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公开(公告)号：CN105096792B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201410197747.0
申请日：2014-05-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/20 , G09G3/36 , G09G3/3208 , G09G3/34 , G11C19/28
CPC classification number: G05F1/625 , G09G3/20 , G09G3/2092 , G09G2300/0408 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , G09G2310/0289 , G09G2310/08 , G09G2330/021 , G11C19/184
Abstract: 本申请公开了一种自适应电压源，包括：信号输出端以及用于串联在电压源和低电平之间的参考电阻形成电路和感应模块。感应模块包括感应端，感应端用于耦合至待感应晶体管，用于感应设备电路中待感应晶体管的阈值电压漂移；感应模块的等效电阻随感应到的阈值电压漂移增大而增大。信号输出端耦合至参考电阻形成电路和感应模块耦合的第一节点，用于输出自适应电压。通过感应模块感应到的阈值电压漂移，从而调整输出的自适应电压。基于该电路，本申请还公开了一种移位寄存器及其单元以及显示器。
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公开(公告)号：CN104700789B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201310664668.1
申请日：2013-12-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种移位寄存器、栅极驱动电路单元、栅极驱动电路及显示器。本申请中的栅极驱动电路由多级级联的栅极驱动电路单元组成，栅极驱动电路单元包括多级级联的移位寄存器，多个移位寄存器共用下拉模块，减少了电路中晶体管的使用数目，提高了电路良率。本申请的栅极驱动电路可用于驱动显示面板，由于电路中晶体管的数目少，电路所占的体积小，有利于制成窄边框的显示器，同时降低了成本，提高了电路良率，增强了显示器的稳定性。
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公开(公告)号：CN104795013B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201510175217.0
申请日：2015-04-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/20 , G09G3/2092 , G09G2310/0286 , G09G2310/08
Abstract: 提供一种移位寄存器及其单元，其中，低电平维持模块包括第一维持单元和第二维持单元，分别用于在获得有效电平时将驱动模块的信号输出端和/或控制端维持在低电平。在第一维持单元和第二维持单元之间连接有阈值电压感应模块，阈值电压感应模块根据感应到第一维持单元的阈值漂移电压控制其信号输出端向第二维持使能端提供有效电平。从而能够提高低电平维持模块所能忍受的阈值电压漂移，继而可以延长电路的工作寿命。还公开了一种显示器和一种电压调节电路。
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公开(公告)号：CN104680968B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201310616783.1
申请日：2013-11-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/3225
Abstract: 本申请公开了一种像素电路及其显示装置和一种像素电路驱动方法。在数据输入阶段，通过第四晶体管将数据线上的数据电压信号转换成编程电流信号，并在驱动晶体管的控制极和第二极之间形成编程电压，将该编程电压存储于存储电容中；在发光阶段，编程电压导通驱动晶体管，并形成与编程电流相同的驱动电流，从而驱动发光元件。驱动电流的大小与驱动晶体管的阈值电压，迁移率以及发光元件的阈值电压无关，保证了补偿的精确性和高速性。此外，本申请电路结构简单，可以有效增加像素的开口率，提高面板的成品率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104157687B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410392305.1
申请日：2014-08-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种结合垂直沟道、异类杂质分凝和肖特基势垒源/漏结构的环栅场效应晶体管，包括一个垂直方向的环状半导体沟道，一个环状栅电极，一个环状栅介质层，一个源区，一个杂质分凝区，一个漏区，一个杂质分凝区，一个半导体衬底；其中，源区位于垂直沟道的底部，与衬底相接，杂质分凝区介于源区与垂直沟道之间；漏区位于垂直沟道的顶部，杂质分凝区介于漏区与垂直沟道之间；栅介质层和栅电极呈环状围绕住垂直沟道；源区和漏区分别与沟道形成肖特基接触；所述杂质分凝区和杂质分凝区的杂质选自异类材质，即：杂质分凝区的杂质选自于p型材料时，杂质分凝区的杂质选自于n型材料；杂质分凝区的杂质选自于n型材料时，杂质分凝区的杂质选自于p型材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104715724B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510133524.2
申请日：2015-03-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/3258
CPC classification number: G09G3/32
Abstract: 提供一种像素电路，在驱动晶体管的控制极和一个导通电极之间连接第二晶体管来形成二极管接法的拓扑结构，利用这种电路结构并配合存储电容，在当前行选通时提取驱动晶体管的阈值电压和灰度有关的数据电压信息并存储于存储电容上，从而补偿了驱动晶体管的阈值电压，增加了显示器的对比度。还公开了一种像素电路驱动方法及显示装置。
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公开(公告)号：CN104700764B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410727287.8
申请日：2014-12-03
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/20
Abstract: 提供一种多路分配器，包括数据信号输入端，和数据的多条分配支路，以及时分的输出数据信号。分配支路包括：用于通过开关状态分时地改变数据信号传输路径的传输模块；用于响应控制信号给状态控制节点充电或者放电以切换开关状态的输入模块；用于响应自举信号抬举控制节点电平的自举模块。由于自举模块的抬举作用，状态控制节点的状态能够快速地得到调整，并且能够快速抬至高电平，使得传输模块的开关状态得以快速切换，降低数据传输的延迟时间，并减少信号传输的损失。
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公开(公告)号：CN104201205B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410427814.3
申请日：2014-08-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种结合垂直沟道、芯‑壳结构和无结结构的环栅场效应晶体管，包括：垂直方向的环状半导体芯，垂直方向的环状半导体壳，环状栅电极，环状栅介质层，芯源区，芯漏区，壳源区，壳漏区，半导体衬底；其中，芯源区位于垂直芯沟道的底部，与衬底相接，芯漏区位于垂直芯沟道的顶部；壳源区位于垂直壳沟道的底部，与衬底相接，壳漏区位于垂直壳沟道的顶部；壳沟道呈环状围绕住芯沟道；壳沟道外环绕着栅介质层；栅介质层外环绕着栅电极。本发明利用源漏沟道相同掺杂极大地降低了热预算消除了杂质扩散和突变结的形成问题、简化了工艺要求，利用锗芯增大了驱动电流，并利用垂直沟道、环形栅结构突破了集成加工光刻极限限制，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN104332127B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201310629196.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示器，其中移位寄存器单元包括：第一时钟信号输入端、第一脉冲信号输入端、信号输出端、低电平端、工作模块和维持模块。其中，维持模块包括低电平维持单元和双极性脉冲产生单元，通过电容耦合效应与电压馈通效应，使低电平维持单元的关键晶体管处于幅值变化的正、负双极性脉冲偏置之下，抑制了晶体管的阈值电压漂移。本申请具有工作寿命长、结构精简、成品率高，适用范围广等优点。
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公开(公告)号：CN104318883B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410531526.2
申请日：2014-10-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种移位寄存器，包括级联的至少一个移位寄存器单元，移位寄存器单元包括：驱动模块、输入模块、低电平维持模块和阈值电压补偿模块。其中，阈值电压补偿模块包括镜像管、第一开关管和第二开关管，第一开关管响应第二信号导通,对低电平维持使能端进行充电，第二开关管响应第三信号的有效电平导通，通过镜像管提取低电平维持模块中低电平维持晶体管的阈值电压并反馈到低电平维持使能端，依据感应的阈值电压调整输出给低电平维持使能端的供电电压，从而能够补偿低电平维持晶体管的阈值电压漂移，延长了电路的寿命。本申请还公开了一种显示器和一种阈值电压补偿电路。
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