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公开(公告)号：CN219577049U
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202320503467.2
申请日：2023-03-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型提供的一种动态元件匹配装置，加法器连接NS SAR ADC的输出端口以及触发器的输出端口，触发器对加法器的输出信号进行触发延迟，获取移位指针，输出译码单元对NS SAR ADC各个周期输出信号进行译码，移位寄存单元利用移位指针对译码信号进行循环移位，这样的电路连接关系，使得每个周期的移位指针均蕴含有NS SAR ADC上一周期的输出信号的信息，经多个周期的修改变动后，DAC电容阵列的失配误差被有效地整形，大大提高电容动态匹配的性能；在对DAC电容阵列进行逻辑选择方面，利用结构简单的输出译码单元代替结构复杂的二进制转温度计码器实现权重位轮换，无需为每个电容设置1个缓冲模块，避免硬件结构指数性增长的，大大降低硬件成本。
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公开(公告)号：CN216531251U
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202123016513.6
申请日：2021-12-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种高线性度低谐波失真伪电阻电路，PMOS管M1的1号端口、PMOS管M2的衬底和偏置电压源V1的正极相连，并形成伪电阻本体的A端口；偏置电压源V1的负极接PMOS管M1的栅极；PMOS管M1的2号端口连接PMOS管M2的1号端口；PMOS管M2的2号端口、PMOS管M1的衬底和偏置电压源V2的正极相连，并形成伪电阻本体的B端口；偏置电压源V2的负极接PMOS管M2的栅极。本实用新型通过对常规对称伪电阻的衬底连接进行修改，将两个管子的衬底分别连接在另一个管子的信号输入端，其基本原理是通过减小PMOS管的过驱动电压的下降速度来提高线性度。
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公开(公告)号：CN215526491U
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202122051091.X
申请日：2021-08-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型公开一种低温漂系数的高性能基准电压源，由启动电路、偏置电流源产生电路、偏置电压产生电路和基准电压补偿电路组成；启动电路先工作，以保证偏置电流源产生电路、偏置电压产生电路和基准电压补偿电路能够正常工作，偏置电流源产生电路为偏置电压产生电路提供稳定的偏置电流，偏置电压产生电路产生偏置电压，该偏置电压经基准电压补偿电路的温度补偿作用，产生一个低温漂系数的基准电压。本实用新型降低了电路的温漂系数，具有较宽的温度范围、较低的功耗。
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公开(公告)号：CN212969579U
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202022274740.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，利用忆阻器的电学特性与负阻源耦差分对电路进行组合，通过脉冲编程设定忆阻器的阻值来改变该放大器的增益和相位。架构上采用具有高输出阻抗的电流镜对忆阻器的直流分量进行旁路，使忆阻器两端的静态工作电压小于忆阻器的阈值电压，相比于传统的旁路电容方式显著地节省了集成电路版图面积。通过负阻产生电路与忆阻器进行串联，通过脉冲编程调节作为正电阻的忆阻器就可以获得一定正负阻值范围内可调的电阻值，并将此正负可调电阻作为源耦差分对电路的负载就可以实现既能调节该放大器增益又能调节该放大器相位。
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公开(公告)号：CN212435646U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021535962.4
申请日：2020-07-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种高低频增益可调的模拟均衡器，由2个有源负载网络、3个均衡电路和1个有源反馈电路组成；2个有源负载网络包括第一有源负载网络和第二有源负载网络；3个均衡电路包括第一低频细调均衡电路、第二低频细调均衡电路和低频粗调均衡电路。第一低频细调均衡电路和第二低频细调均衡电路的输入端形成本模拟均衡器的输入端。第一有源负载网络、第一低频细调均衡电路、第二低频细调均衡电路和有源反馈电路的输出端与低频粗调均衡电路的输入端连接；第二有源负载网络的输出端、低频粗调均衡电路的输出端和有源反馈电路的输入端形成本模拟均衡器的输出端。本实用新型能够提升整体均衡能力，增加了低频细调的可调范围，降低版图面积。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209748410U
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201920943291.6
申请日：2019-06-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H02M3/156 , H03K17/284
Abstract: 本实用新型公开具有内阻自适应的最大功率追踪电路及DC-DC升压电路，最大功率追踪电路采用开关延时生成电路与开关延时综合电路相结合的电路结构，开关延时生成电路将输入电容上的电压与最大功率点电压进行比较，开关延时综合电路实时根据环境能量源的内阻大小自适应生成不同长短的延时时间，以此生成携带了输入内阻大小信息的开关信号；DC-DC升压电路利用最大功率追踪电路所生成的携带了输入内阻大小信息的开关信号S0，不仅能够保证其在输入电压的变化范围较宽时系统仍具有较高的追踪效率，追踪效率最高可达99.64％；而且能够保证其在环境能量源的内阻较大的范围内仍具备较高的能量转换效率，能量转换效率最高可达96.25％。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208433920U
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201821086949.8
申请日：2018-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器，包括1个基本差分整流单元、n-1个使能差分整流单元和n个控制单元。本实用新型通过地端控制的接入，降低整流器的关断功耗，主要解决现有技术关断功耗较大的问题，并且可对本结构进行扩展级联得到的阶数可控n阶整流器，可以实现工作阶数可控功能，实现最大功率工作。本实用新型能够显著降低整流器的关断功耗，为多阶整流器低功耗待机提供一种参考方案。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208316736U
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201820093060.6
申请日：2018-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种应用于跳频通信的高速超宽带半周期频率检测电路，通过对输入的频率信号分别进行上升沿和下降沿检测，并可在输入信号的半个周期内将频率转换为电压，提出并采用包络检测电容与采样开关结构，对采样电容进行峰值检测并实时跟踪，产生稳定的直流电压信号进行输出。边沿信号互锁控制工作方式，可使电路实现自动检测，自我恢复到初始状态，当检测到新的频率信号时，不需电路外部施加复位或重启信号，使电路对于跳频信号可实现连续检测，并适用于超宽带高速跳频信号的检测。本实用新型适用于超宽带跳频通信，可满足高速跳频模式，克服传统频率检测电路检测时间过长、检测频带范围窄、可检测频率不高、输出电压纹波抖动大、功耗高等不足。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206696736U
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201720414674.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型公开一种全共栅共源基准电压源，包括并接于电源VDD与地之间的启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路依次连接；启动电路输出端与基准电流源电路连接，用于电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点；基准电流源电路的输出端与温度补偿电路连接，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，用于产生基准电流；温度补偿电路，用于产生低温漂的基准电压，采用共源共栅电流镜，从基准电流源电路中复制电流，温度补偿电路输出电压即为该基准电压源输出电压Vref。本实用新型为超低功耗全cascode基准电压源，更好的抑制电源噪声。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205647445U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620433337.6
申请日：2016-05-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型提供一种具有频段切换功能的低噪声放大器，属于集成电路设计领域，采用并联两支路来增加版图中联线的宽度的同时，在两支路之间引入电容，从而实现不同频段之间匹配的切换。在两支路中分别引入开关控制的电容，从而实现工作频率点的切换。现有多频段低噪声放大器每个频段都需要输入匹配和输出匹配各一个，而每个匹配都需要单独的电感和电容，这样在设计上就增加了芯片面积的成本，本方案可以有效的降低芯片面积。本实用新型由于采用切换电容的方法来切换频段，因此在保持较性能的同时大大降低了面积，同时输入输出匹配方法也大大降低了面积。
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