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公开(公告)号：CN116002634A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211709768.7
申请日：2022-12-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及立方偏转结构聚合氮及其制备方法和应用。其中，立方偏转结构聚合氮的制备方法，包括以下步骤：提供金刚石对顶砧样品腔；向金刚石对顶砧样品腔中填充玻璃碳，然后降温至‑148℃以下，继续填充液氮，然后加压至100GPa以上，并加热至2100K以上，最后泄压至常压以及降温至常温，得到封装在金刚石中的立方偏转结构聚合氮。本发明制备方法制备的立方偏转结构聚合氮可实现在常温常压下稳定保存，且保存时间长。
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公开(公告)号：CN115939239A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211484902.8
申请日：2022-11-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18 , G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种具有荧光监测的非易失性的光电神经突触器件，包括：栅电极、介电层、二维层状薄膜、源电极、漏电极和半导体硅量子点，其中：介电层位于栅电极上，二维层状薄膜位于介电层上，源电极、漏电极和半导体硅量子点薄膜均位于二维层状薄膜上，其中，半导体硅量子点薄膜将源电极和漏电极隔开；当外部光照射到半导体硅量子点薄膜时，从所述半导体硅量子点薄膜发出荧光监测信号，撤除外部光照射后，基于二维层状薄膜电导的变化实现所述光电神经突触器件突触权重变化的非易失性。该器件在光的刺激下能够较为容易的同时实现荧光效应和非易失性光电流。本发明还公开了该器件的制备方法。制备方法简单、高效。
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公开(公告)号：CN115895647A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211217177.8
申请日：2022-10-01
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺铒硅纳米材料，所述掺铒硅纳米材料包含硅元素、铒元素、氧元素，其中，硅元素以纳米硅的形式存在，所述铒元素以Er3+形态存在于所述纳米硅的晶格内且具有光学活性，所述纳米硅为金刚石结构，所述纳米硅（111）晶面的晶面间距为0.315～0.320 nm；所述掺铒硅纳米材料的掺Er3+浓度≥1018 cm‑3，并发出中心波长为1540 nm附近波长的光。此外，Er3+发光的温度淬灭指数≤30%。该掺铒硅纳米材料通过非热等离子体法（non‑thermal plasma）制备。本发明制得的掺铒硅纳米材料同时实现了低温度淬灭指数和高发光强度，对于实现硅基光电集成中的硅基光源具有重大意义。
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公开(公告)号：CN115799061A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310029856.0
申请日：2023-01-09
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供了一种SiC晶圆切割片加工方法及SiC晶圆切割片加工装置，所述SiC晶圆切割片加工方法对SiC切割片具有切割损伤层的表面先进行氯基气体等离子体刻蚀，再对氯基气体等离子体刻蚀完的SiC切割片表面进行氟基气体等离子体刻蚀，并对氟基气体等离子体刻蚀完的SiC切割片表面进行精抛并进行清洗，不需要对SiC切割片具有切割损伤层的表面进行研磨、粗抛处理，后续直接进行精抛，不仅省却了两步研磨抛光工艺，更省却了研磨抛光后的多步清洗步骤，能有效减少清洗流程化学试剂用量，实现了SiC切割片同步刻蚀均匀去除的效果，对工业化生产提高加工效率具有指导意义。
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公开(公告)号：CN115714146A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211236162.6
申请日：2022-10-10
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0288 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C14/16 , C23C14/26 , C23C14/35 , C23C14/58
Abstract: 本发明公开了一种锌超掺杂硅的制备方法，包括清洗硅衬底，采用真空热蒸发或真空磁控溅射方法在清洗后的硅衬底表面蒸镀或溅射锌薄膜；采用飞秒激光对锌薄膜表面进行扫描式辐射得到锌超掺杂。该制备方法简单、高效，本发明还提供了利用该方法制备的锌超掺杂硅材料，该锌超掺杂硅材料具有较高的锌掺杂浓度和较好的光吸收率，本发明还提供了将该锌超掺杂硅材料在制备光伏型红外探测器上的应用，制备得到的红外探测器具有较好的光响应性。
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公开(公告)号：CN113781487B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202111345465.7
申请日：2021-11-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆表面复合速率图像生成方法、系统及存储介质，涉及碳化硅的技术领域，利用光致发光成像仪器获得碳化硅晶圆的PL图像，再利用少数载流子连续性方程、碳化硅晶圆前表面复合速率方程、碳化硅晶圆后表面复合速率方程、以及PL信号强度方程，通过计算机数值计算解偏微分方程得到碳化硅晶圆表面复合速率与PL信号强度的函数关系，再根据所述函数关系与所述PL图像得到碳化硅晶圆的表面复合速率图像。本发明通过光致发光成像仪器，相比微波成像的方法速度更快，同时可直接获得碳化硅晶圆的表面复合速率图像，而不是等效少数载流子寿命图像，表征结果更精确。
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公开(公告)号：CN115404549A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210879232.3
申请日：2022-07-25
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种PVT法生长低阻p型4H‑SiC的方法，属于半导体材料领域。本申请主要是采用低温低压(生长温1600℃～1800℃，生长压强约10‑3Pa)生长限制SiC的生长速度小于100μm/h，此时可确保4H‑SiC在Si面生长。并且由于p型杂质Al是占据SiC中Si原子的晶格点位置，所以Al在(0001)Si面的掺杂浓度比在面的高。本申请所制备的p型4H‑SiC电阻率可降低至30mΩcm。
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公开(公告)号：CN114150382B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202111490843.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶片制造领域，公开了一种基于光刻蚀的n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供n型碳化硅晶锭和金属催化剂，n型碳化硅晶锭的表面镀有导电材料层，将导电材料层和金属催化剂形成电路短路后浸泡入刻蚀液中，采用特定波长的入射光进行照射，入射光照射在晶锭内部的非晶层表面，在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，光生电子沿电路富集于金属催化剂上，刻蚀液对具有光生空穴的非晶层表面进行刻蚀，得到n型碳化硅单晶片；本发明在光电压作用下，非晶层表面导带中的光生电子沿外电路富集于金属催化剂上，而非晶层表面价带中留下的光生空穴则在刻蚀液的参与下对非晶层进行刻蚀，所得单晶片表面无应力残余。
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公开(公告)号：CN110444644B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201910683206.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种增强硅基铒掺杂ZnO薄膜电致发光的器件及制备方法，属于硅基光电子技术领域。所述器件，包括硅衬底，硅衬底正面依次设有发光层、透明电极层，硅衬底背面设有欧姆接触电极，所述硅衬底表面具有氧化硅层，所述发光层为锆、铒共掺杂的ZnO薄膜。本发明在带有～10nm SiOx层的n+型硅片表面沉积锆、铒共掺杂ZnO薄膜，进而制备的电致发光器件有且仅有Er3+离子在可见和红外区的特征发光峰，相比于不掺锆只单掺Er的电致发光器件，本发明提出的共掺锆、铒器件的电致发光强度要增强5倍以上，增强方式简单便捷易操作，而且制备器件所用的方法与现行硅基CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN115142123A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210551272.5
申请日：2022-05-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种掺锗改善碳化硅单晶衬底面型参数的方法，在物理气相传输法(PVT)生长碳化硅单晶过程中掺入非电活性的锗杂质，锗杂质会钉扎硅核心不全位错，通过位错钉扎效应阻止Si核心不全位错的滑移，抑制单晶衬底在加工过程中的机械应力下的滑移，以实现改善碳化硅单晶衬底面型参数的目的。同时，为了控制生长初期锗的高蒸汽压，防止锗原子在生长表面的团簇效应，并保证生长过程中锗源的持续供应，实现晶体生长过程中的均匀掺杂，本发明使用锗烷(GeH4)气体作为锗的掺杂源，在PVT单晶生长的同时，向生长腔内稳定、均匀地通GeH4气体以实现以上目的。
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