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公开(公告)号：CN115295065B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211224306.6
申请日：2022-10-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及超大规模集成电路可测性设计领域，公开了一种基于灵活可配置模块的芯粒测试电路，电路核心结构位于中介层，包括灵活可配置模块FCM、控制信号配置模块和测试状态控制模块；FCM采用双路斜对称结构，实现水平方向及垂直方向的数据传输；控制信号配置模块连接所有FCM的控制信号，控制着所有FCM的数据传输方向以及导通和截断状态；测试状态控制模块控制着FCM和控制信号配置模块内部数据的移位和更新操作。本发明可满足多种场景芯粒的测试需求，实现对原有DFT测试逻辑的复用，满足芯粒即插即用的策略，提升测试的灵活性和可控性。
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公开(公告)号：CN110212914B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910653701.8
申请日：2019-07-18
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明提供一种基于多阶桥接电容阵列的数控振荡器，包括负阻模块、电感L和多阶桥接电容阵列，负阻模块包括PMOS晶体管Mp和NMOS晶体管Mn，负阻模块的正端口连接电感L的上端，负阻模块的负端口接电感L的下端；负阻模块的正端口分别接PMOS晶体管Mp的栅极与NMOS晶体管Mn的漏极，负阻模块的负端口分别接PMOS晶体管Mp的漏极与NMOS晶体管Mn的栅极；PMOS晶体管Mp的源极接电源，NMOS晶体管Mn的源极接地；电感L与多阶桥接电容阵列并联；本发明通过改变振荡器开关电容调谐模块的结构，在原来频率分辨率的基础上，使得频率分辨率提高为原来的几百倍，从而获得更高精度的频率分辨率，同时具有较高的线性度、频率稳定度。
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公开(公告)号：CN115172363A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210943666.5
申请日：2022-08-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种共聚物有机场效应晶体管在多模态功率集成电路中的应用，通过利用共聚物有机场效应晶体管来搭建制造有机半导体多模态功率集成电路，该多模态控制电路能够通过改变栅极偏压实现器件N型/P型极性的转化，仅需要改变外接栅极信号就可以实现H桥、单级放大器以及反相器的切换，并且该电路制造工艺简单，集成度更高，散热低，成本低廉，绿色环保，不会造成更多污染。
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公开(公告)号：CN113193047B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110351283.4
申请日：2021-03-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/51
Abstract: 本申请涉及一种不同厚度铁电层的负电容场效应晶体管及制备方法。该晶体管包括：衬底、埋氧化层、基于顶层形成的源区、基于顶层形成的漏区、基于顶层形成的全耗尽或部分耗尽的沟道、侧墙，以及源区漏区之间通过侧墙隔离的栅氧化层、负电容铁电层、金属层，其特征在于：所述负电容铁电层的厚度由源区至漏区方向不同，使得栅极不同厚度的负电容铁电层对栅极电压放大作用呈线性放大，对栅极电压放大作用具有更好的控制能力，同时不同厚度铁电层的负电容场效应晶体管在相同的栅压下具有更高的饱和区电流以及更低的亚阈值斜率，因此提升了晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN114582962B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210462372.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种可变沟道AlGaN/GaN HEMT结构及制备方法，通过在衬底层上生长缓冲层；在缓冲层之上再生长多沟道层，即两层及以上的AlGaN/GaN异质结叠层；再对多沟道层进行选择性刻蚀，形成阶梯多沟道层；再在器件表面淀积介质钝化层，并进行化学物理抛光，形成阶梯钝化层和顶部钝化层；最后通过微纳加工工艺制备器件的金属电极，获得可变多沟道AlGaN/GaN HEMT结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114300616A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202210004021.5
申请日：2022-01-05
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于共聚物有机半导体的集成功率器件，通过借助栅极和漏极之间引入一个二维载流子减速区结构，降低双极导通中载流子在减速区中的速度，从而降低载流子在有机分子之间跃迁的几率，抑制共聚物有机半导体中的载流子倍增效应，显著增加了共聚物有机半导体器件的耐压性能，提高了击穿电压。在实际制造过程中，仅源漏电极和栅极需要热蒸发沉积或磁控溅射，共聚物有机半导体层和有机栅介质层均可通过旋涂方式制备，简化了工艺流程，制备简单，成本低廉。作为半导体层的共聚物有机半导体材料与作为栅介质层的有机介质材料在高温下分解为水和二氧化碳，栅介质层材料与共聚物半导体材料无毒无害，绿色环保，不造成环境二次污染。
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公开(公告)号：CN114284353A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111483792.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本申请涉及一种三向双负电容鳍式场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括：包括半导体衬底，覆盖于半导体衬底上表面的埋氧层，位于埋氧层上方的鳍式有源区，鳍式有源区包括源区、沟道区和漏区，鳍式有源区的源区和漏区之间的沟道区的上表面和第一方向上的左右两个侧表面覆盖了栅氧化层，栅氧化层上覆盖三向双负电容层，三向双负电容层由第一负电容材料和第二负电容材料形成，三向双负电容层上覆盖了金属层，三向双负电容层由第一负电容材料和第二负电容材料组成，第一负电容材料和第二负电容材料对栅极电压的放大效果不同，可以实现可变的电压放大效果，从而降低晶体管的功耗并提升晶体管性能，同时有效抑制短沟道效应。
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公开(公告)号：CN113746464A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111035555.6
申请日：2021-09-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种LDMOS性能优化的自适应衬底电压调节电路，通过电压比较器和单输入双输出直流稳压电源转换器控制LDMOS关态和开态的衬底电压，在提高关态击穿电压的同时保证开态性能不变，改善了两者的折衷关系。在实际制造过程中，采用常规的CMOS工艺就可以实现该技术，无需增加额外掩模版和工艺流程，制备简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN113193047A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110351283.4
申请日：2021-03-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/51
Abstract: 本申请涉及一种不同厚度铁电层的负电容场效应晶体管及制备方法。该晶体管包括：衬底、埋氧化层、基于顶层形成的源区、基于顶层形成的漏区、基于顶层形成的全耗尽或部分耗尽的沟道、侧墙，以及源区漏区之间通过侧墙隔离的栅氧化层、负电容铁电层、金属层，其特征在于：所述负电容铁电层的厚度由源区至漏区方向不同，使得栅极不同厚度的负电容铁电层对栅极电压放大作用呈线性放大，对栅极电压放大作用具有更好的控制能力，同时不同厚度铁电层的负电容场效应晶体管在相同的栅压下具有更高的饱和区电流以及更低的亚阈值斜率，因此提升了晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN113097308A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110351306.1
申请日：2021-03-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/51
Abstract: 本申请涉及一种不同材料铁电层的负电容场效应晶体管及制备方法。该晶体管包括：衬底、埋氧化层、基于顶层形成的源区、基于顶层形成的漏区、基于顶层形成的全耗尽或部分耗尽的沟道、侧墙，以及源区漏区之间通过侧墙隔离的栅氧化层、负电容铁电层、金属层，其特征在于：所述负电容铁电层由第一铁电层和第二铁电层拼接而成，所述第一铁电层和所述第二铁电层的铁电材料不同，使得栅极不同材料的负电容铁电层对栅极电压放大作用呈线性放大，对栅极电压放大作用具有更好的控制能力，同时不同材料铁电层的负电容场效应晶体管在相同的栅压下具有更高的饱和区电流以及更低的亚阈值斜率，亚阈值斜率可以低于理论极限值60mV/dec，因此提升了晶体管的性能。
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