一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器

    公开(公告)号:CN112117977A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202011093608.5

    申请日:2020-10-14

    Abstract: 本发明公开一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器,利用忆阻器的电学特性与负阻源耦差分对电路进行组合,通过脉冲编程设定忆阻器的阻值来改变该放大器的增益和相位。架构上采用具有高输出阻抗的电流镜对忆阻器的直流分量进行旁路,使忆阻器两端的静态工作电压小于忆阻器的阈值电压,相比于传统的旁路电容方式显著地节省了集成电路版图面积。通过负阻产生电路与忆阻器进行串联,通过脉冲编程调节作为正电阻的忆阻器就可以获得一定正负阻值范围内可调的电阻值,并将此正负可调电阻作为源耦差分对电路的负载就可以实现既能调节该放大器增益又能调节该放大器相位。

    一种变脉宽输入电荷积累型忆阻神经网络电路

    公开(公告)号:CN110991624B

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN201911423140.9

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本发明公开一种变脉宽输入电荷积累型忆阻神经网络电路,包括脉宽调制电路,极性控制电路,编程控制电路,忆阻器阵列,电荷积累电路,激活函数电路,比较控制与模拟权重更新电路。本发明将输入的数字逻辑值通过脉宽调制电路变换为脉宽调制信号,从而有利于神经网络精度的提高;将脉宽调制电路和极性控制电路相结合,以及利用电荷积累电路的同向或反向积分,使得只使用单一的忆阻器阵列即可实现正,零或负的权重,并能够显著地节省了芯片面积;此外,忆阻器阵列的权重编程和电荷积累电容的复位可以同步进行,有利于硬件电路的运算速度的提升。

    一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器

    公开(公告)号:CN112117977B

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202011093608.5

    申请日:2020-10-14

    Abstract: 本发明公开一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器,利用忆阻器的电学特性与负阻源耦差分对电路进行组合,通过脉冲编程设定忆阻器的阻值来改变该放大器的增益和相位。架构上采用具有高输出阻抗的电流镜对忆阻器的直流分量进行旁路,使忆阻器两端的静态工作电压小于忆阻器的阈值电压,相比于传统的旁路电容方式显著地节省了集成电路版图面积。通过负阻产生电路与忆阻器进行串联,通过脉冲编程调节作为正电阻的忆阻器就可以获得一定正负阻值范围内可调的电阻值,并将此正负可调电阻作为源耦差分对电路的负载就可以实现既能调节该放大器增益又能调节该放大器相位。

    基于空间特征聚合网络的射电星系形态识别与分割方法

    公开(公告)号:CN117830741A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410018971.2

    申请日:2024-01-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于空间特征聚合网络的射电星系形态识别与分割方法,包括:将星系图像输入到特征提取网络,提取不同层级的星系语义特征;采用极化自注意力模块整合星系特征的通道和空间信息,构建注意力增强特征;自下而上初次拼接不同层级特征得到星系融合特征;自上而下二次拼接不同层级星系特征,同时采用空间金字塔池化‑跨阶段特征连接模块,进行星系特征的感知融合,实现网络多尺度聚合空间特征;对多尺度感受野聚合的空间特征进行星系目标的边框检测、形态分类与形态分割。本发明提出的射电星系形态识别与分割方法能够提升网络对通道和空间特征的整合能力,促进空间结构信息的聚合,提高射电星系的形态识别与分割性能。

    基于U型注意力特征融合网络的射电星系目标检测方法

    公开(公告)号:CN117475286A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311463428.5

    申请日:2023-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于U型注意力特征融合网络的射电星系目标检测方法,包括以下步骤:1)对星系图像进行多尺度特征提取;2)设计注意力模块关注星系特征图的关键信息;3)设计U型特征融合网络进行多尺度星系特征融合;4)获取星系特征图中的星系区域;5)对星系区域的星系特征图进行量化;6)对星系区域特征进行分类回归。这种方法能够促进网络中多尺度星系特征的信息融合,并重点关注星系特征图中关键信息的位置,以提升射电星系分类性能。

    一种变脉宽输入电荷积累型忆阻神经网络电路

    公开(公告)号:CN110991624A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911423140.9

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本发明公开一种变脉宽输入电荷积累型忆阻神经网络电路,包括脉宽调制电路,极性控制电路,编程控制电路,忆阻器阵列,电荷积累电路,激活函数电路,比较控制与模拟权重更新电路。本发明将输入的数字逻辑值通过脉宽调制电路变换为脉宽调制信号,从而有利于神经网络精度的提高;将脉宽调制电路和极性控制电路相结合,以及利用电荷积累电路的同向或反向积分,使得只使用单一的忆阻器阵列即可实现正,零或负的权重,并能够显著地节省了芯片面积;此外,忆阻器阵列的权重编程和电荷积累电容的复位可以同步进行,有利于硬件电路的运算速度的提升。

    一种变脉宽输入电荷积累型忆阻神经网络电路

    公开(公告)号:CN210864805U

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201922487177.X

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本实用新型公开一种变脉宽输入电荷积累型忆阻神经网络电路,包括脉宽调制电路,极性控制电路,编程控制电路,忆阻器阵列,电荷积累电路,激活函数电路,比较控制与模拟权重更新电路。本实用新型将输入的数字逻辑值通过脉宽调制电路变换为脉宽调制信号,从而有利于神经网络精度的提高;将脉宽调制电路和极性控制电路相结合,以及利用电荷积累电路的同向或反向积分,使得只使用单一的忆阻器阵列即可实现正,零或负的权重,并能够显著地节省了芯片面积;此外,忆阻器阵列的权重编程和电荷积累电容的复位可以同步进行,有利于硬件电路的运算速度的提升。

    一种忆阻器桥式触突的工作模式配置电路

    公开(公告)号:CN210666857U

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201921836645.3

    申请日:2019-10-29

    Abstract: 本实用新型公开一种忆阻器桥式触突的工作模式配置电路,包括4个忆阻器M1、M2、M3和M4,初始化MOS晶体管开关SWINIT,2个接地MOS晶体管开关SWGA和SWGB,权重编程控制MOS晶体管开关SWP,以及信号处理控制MOS晶体管开关SWIN。本实用新型的桥式触突两支路均通过MOS晶体管接地,在权重编程阶段和信号处理阶段两个支路对地电位相等,使得电路更加稳定,消除了工作模式配置电路本身带来的误差。将带有该工作模式配置电路的忆阻器桥式触突应用到神经网络后,两个支路的接地MOS晶体管可以实现共享,在提升神经网络判决精度的同时并不显著增加芯片面积。

    一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器

    公开(公告)号:CN212969579U

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN202022274740.8

    申请日:2020-10-14

    Abstract: 本实用新型公开一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器,利用忆阻器的电学特性与负阻源耦差分对电路进行组合,通过脉冲编程设定忆阻器的阻值来改变该放大器的增益和相位。架构上采用具有高输出阻抗的电流镜对忆阻器的直流分量进行旁路,使忆阻器两端的静态工作电压小于忆阻器的阈值电压,相比于传统的旁路电容方式显著地节省了集成电路版图面积。通过负阻产生电路与忆阻器进行串联,通过脉冲编程调节作为正电阻的忆阻器就可以获得一定正负阻值范围内可调的电阻值,并将此正负可调电阻作为源耦差分对电路的负载就可以实现既能调节该放大器增益又能调节该放大器相位。

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