-
公开(公告)号：CN115146517A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210778788.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F17/18 , G06F119/16
Abstract: 本发明提供了一种不同粒子位移等效性计算方法，属于空间环境分析技术领域。方法包括：S1、构建几何模型，选取辐射位移损伤敏感区，设置模拟参数，之后进行模拟辐射实验；S2、调用Track函数和Step函数，计算得到所有步粒子的非电离能量沉积和入射方向坐标；S3、判断输出步粒子的非电离能量沉积是否为零，如不为零，则输出该步粒子的非电离能量沉积和入射方向坐标数据；S4、将选定深度区间内的输出步粒子的数据进行累加，计算得到沿入射方向的NIEL深度分布曲线，对NIEL深度分布曲线进行归一化处理。本发明基于Geant4软件进行模拟试验，根据判断条件筛选出输出步粒子的非电离能量沉积和入射方向坐标数据，之后累加计算得到NIEL，可快速得到随深度变化的NIEL分布。
-
公开(公告)号：CN115130220A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210770278.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/15 , G06F30/20 , G06F17/16 , G06F119/12
Abstract: 本发明提供了一种空间原子氧与紫外辐照综合作用仿真过程的实时表征方法，属于航空航天技术领域。本发明对在轨运行的空间飞行器在空间原子氧和紫外辐射的综合环境中进行仿真表征以研究紫外与原子氧效应时，对飞行器以四元数方式进行运行姿态的表征，并根据空间飞行器的运行姿态和太阳紫外辐射入射方向共同确定飞行器的受紫外电磁辐射的作用表面，对飞行器的空间位置和运行速度进行表征，并结合飞行器的运行姿态以及根据原子氧计算模型得到的空间原子氧环境，共同确定飞行器与原子氧的相互作用。本发明综合考虑了空间飞行器的迎风面和受晒面，能够较为真实的考虑空间飞行器在轨运行期间受晒和迎原子氧的空间环境实时量化表征。
-
公开(公告)号：CN115128423A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210762660.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种重离子辐照影响β‑Ga2O3MOSFET器件电化学性能的方法，包括：将外延层中掺杂施主Si元素的β‑Ga2O3在室温条件下进行不同注量的重离子辐照；检测重离子辐照前后β‑Ga2O3外延晶片的单斜结构、弯曲振动、拉伸模式光学性质和化学结合状态；对步骤S2中得到的实验数据进行总结，得出重离子辐照β‑Ga2O3外延晶片后产生的点缺陷；将步骤S3中产生的点缺陷引入β‑Ga2O3MOSFET模型中，输出模拟电学性能曲线。本发明通过将β‑Ga2O3外延晶片的辐照研究与β‑Ga2O3MOSFET器件的模拟研究进行结合，对β‑Ga2O3MOSFET器件抗辐射机理研究产生了显著的效果。
-
公开(公告)号：CN111856236B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010735198.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26 , G01N27/414
Abstract: 本发明提供了一种提取电子器件氧化层中负电荷的方法，包括以下步骤：S100、选择N型半导体材料制备成衬底；S200、在衬底上制备P型外延层；S300、在外延层上形成N+源区、N+漏区和P+阱区；S400、在外延层上生长氧化层；S500、对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成N+源极、N+漏极和栅极；S600、将源极和漏极接地，栅氧电场保持正偏置，阱区负偏置，衬底负偏置，检测栅极处的空穴电流；S700、在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获负电荷的状态。本发明基于MOS场效应管制备工艺，在N型半导体材料衬底上形成负电荷测试结构，并通过调置不同电极之间的电压，快速检测负电荷状态，达到高效高灵敏度检测氧化层中负电荷的目的。
-
公开(公告)号：CN108281480B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201810136624.4
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种表征不同类型粒子辐照诱导电离和位移缺陷形成与退火状态的一种同时产生电离和位移缺陷信号的器件及其制备方法，属于核科学与技术领域。本发明包括集电区、基区、n个发射区、发射极、基极和集电极；集电区的掺杂浓度小于1E15/cm3；基区外边缘的长边距集电区外边缘的距离d范围为0.1～300μm，基区外边缘的宽边距集电区外边缘的距离e的范围为0.1～300μm；基区掺杂浓度为1E15/cm3～1E17/cm3；发射区的长边a与宽边b的比值在500:1～1:500范围内，扩散结深度在0.1μm至3.0μm之间；相邻两个发射区的间距不小于a/2、不大于5a；发射区掺杂浓度为5E15/cm3～1E20/cm3。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108345767B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810135790.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于密度泛函和杂化泛函计算Si的缺陷移动的方法，本发明涉及计算Si的缺陷移动的方法。本发明目的是为了解决现有采用密度泛函方法获得Si的缺陷移动能量的准确率低的问题。过程为：得到Si的晶格参数；得到Si能量最低点的晶格参数；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；使用密度泛函和CLNEB方法计算双空位分离过程中能量的变化，以及得出Si原子不同带电量下的原子结构，并根据这些结构采用杂化泛函方法计算双空位分离过程中能量的变化。本发明用于计算Si的缺陷移动的领域。
-
公开(公告)号：CN108345747B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201810136616.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，它涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的目的是为了制备一种结构，基于该结构应用不同类型的带电粒子，从而实现电离和位移缺陷间接交互作用的研究。方法：制备MIS结构，导体‑绝缘体‑半导体中导体、绝缘体和半导体的厚度分别为a1，a2和a3，计算入射粒子的入射深度、电离吸收剂量(Id)和位移吸收剂量(Dd)，3
-
公开(公告)号：CN108335984B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810135795.5
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法，涉及一种电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法。本发明为了解决目前还没有一种针对粒子辐射环境用电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法的问题。本发明首先利用软件计算辐照粒子在芯片材料中单个辐照粒子产生的空位数量，确定辐照粒子种类和能量，然后选择不同辐照注量进行辐照试验，辐照注量点不少于3个并对辐照后器件进行深能级瞬态谱测试；对比按照不同辐照注量的DLTS结果曲线，分别比较深能级缺陷和浅能级缺陷对应的信号峰，如果随着辐照注量的增大，深能级缺陷浓度升高且浅能级缺陷浓度降低，则器件材料发生了费米能级的钉扎效应。本发明适用于电子器件发生费米能级钉扎效应的确定。
-
公开(公告)号：CN111883218A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010735168.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供了一种过渡金属硫化物非线性光学性质的调控方法及装置，方法包括：将过渡金属硫化物结构中的一个原子替换为标定原子，获得新的原子晶格；优化新的原子晶格的晶格参数，获得优化后的晶格参数；根据优化后的晶格参数依次进行自洽计算和非自洽计算，获得预处理后的晶格参数，根据预处理后的晶格参数确定电子带隙；根据预处理后的晶格参数进行非自洽计算，获得波函数，根据波函数进行GW-BSE计算，获得光学带隙；根据光学带隙和电子带隙确定带隙差，根据带隙差确定修正参数；根据修正参数和控制参数进行模拟，获得多个二阶非线性非零响应光谱。本申请的技术方案，提高了过渡金属硫化物的非线性光学性质，降低了计算模拟过程的复杂度。
-
公开(公告)号：CN111835303A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010735178.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及放大电路技术领域，提供一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器，包括输入电容、冲击传感器、电荷灵敏前置放大子电路和电荷灵敏后置放大子电路，输入电容和冲击传感器各自与电荷灵敏前置放大子电路的输入端电连接，电荷灵敏后置放大子电路与电荷灵敏前置放大子电路级联组成电荷灵敏放大子电路，成倍提高了电荷灵敏放大子电路的放大倍率，提升了电荷灵敏放大子电路的信号放大能力，在冲击传感器处于空闲状态下，利用输入电容，测试电荷灵敏放大子电路与冲击传感器适配，在冲击传感器处于探测状态下，输入电容防止输出微弱电荷脉冲信号至电荷灵敏放大子电路的性能，以免输入电容对冲击传感器产生信号干扰。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
320
records
(took 0.027 seconds)
