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公开(公告)号：CN117702282A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311705692.5
申请日：2023-12-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，提供了一种半绝缘碳化硅的制备方法、晶圆片及半导体器件，通过对设置在碳化硅晶圆片表面的电极施加高频高压电脉冲，利用高频高压的瞬态特征以及交流电特征，使得可以从不同方向轰击碳化硅晶圆片中的原子，位移所述碳化硅晶圆片中的部分原子，从而在所述碳化硅晶圆片中形成空位和各种复杂点缺陷，得到高电阻率且稳定性更好的半绝缘碳化硅晶圆片，而且，得到的半绝缘碳化硅晶圆片的纵向电阻分布均匀，可以提高半绝缘碳化硅晶圆片的纵向半绝缘特性。
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公开(公告)号：CN117568922A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311569627.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种分段式石墨坩埚及碳化硅晶体生长方法，分段式石墨坩埚包括上坩埚、下坩埚，上坩埚与升降机构相连，下坩埚包括坩埚体、坩埚盖，坩埚盖上端设有与坩埚体相连通的坩埚柱，坩埚柱内放有带非穿透性孔的等静压石墨片，坩埚体内放有支撑等静压石墨片用的多孔石墨直筒，多孔石墨直筒、等静压石墨片、下坩埚围合成装填碳化硅粉料用的料腔，非穿透性孔在碳化硅粉料受热产生的硅蒸汽腐蚀下变为穿透性孔，上坩埚倒置在坩埚盖上端，并与坩埚柱内外套接使得二者内部形成有供碳化硅晶体生长的空腔，上坩埚安装有籽晶；碳化硅生长方法基于分段式石墨坩埚进行。本发明有效减少硅蒸汽腐蚀籽晶和籽晶周围石墨件，减少籽晶表面形成缺陷和碳颗粒。
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公开(公告)号：CN115404549B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210879232.3
申请日：2022-07-25
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种PVT法生长低阻p型4H‑SiC的方法，属于半导体材料领域。本申请主要是采用低温低压(生长温1600℃～1800℃，生长压强约10‑3Pa)生长限制SiC的生长速度小于100μm/h，此时可确保4H‑SiC在Si面生长。并且由于p型杂质Al是占据SiC中Si原子的晶格点位置，所以Al在(0001)Si面的掺杂浓度比在 面的高。本申请所制备的p型4H‑SiC电阻率可降低至30mΩcm。
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公开(公告)号：CN117364223A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311190985.4
申请日：2023-09-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制位错运动增殖的铸造单晶硅锭制备方法，包括：(1)在坩埚的底部紧密铺设由直拉单晶硅锭切割出来的单晶籽晶，形成单晶籽晶层；(2)将报废硅片铺设到所述单晶籽晶层的上方作为硅片缓冲层；(3)设定掺杂剂的掺杂浓度，并将掺杂剂和多晶硅原料装载至缓冲层上方；(4)加热使多晶硅原料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，并通过制造垂直温度梯度和控制晶体凝固速率，实现组分过冷现象的发生，诱导微米级孪晶的生成；最终硅液自底部向上逐渐凝固得到铸造单晶硅锭。利用本发明，可以在制备铸造单晶硅锭过程中诱导具有生长取向的、电学复合活性较弱的微孪晶生成，从而有效抑制位错的运动增殖，提高晶体质量和良率。
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公开(公告)号：CN116979003A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210429786.3
申请日：2022-04-22
Abstract: 本申请公开了一种光电器件，包括第一材料层、第二材料层和第三材料层，这三个材料层为NPN或PNP结构，其中，第二材料层和第三材料层之间形成的第一pn结的电压为反向偏置电压。在光电器件工作时，第一材料层中的第一载流子注入到第二材料层；第二材料层中的第二载流子在第一pn结的反向偏置电压的作用下注入到第三材料层；第三材料层中第三载流子与第三材料层中的稀土元素进行能量交换，以使第三材料层发出光子，其中，NPN结构时，各材料层中的载流子为电子，PNP结构时，各材料层中的载流子为空穴。本申请提供的光电器件可以通过第一材料层提供的大量载流子可以实现在第一pn结的较低开启电压下提高光电器件的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116879251A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310836034.3
申请日：2023-07-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了金属掺杂硅酸铒薄膜在制备光学温度传感器中的应用，金属掺杂硅酸铒薄膜中掺杂的金属为锂。本发明填补了现有技术中硅酸铒材料在光学温度传感器应用方面的研究空白。本发明发现金属掺杂硅酸铒材料具有较高的上转换发光强度，绿光荧光强度比可随温度变化而变化，可将其应用于光学温度传感器，且相对灵敏度较高。同时，不掺杂金属时薄膜为α相硅酸铒，掺杂金属时薄膜为β相硅酸铒，β相硅酸铒相比于α相硅酸铒热猝灭更小，热稳定性更好，所以基于掺杂金属β相硅酸铒的温度传感器还将具有好的热稳定性，更有利于实际应用。
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公开(公告)号：CN116387141B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310664916.6
申请日：2023-06-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/263 , H01L21/324 , H01L29/16
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种低裂纹碳化硅晶圆制备方法及碳化硅晶圆，包括：具有裂纹的待加工碳化硅晶圆进行粒子辐照形成空位，再进行退火，退火工艺中溢出的硅原子与氧气反应生成具有粘性流动的二氧化硅，并且所述空位层中的原子借助空位的长程传输，在所述二氧化硅和所述原子的长程传输的共同作用下，填充待加工碳化硅晶圆表面的裂纹，形成自愈合层，最后通过研磨和抛光，获得低裂纹碳化硅晶圆。本发明采用粒子辐照先在待加工碳化硅晶圆的表面至内部一定深度位置形成空位，在后续退火工艺，形成自愈合层，自愈合层阻止了裂纹在后续的研磨和抛光工艺中向待加工碳化硅晶圆内部延伸以及裂纹之间的耦合，最终得到低裂纹的碳化硅晶圆。
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公开(公告)号：CN114520143B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210413855.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体加工领域，公开了一种抑制双极型退化的碳化硅薄膜外延方法、碳化硅外延片，包括：提供碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有基平面位错；通过化学气相沉积法在所述碳化硅衬底表面形成碳化硅外延层，化学气相沉积法的反应气体包括生长气源和掺杂锗源气体，改变碳化硅外延薄膜中锗杂质的浓度，并促使所述锗杂质替代碳化硅外延层中形成的不全位错核心处硅原子，使锗杂质钉扎硅核心不全位错。本发明在碳化硅薄膜外延过程中掺入锗杂质，由于硅核心处的结构畸变，锗杂质会优先替代硅核心不全位错处的硅原子，通过将锗杂质钉扎基平面位错中硅核心不全位错，抑制硅核心不全位错的滑移，以抑制碳化硅基双极型器件的双极型退化。
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公开(公告)号：CN115595663B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202211523460.3
申请日：2022-12-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，特别涉及一种碳化硅籽晶的处理方法和碳化硅晶体的生长方法。通过对碳化硅晶片先后进行碱蒸汽腐蚀和熔融碱腐蚀的方法，使得碳化硅晶片的碳面的基平面位错转化为腐蚀坑，同时获得表面较为平整的碳化硅籽晶，并利用最终获得的碳化硅籽晶进行碳化硅晶体生长。本发明针对碱蒸汽腐蚀后得到的碳化硅晶片继续进行熔融碱腐蚀，熔融碱腐蚀对碳化硅晶片的碳面的腐蚀速度慢，通过控制熔融碱腐蚀的时间，最终形成表面平整的碳化硅籽晶，利用碳化硅籽晶进行碳化硅晶体生长，显露出来的腐蚀坑在晶体生长时受到增强的镜像力的作用，会强制合并显露出来的腐蚀坑，将基平面位错转变为贯穿型刃位错，从而获得低基平面位错密度的晶体。
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公开(公告)号：CN116246950A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310110785.7
申请日：2023-01-16
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及碳化硅加工技术领域，特别涉及一种碳化硅晶片的抛光方法及半导体晶片的抛光方法。本发明提供粗磨或精磨后的碳化硅晶片，将碳化硅晶片进行碱腐蚀,将碱腐蚀后的碳化硅晶片置于显微镜下拍照获得灰度图，调整灰度图的阈值后，得到位错图，再对位错图进行位错表征和统计，最后将位错表征和统计后的碳化硅晶片进行后续抛光加工工艺。本发明利用加工过程中粗磨或精磨后的碳化硅晶片进行碱腐蚀，由于位错腐蚀坑的深度和加工损伤形成的腐蚀坑的深度不同，使得位错腐蚀坑和加工损伤腐蚀坑的衬度也不同，通过对灰度图的阈值调整，排除加工损伤形成的腐蚀坑，使得位错图中全部为位错腐蚀坑，有利于计算机软件读取图片信息进行位错类型区分和统计。
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