间环境量化表征数据；对飞行器在不同所述空间环境模型下的空间环境量化表征数据进行对比分析。本发明提供的空间环境模型的表征方法能够对不同空间环境模型的优劣进行对比，并得到空间环境模型的准确性、适用性和覆盖性等信息，为空间环境模型的工程应用提供重要依据。
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公开(公告)号：CN115203919B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210768336.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种航天器在轨运行状态的显示方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：解析环境文件，将解析后的数据信息存入内存结构中，所述数据信息包括航天器四元数、轨道六根数、原子氧密度、来流方向、光照方向以及经纬高中的一种或几种；创建播放控制组件，利用所述播放控制组件实现航天器在轨运行中迎风面、受晒面和/或运行轨道的显示，其中，所述播放控制组件根据所述内存结构中原始数据的时间设置所述播放控制组件的起止时间范围以实现对显示影像画面的播放控制。与现有技术比较，本发明可达到直观显示航天器在轨运行过程中迎风面、受晒面以及运行轨道的目的，且方法简单，显示准确。
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公开(公告)号：CN115186535B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210759740.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/25 , G06F9/50 , G06F111/08 , G06F113/28
Abstract: 本发明提供了一种航天器表面原子氧或紫外通量的蒙特卡罗模拟方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：创建主线程和子线程，主线程将航天器各运动轨迹点上的随机实验参数统一到本体坐标系后，按照航天器组件结构关系将航天器表面剖分的多个多边形网格单元分成第一结构单元和第二结构单元，并为各个子线程分配模拟任务；每个子线程根据所述模拟任务，得到模拟粒子的位置坐标和相对运动方向，并通过第一结构单元和所述第二结构单元计算每个模拟粒子碰触的多边形网格单元；主线程根据各个子线程的计算结果，得到航天器表面原子氧通量或紫外通量。本发明能够减少蒙特卡罗模拟的时间，提高计算精度和效率。
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公开(公告)号：CN115130305B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210762588.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F9/451 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种基于模拟实际工艺生成单晶硅氧化层的缺陷结构的方法，涉及半导体材料计算模拟技术领域，包括如下步骤：步骤S1：根据实际热氧化工艺的工艺参数，利用缺陷性质仿真模拟软件构建单晶硅氧化层的界面结构；识别并删除所述界面结构空洞中的分子以及真空层中的分子；步骤S2：在需要统计的界面结构的深度范围中截取出独立结构，识别并统计所述独立结构中的结构参数，所述结构参数包括缺陷密度和缺陷类型。本发明通过结构参数掌握该独立结构中的结构特征，有利于准确掌握无序体系的缺陷密度和缺陷类型等重要结构特征，对于建立缺陷等微观结构与宏观制备工艺或半导体器件之间的连接关系具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111863941B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202010735219.1
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/06 , H01L23/552 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射VDMOS器件及其制备方法。所述抗辐射VDMOS器件的制备方法包括：在完成VDMOS器件的源极接触孔刻蚀后，向肼区内多次注入或扩散重金属离子，在所述肼区内形成重金属离子注入或扩散区，且所述重金属离子注入或扩散区的掺杂浓度自远离衬底一侧向靠近所述衬底一侧递减。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入或扩散，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升功率器件的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证VDMOS器件本身的高性能指标。另外，本发明与常规的功率VDMOS器件的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN115128423B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210762660.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种重离子辐照影响β‑Ga2O3MOSFET器件电化学性能的方法，包括：将外延层中掺杂施主Si元素的β‑Ga2O3在室温条件下进行不同注量的重离子辐照；检测重离子辐照前后β‑Ga2O3外延晶片的单斜结构、弯曲振动、拉伸模式光学性质和化学结合状态；对步骤S2中得到的实验数据进行总结，得出重离子辐照β‑Ga2O3外延晶片后产生的点缺陷；将步骤S3中产生的点缺陷引入β‑Ga2O3MOSFET模型中，输出模拟电学性能曲线。本发明通过将β‑Ga2O3外延晶片的辐照研究与β‑Ga2O3MOSFET器件的模拟研究进行结合，对β‑Ga2O3MOSFET器件抗辐射机理研究产生了显著的效果。
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公开(公告)号：CN117973291A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311603904.9
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于diode模型的二极管模型参数自动化检查方法，涉及二极管模型的技术领域。所述自动化检查方法包括：读取模型参数文件内容；检查所述模型参数的完备性；将所述模型参数带入二极管模型公式，计算获得IV曲线；检查所述IV曲线趋势。对提取出的模型参数进行详尽而细致的检查，可以及时发现并修正模型参数中存在的问题，保证模型质量，为器件性能仿真提供准确的模型库。在二极管模型确定后，使得取得的仿真结果的准确性和可靠性得到大幅度提升。
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公开(公告)号：CN117725870A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311603779.1
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种用于HTB器件的Vbic模型特征参数的提取方法，双极型晶体管器件的技术领域。所述的提取方法包括：对模型公式进行一般性表述，对于所有非PDE的模型，使用模型公式M表达；对模型公式M的所有参数进行初值的假设，并对公式集进行敏感度评估；基于敏感度评估，挑选出权重大于设定范围的参数；基于权重大于设定范围的参数，进行求解。
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公开(公告)号：CN117540688A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311610560.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种电子器件的位移辐射效应仿真方法，涉及电子器件辐射效应仿真技术领域。所述仿真方法包括：器件结构构建；初始网格区域划分；电学特性解向量设置；解方程组得到各点解。从而提出一种高效准确的电子器件位移损伤仿真方法，为电子器件的空间应用提供技术支撑，解决了解决现有技术无法探索高效准确的电子器件位移损伤仿真方法的技术问题。
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