公开(公告)号：CN105716750A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610037420.6

申请日：2016-01-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 关淘淘 ,  杨芳 ,  黄贤 ,  张大成 ,  王玮 ,  姜博岩 ,  何军 ,  张立 ,  付锋善 ,  李丹 ,  李睿 ,  范泽新 ,  赵前程

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06

CPC classification number: G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法。本发明首次提出具有回旋镖结构的硅应变膜，压敏电阻排布于回旋镖结构的应力集中处，提高了压阻式压力传感器的灵敏度和线性度；选择LPCVD的SiO2/Si3N4作为KOH腐蚀工艺的掩膜，提高了KOH背腔腐蚀工艺中掩膜对K+的阻挡特性从而保证传感器的高可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中的玻璃起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。本发明的MEMS压阻式压力传感器同时具有较高的灵敏度和线性度，其制备方法兼容于通用的MEMS加工技术，产品可靠性以及成品率较高。

公开(公告)号：CN103207545B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310097604.8

申请日：2013-03-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘鹏 ,  王玮 ,  田大宇 ,  姜博岩 ,  杨芳 ,  戴小涛 ,  张大成

IPC: G03F7/36 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明涉及一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法，其步骤包括：1）清洗基片，并在基片上涂敷黏附层；2）在黏附层上旋涂剥离层光刻胶；3）对基片进行烘烤；4）在剥离层光刻胶上旋涂具有紫外敏感特性的电子束光刻胶；5）对基片进行烘烤；6）对电子束光刻胶进行电子束曝光；7）显影电子束光刻胶；8）采用紫外线照射显影后的电子束光刻胶图形，使其交联固化；9）显影剥离层光刻胶。本发明利用电子束光刻胶本身的紫外敏感特性，通过紫外线固胶的方式提高LOL剥离层和电子束光刻胶显影速度之比，解决双层胶的工艺兼容性问题，得到陡直的光刻胶侧壁。

公开(公告)号：CN102963861B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210450745.9

申请日：2012-11-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  何军 ,  黄贤 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种实时确定牺牲层腐蚀时间的方法，其步骤包括：采用表面牺牲层工艺在基片上制作牺牲层和MEMS器件的结构层；在所述结构层上淀积金属层；湿法腐蚀所述牺牲层，通过观测所述金属层中金属的脱落情况确定腐蚀完成时间。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率。

公开(公告)号：CN102980695B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210500895.6

申请日：2012-11-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄贤 ,  张大成 ,  赵丹淇 ,  林琛 ,  何军 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: G01L1/18 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种MEMS压阻式绝对压力传感器，包括设有四边形槽的基片，以及制作于该槽侧壁的四组压敏电阻，所述四组压敏电阻构成惠斯通电桥，所述四边形槽的两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列，另外两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列。其制作步骤为：在基片正面光刻定义P型重掺杂的引线接触区，进行离子注入和高温热退火；在基片正面光刻定义槽的形状并刻蚀四边形槽；通过P型离子注入轻掺杂进行侧壁上压敏电阻的掺杂，并进行高温热退火；制作引线孔和金属引线；划片。本发明不含应变膜，能够降低传感器的芯片尺寸，显著增加传感器的抗过载能力，提高了工艺的可靠性与器件的成品率。

公开(公告)号：CN102583224B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201210060342.3

申请日：2012-03-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  林琛 ,  何军 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种MEMS和IC单片集成方法，先在基片上完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；再采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层之后，刻蚀氧化硅保护层形成引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后去除MEMS区域的牺牲层，释放MEMS可动结构。该方法不需要专用的低应力氮化硅生产设备，采用IC-MEMS交叉工艺，通过选择性去除氮化硅保护层来控制集成化片内应力，从而降低集成化工艺对IC电路性能的影响，工艺简单可靠。

公开(公告)号：CN102967510B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201210397912.8

申请日：2012-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  赵丹淇 ,  王玮 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: G01N3/26

Abstract: 本发明涉及一种施加垂直于悬臂梁的作用力的方法和装置，通过探针台探针向具有曲面探针头的片上力学微探针施加负载力；片上力学微探针通过曲面探针头向悬臂梁施加作用力，同时该片上力学微探针进行转动以使该悬臂梁在弯曲过程中受到的作用力始终垂直于该悬臂梁。本发明在对被测悬臂梁施加作用力的过程中不会产生沿悬臂梁方向上的弹力，也不会产生摩擦力；并且由于力学微探针的缓冲作用使得负载力的施加更稳定，测量结果更准确。

公开(公告)号：CN102320549B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201110214390.9

申请日：2011-07-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 严远 ,  杨芳 ,  王玮 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷 ,  张大成

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种提高薄膜应变线性度的方法，在平面薄膜的表面布置两组相互垂直的加强肋，每组包括一条或多条加强肋，多条加强肋之间相互平行，均匀分布在薄膜表面。相对于相同灵敏度的普通平面薄膜，设有加强肋的薄膜非线性度大大减小。

公开(公告)号：CN102935995A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210397861.9

申请日：2012-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  何军 ,  黄贤 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种预调阈值的post-CMOS集成化方法，通过预估MEMS工艺引入的阈值漂移量调整IC工艺中CMOS工艺的掺杂浓度，提高post-CMOS工艺后MOS管的阈值对称性。本发明方法对阈值漂移缺陷进行转化利用，不需要专用的低应力材料的生产设备，能够在满足MEMS可动结构和IC单片集成的需求的同时，保证集成电路部分MOS管的阈值对称性。

公开(公告)号：CN102320549A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110214390.9

申请日：2011-07-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 严远 ,  杨芳 ,  王玮 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷 ,  张大成

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种提高薄膜应变线性度的方法，在平面薄膜的表面布置两组相互垂直的加强肋，每组包括一条或多条加强肋，多条加强肋之间相互平行，均匀分布在薄膜表面。相对于相同灵敏度的普通平面薄膜，设有加强肋的薄膜非线性度大大减小。

公开(公告)号：CN101439841B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200810240594.8

申请日：2008-12-25

Applicant: 中国传媒大学 ,  北京大学

Inventor： 张霞 ,  张大成

IPC: G01J5/44

Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外图像传感器芯片，属于红外图像传感器的制备技术领域。该非制冷红外图像传感器芯片包括一传感器基片，在所述传感器基片上集成若干个红外敏感像素单元阵列，每个红外敏感像素单元包括一组弹性悬挂梁和一红外敏感谐振体，所述弹性悬挂梁通过锚点固定在传感器基片上，红外敏感谐振体与上述弹性悬挂梁相连，所述红外敏感谐振体由谐振膜片和激振电极构成，在所述谐振膜片上局部叠置一与谐振膜片的热膨胀系数不同的红外敏感材料层。本发明红外敏感像素单元采用红外敏感谐振体，工艺简单，易于获得较高的成品率，实现了在一个芯片上制造阵列式非制冷红外图像传感器。