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公开(公告)号：CN110627014A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910888537.9
申请日：2019-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种在衬底上制作悬浮红外热堆的方法，所述方法包括：在衬底中形成侧壁保护层；形成纵向腐蚀引导层和侧向腐蚀引导层；淀积牺牲层；制作热偶层及吸收膜层；淀积热偶保护层，刻蚀形成腐蚀孔，通过腐蚀孔去除侧向腐蚀引导层、纵向腐蚀引导层及衬底，形成隔热空腔；去除热偶保护层，淀积引线绝缘层，刻蚀引线绝缘层形成接触孔，再形成金属引线；去除牺牲层及部分引线绝缘层，获得悬浮红外热堆。本发明采用单面加工工艺，可用于实现微传感器与集成电路的单片集成，有利于小尺寸、低成本、大批量生产。另外，本发明的方法可突破晶向的限制实现更深的隔热空腔的制备，大大提高器件的红外传感性能，并且利用牺牲层增强结构强度，提高生产良率。
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公开(公告)号：CN110627014B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201910888537.9
申请日：2019-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种在衬底上制作悬浮红外热堆的方法，所述方法包括：在衬底中形成侧壁保护层；形成纵向腐蚀引导层和侧向腐蚀引导层；淀积牺牲层；制作热偶层及吸收膜层；淀积热偶保护层，刻蚀形成腐蚀孔，通过腐蚀孔去除侧向腐蚀引导层、纵向腐蚀引导层及衬底，形成隔热空腔；去除热偶保护层，淀积引线绝缘层，刻蚀引线绝缘层形成接触孔，再形成金属引线；去除牺牲层及部分引线绝缘层，获得悬浮红外热堆。本发明采用单面加工工艺，可用于实现微传感器与集成电路的单片集成，有利于小尺寸、低成本、大批量生产。另外，本发明的方法可突破晶向的限制实现更深的隔热空腔的制备，大大提高器件的红外传感性能，并且利用牺牲层增强结构强度，提高生产良率。
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公开(公告)号：CN110577188A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910887562.5
申请日：2019-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种在衬底上制作悬浮红外热堆的方法，所述方法包括：在衬底表面形成侧向腐蚀引导层；淀积牺牲层；制作热偶层及吸收膜层；淀积热偶保护层，刻蚀形成腐蚀孔，通过腐蚀孔去除侧向腐蚀引导层、纵向腐蚀引导层及衬底，形成隔热空腔；去除热偶保护层，淀积引线绝缘层，刻蚀引线绝缘层形成接触孔，再形成金属引线；去除牺牲层及部分引线绝缘层，获得悬浮红外热堆。本发明采用单面加工工艺，可用于实现微传感器与集成电路的单片集成，有利于小尺寸、低成本、大批量生产。另外，利用牺牲层增强结构强度，提高生产良率。
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公开(公告)号：CN110577188B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910887562.5
申请日：2019-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种在衬底上制作悬浮红外热堆的方法，所述方法包括：在衬底表面形成侧向腐蚀引导层；淀积牺牲层；制作热偶层及吸收膜层；淀积热偶保护层，刻蚀形成腐蚀孔，通过腐蚀孔去除侧向腐蚀引导层、纵向腐蚀引导层及衬底，形成隔热空腔；去除热偶保护层，淀积引线绝缘层，刻蚀引线绝缘层形成接触孔，再形成金属引线；去除牺牲层及部分引线绝缘层，获得悬浮红外热堆。本发明采用单面加工工艺，可用于实现微传感器与集成电路的单片集成，有利于小尺寸、低成本、大批量生产。另外，利用牺牲层增强结构强度，提高生产良率。
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