一种光谱仪
    161.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103196557B

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201310092371.2

    申请日:2013-03-21

    Abstract: 本发明公开了一种光谱仪,属于光学测量技术领域。本发明的光谱仪包括沿光路入射方向依次设置的光学准直装置、分光器件、阵列式探测芯片,以及与所述阵列式探测芯片连接的数据采集与分析系统;所述分光器件包括透明基底,所述透明基底的至少一个表面上固着有至少一层透明涂层,所述透明涂层中包含有一组尺寸或形状不均匀分布的气泡。相比现有技术,本发明具有制作简单、实现成本低、便携性好,以及较高的分辨率和较宽的光谱测量范围的优点。

    基于磁光调制的光谱测量装置及光谱测量方法

    公开(公告)号:CN103759829A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201410000783.3

    申请日:2014-01-02

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁光调制的光谱测量装置,属于光学测量技术领域。本发明光谱测量装置包括沿入射光方向依次设置的第一偏振片、磁光调制器件、第二偏振片、光探测器。本发明还公开了一种使用上述装置的光谱测量方法,首先测量在不同磁场强度下进行磁光调制时光探测器所检测到的光功率,并以得到的光功率数据作为增广矩阵,结合光谱测量装置在不同磁场强度下对不同频率入射光的探测率所组成的系数矩阵,建立线性方程组;对该线性方程组求解,得到待测入射光中各频率分量的光功率,然后对其进行线性拟合、光谱定标,得到待测入射光的光谱。本发明具有抗振动能力强、分辨率高、光谱测量范围宽等优点。

    一种基于电光效应的光谱测量装置及其光谱测量方法

    公开(公告)号:CN103728021A

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201310703202.8

    申请日:2013-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于电光效应的光谱测量装置,包括沿入射光方向依次设置的第一偏振片、电光效应晶体、第二偏振片、光探测器;其中,第一偏振片的偏振方向与所述电光效应晶体在外加电场下的感应主轴方向不平行。本发明还公开了使用上述装置的光谱测量方法:首先测量对电光效应晶体施加不同外加电压下光探测器所检测到的光功率,并以得到的光功率数据作为增广矩阵,结合光谱测量装置在不同外加电压下对不同频率入射光的探测率所组成的系数矩阵,建立线性方程组;对该线性方程组求解,得到待测入射光中各频率分量的光功率,然后对其进行线性拟合、辐射定标,得到待测入射光的光谱。本发明具有抗振动能力强、分辨率高、光谱测量范围宽等优点。

    螺芴氧杂蒽磷氧类电致磷光主体材料及其合成和应用方法

    公开(公告)号:CN102229623B

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201110120304.8

    申请日:2011-05-10

    Abstract: 螺芴氧杂蒽磷氧类电致磷光主体材料及其合成和应用方法属光电材料科技领域,具体为四个螺芴氧杂蒽有机磷氧材料,以及将该类材料应用于有机电致发光材料、有机太阳能电池、有机场效应管、染料激光、有机非线性光学材料和荧光探针等有机电子学领域。该系列材料分别是往螺芴氧杂蒽的2位、2,7位、2’位以及2’,7’位引入二苯基磷氧基团后获得的。该系列化合物具有较好的电荷传输性能、热稳定性以及高的三线态能级(ET=-2.86eV),可以作为主体材料应用于磷光器件中。将其应用在有机电致发光磷光器件中,其蓝光磷光器件最大外量子效率为10.78%,最大亮度为8582cd/m2,在绿光磷光器件中,最大外量子效率为19.1%,最大亮度为16943cd/m2。

    太赫兹表面等离子体波光学调制器及其调制方法

    公开(公告)号:CN102096269B

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201110009521.X

    申请日:2011-01-18

    Abstract: 本发明公布了一种太赫兹表面等离子体波光学调制器及其调制方法,所述调制器包括一个本征半导体晶片、两个平行放置的刀片或者光栅、连续波激光器和调制准直系统以及一个温度控制装置。所述方法采用连续波激光器和调制准直系统发出激光调制信号照射在本征半导体晶片从而改变该本征半导体晶片表面各处的光生载流子数量;通过改变激光调制信号的光强对本征半导体晶片表面所传输的太赫兹表面等离子体波进行调制;两个平行放置的刀片或光栅用于将太赫兹波耦合为太赫兹表面等离子体波以及将调制后的太赫兹表面等离子体波耦合为太赫兹波。本发明制作成本低、能量损耗小,调制频率范围宽,可以实现归零调制,可以实现快速调制。

    太赫兹表面等离子体波温度控制开关及其控制方法

    公开(公告)号:CN102176521A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201010578297.1

    申请日:2010-12-08

    Abstract: 太赫兹表面等离子体波温度控制开关及控制方法涉及到一种太赫兹表面等离子体波温度控制装置,和利用本征半导体等离子体频率随温度变化的特性调制太赫兹表面等离子体波的一种方法。该开关包括一个等离子体频率在常温下处于太赫兹波段的本征半导体晶片(2)、两个平行放置的刀片(3)、以及一个温度控制器(5),两个刀片(3)垂直于本征半导体晶片(2),两个刀片(3)的刀口离本征半导体晶片(2)上表面的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波(4)在空气中的衰减距离,采用刀片(3)将太赫兹波转化为太赫兹表面等离子体波,以及过程相反的转化,通过温度控制器(5)控制本征半导体晶片(2)温度,从而改变该本征半导体的载流子浓度。

    一种基于滤波效应的太赫兹波谱测量装置

    公开(公告)号:CN206311210U

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201621347033.4

    申请日:2016-12-09

    Abstract: 本实用新型涉及一种基于滤波效应的太赫兹波谱测量装置,应用中,避开采用傅里叶变换的方法,因此无需先得到待测太赫兹波的时域谱,也不需要使用机械延迟装置,其结构和光路较为简单,并且整个设计结构易于制作,且可选择的材料种类繁多,因此整个装置的成本较低;而且对于各种预设滤波条件所对应的滤波单元来说,太赫兹波在滤波单元各个出射部位和出射的各个方向上,具有相同的透射波谱,它们都是经过相同的滤波作用,能够提高光谱测量的稳定性;不仅如此,所设计基于滤波效应的太赫兹波谱测量装置,相比现有的太赫兹时域波谱测量装置体积较小,便携性大大提高。

    基于磁光调制的光谱测量装置

    公开(公告)号:CN203719770U

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN201420001022.5

    申请日:2014-01-02

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于磁光调制的光谱测量装置,属于光学测量技术领域。本实用新型光谱测量装置包括沿入射光方向依次设置的第一偏振片、磁光调制器件、第二偏振片、光探测器。本实用新型还公开了一种使用上述装置的光谱测量方法,首先测量在不同磁场强度下进行磁光调制时光探测器所检测到的光功率,并以得到的光功率数据作为增广矩阵,结合光谱测量装置在不同磁场强度下对不同频率入射光的探测率所组成的系数矩阵,建立线性方程组;对该线性方程组求解,得到待测入射光中各频率分量的光功率,然后对其进行线性拟合、光谱定标,得到待测入射光的光谱。本实用新型具有抗振动能力强、分辨率高、光谱测量范围宽等优点。

    一种基于电光效应的光谱测量装置

    公开(公告)号:CN203629684U

    公开(公告)日:2014-06-04

    申请号:CN201320841875.5

    申请日:2013-12-19

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于电光效应的光谱测量装置,包括沿入射光方向依次设置的第一偏振片、电光效应晶体、第二偏振片、光探测器;其中,第一偏振片的偏振方向与所述电光效应晶体在外加电场下的感应主轴方向不平行。使用本实用新型进行光谱测量,首先测量对电光效应晶体施加不同外加电压下光探测器所检测到的光功率,并以得到的光功率数据作为增广矩阵,结合光谱测量装置在不同外加电压下对不同频率入射光的探测率所组成的系数矩阵,建立线性方程组;对该线性方程组求解,得到待测入射光中各频率分量的光功率,然后对其进行线性拟合,并经光谱辐射定标,得到待测入射光的光谱。本实用新型具有抗振动能力强、分辨率高、光谱测量范围宽等显著优点。

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