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公开(公告)号:CN108540014B
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201810457579.2
申请日:2018-05-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明提供一种低频柔性能量采集器和自供能运动计数器,所述低频柔性能量采集器包括:柔性衬底;支撑块,所述支撑块位于所述柔性衬底上;悬臂梁,所述悬臂梁的第一端固定于所述支撑块上,所述悬臂梁的第二端为自由端;压电薄膜,所述压电薄膜位于所述悬臂梁的上表面;以及永磁体,所述永磁体位于所述悬臂梁自由端下方的所述柔性衬底上;其中,所述悬臂梁自由端与所述永磁体之间设有预设间距。通过本发明提供的低频柔性能量采集器和自供能运动计数器,解决了现有可穿戴能量采集器在低频运动条件下发电效率低并且供电不稳定的问题。
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公开(公告)号:CN110804650A
公开(公告)日:2020-02-18
申请号:CN201911031703.X
申请日:2019-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C12Q1/6851 , C12M1/38 , C12M1/36 , C12M1/00
Abstract: 本发明公开了一种循环式数字PCR方法、循环系统、数字PCR芯片及其制备方法,该数字PCR方法包括以下步骤:S1.将经过进样处理的数字PCR芯片放置于循环系统的反应室中;S2.排空反应室内的空气,对循环系统进行加压处理;S3.启动循环系统进行PCR反应;S4.对PCR反应后的循环系统进行减压;S5.将反应室中的数字PCR芯片取出,对数字PCR芯片进行荧光信号分析。本发明芯片进样不依赖泵、阀等复杂设备,也不需使用高粘度热聚合分离油,进样完成后芯片不需要密封,操作简单;芯片厚度小,导热快,反应迅速;恒温储液箱体积大,热交换迅速,能够快速加热或冷却芯片,温度控制好,没有温度过冲;芯片结构简单,成本低。
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公开(公告)号:CN110627014A
公开(公告)日:2019-12-31
申请号:CN201910888537.9
申请日:2019-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种在衬底上制作悬浮红外热堆的方法,所述方法包括:在衬底中形成侧壁保护层;形成纵向腐蚀引导层和侧向腐蚀引导层;淀积牺牲层;制作热偶层及吸收膜层;淀积热偶保护层,刻蚀形成腐蚀孔,通过腐蚀孔去除侧向腐蚀引导层、纵向腐蚀引导层及衬底,形成隔热空腔;去除热偶保护层,淀积引线绝缘层,刻蚀引线绝缘层形成接触孔,再形成金属引线;去除牺牲层及部分引线绝缘层,获得悬浮红外热堆。本发明采用单面加工工艺,可用于实现微传感器与集成电路的单片集成,有利于小尺寸、低成本、大批量生产。另外,本发明的方法可突破晶向的限制实现更深的隔热空腔的制备,大大提高器件的红外传感性能,并且利用牺牲层增强结构强度,提高生产良率。
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公开(公告)号:CN110568221A
公开(公告)日:2019-12-13
申请号:CN201910757111.X
申请日:2019-08-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种加速度计灵敏度的测试装置,包括金属框架,该金属框架的顶端设有固定滑环,细线穿过所述固定滑环,且细线的一端通过一微环与一金属杆的顶端连接,所述金属杆的中部加工有一凹口,所述凹口上安装有待测加速度计和应变计,待测加速度计和应变计与放大器相连,放大器与计算机相连。本发明还提供一种测试方法。本发明的测试装置基于应变计和自由落杆冲击法,设备便于操作,使用方便,且速度可以较为准确得到,将显著提高加速度计灵敏度的测试精度;此外,由于本发明的冲击型加速度计灵敏度的测试装置的凹口加工于金属杆的中部而非两自由端处,因此更适合于平面粘贴型的加速度计的安装与测试,或扁平型加速度计的安装测试。
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公开(公告)号:CN107328449B
公开(公告)日:2019-08-30
申请号:CN201710548160.3
申请日:2017-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01F1/688
Abstract: 本发明提供一种热电堆式气体流量传感器及其制备方法,结构包括:衬底,具有一凹槽,开设于衬底上表面;第一介质膜,覆盖于凹槽上方,与衬底相连接,且与衬底共同围成一个隔热腔体;加热元件,位于第一介质膜表面;至少两个感测元件,位于第一介质膜上,且设置于加热元件两侧,包括至少一组单晶硅‑金属热偶对组,单晶硅‑金属热偶对组包括若干个单晶硅‑金属热偶对。通过上述方案结合本发明的单硅片单面制作技术,在普通单晶硅片上加工出赛贝克系数最高的P型单晶硅‑金热偶对,并将热偶对以及加热元件通过隔热腔体与衬底隔离,最大程度降低了加热电阻的热耗散,提高了传感器的检测灵敏度。此外,本发明传感器尺寸小、成本低、适于大批量生产。
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公开(公告)号:CN110040682A
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:CN201910318111.X
申请日:2019-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高灵敏度加速度传感器结构的制备方法,包括:提供衬底;于衬底正面进行硼离子注入;于衬底的正面及背面依次形成第一氧化硅层及低应力氮化硅层;于衬底的正面形成释放窗口;形成深槽;形成内部刻蚀缓冲腔体;于释放窗口的侧壁、内部刻蚀缓冲腔体的侧壁及内部刻蚀缓冲腔体的上下表面形成低应力多晶硅层;于低应力多晶硅层表面形成氧化硅钝化层;于衬底的背面形成沟槽;去除位于内部刻蚀缓冲腔体底部的氧化硅钝化层;于衬底的正面制备引线孔、金属引线及焊盘;提供键合衬底,将键合衬底键合于所述衬底的背面;释放悬臂梁及质量块。本发明可以避免对悬臂梁过刻蚀,从而可以确保任意尺寸悬臂梁的厚度的可控性及均匀性。
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公开(公告)号:CN110040678A
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:CN201910313786.5
申请日:2019-04-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微传感器及其制备方法,微传感器包括:衬底,衬底的上表面形成有凹槽;热匀散结构层,悬置于凹槽的上方;支撑梁,位于凹槽的上方,且位于热匀散结构层与凹槽的侧壁之间;支撑梁一端与热匀散结构层相连接,另一端与衬底相连接;主体支撑层,至少位于热匀散结构层的上表面;限定环,位于主体支撑层的下表面,且位于热匀散结构层的外围;测试电极,位于主体支撑层的上表面;加热元件,位于主体支撑层的上表面;焊盘,位于衬底的上表面上,且位于凹槽的外侧。本发明的微传感器中加热元件下方设有热匀散结构,增强加热区域的散热能力,使得加热区域的温度均匀性好;加热元件与测试电极之间绝缘隔离,可以避免漏电,确保微传感器的性能。
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公开(公告)号:CN106915723B
公开(公告)日:2019-02-22
申请号:CN201510998013.7
申请日:2015-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于激光结合各向异性腐蚀的梁‑质量块结构的制备方法,包括以下步骤:1)提供(111)硅片;2)采用激光加工工艺在所述(111)硅片背面形成第一深槽;3)在所述(111)硅片正面形成第二深槽;4)在所述(111)硅片表面、所述第一深槽及所述第二深槽侧面及底部形成第一氧化层;5)在所述(111)硅片正面形成第三深槽;6)在所述第一氧化层表面及所述第三深槽的侧面及底部形成第二氧化层;7)采用反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺释放梁。采用激光加工工艺结合反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺形成梁‑质量块结构,可降低整个工艺的成本;梁结构的厚度由从(111)硅片正面进行的深反应离子刻蚀决定,工艺精度高。
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公开(公告)号:CN105785073B
公开(公告)日:2019-02-22
申请号:CN201410815643.1
申请日:2014-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明提供一种压阻式加速度传感器及其制作方法,该传感器的改进点在于敏感结构部分,敏感结构中的质量块左右两侧对称设有相互独立的各四个敏感梁,每个敏感梁上设一个力敏电阻;四个敏感梁的两侧各设一个用于支撑质量块的支撑梁,将力敏电阻制作在独立的敏感梁上可减小敏感梁的宽度,从而显著减小敏感梁对结构倔强系数的影响,获得高灵敏度和高优值;敏感梁靠近质量块中线位置,其挠曲较小,可减小旁轴灵敏度。支撑梁靠近质量块边缘,其力臂长,可更好地抑制旁轴加速度引起的质量块扭转。支撑梁上表面较低,表面无氧化层,可减小氧化层应力引起的结构挠曲。敏感梁厚度大于支撑梁,可实现应力集中,从而提高灵敏度和优值。
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公开(公告)号:CN108896458A
公开(公告)日:2018-11-27
申请号:CN201810480421.7
申请日:2018-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N15/06
Abstract: 本发明提供一种微传感器、制备及其使用方法,通过微传感器的进气口及位于空腔内部的具有特定间隙大小的微过滤栅,能够筛选并捕获待测气体中特定直径范围内的微颗粒物,并通过谐振式微悬臂梁测量捕获的微颗粒物的质量,从而获得微颗粒物浓度等环境信息;设备体积小,便于现场分析、适用范围广,能有效捕获待测气体中微米级及亚微米级杂质微粒。
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