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公开(公告)号：CN206512322U
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201621329743.4
申请日：2016-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种光作用的晶体生长装置，包括反应釜、坩埚和加热器，坩埚设在反应釜内，加热器设在坩埚侧面，所述反应釜上设有调节阀，反应釜上设有延伸至坩埚内的光传输通道，该光传输通道与光源连接使光源发出的光线经光传输通道射入坩埚内，光传输通道的下端位于坩埚内的溶液液面的上方或内部，并且坩埚内还设有用于驱动流体流动的叶片，坩埚底面设有旋转支撑杆。本实用新型通过引入光作用，依靠照射Ga‑Na熔体及加速气体电离的光能量，有效地提高了GaN晶体生长速率。
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公开(公告)号：CN217869190U
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202222244009.X
申请日：2022-08-25
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B25/12 , C30B25/14 , C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本实用新型公开了一种提高多片机晶圆生长均匀性的装置，包括支撑杆和设置于所述支撑杆上的载盘，所述支撑杆受驱旋转时，所述载盘随之旋转，所述载盘上设有用于放置晶圆的托盘，所述载盘和所述托盘之间设有导气盘，借由所述导气盘向所述托盘提供气流驱动所述托盘转动。通过支撑杆带动载盘进行公转，通过导气盘向托盘提供倾斜气流驱动托盘自转，进而实现卫星旋转，最终实现晶圆厚度成环状均匀分布，且晶圆中心与边缘厚度也均匀分布。
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公开(公告)号：CN216526708U
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202122585274.X
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: G03B21/16
Abstract: 本实用新型涉及投影设备技术领域，尤指一种散热激光投影仪机箱，包括箱体、光源、进风风扇及出风风扇，箱体包括相互连通的外腔和内腔，光源设置在内腔内；进风风扇的出风端与外腔连通；出风风扇的进风端与内腔连通，其出风端与箱体外连通。本实用新型通过进风风扇将气体在外腔淤积，形成高压区，在外腔与内腔之间形成一定压差，使气体进入到内腔，并快速从内腔流动到腔体外，有效带走内腔中的光源产生的热量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN216237371U
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202121824546.0
申请日：2021-08-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及晶体合成技术领域，尤指一种金刚石圆片径向生长装置，包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元，升降式旋转支架包括升降杆装置和至少两组平行设置的旋转轴，旋转轴安装在升降杆装置的顶端；晶圆夹持单元用于将多片金刚石圆片同轴夹持成圆柱状，晶圆夹持单元放置在两个旋转轴之间。本实用新型的装置通过晶圆夹持单元夹持多片金刚石圆片，其中外面的两片作为配片用于保护夹在中间的金刚石圆片的底面，使得中间的金刚石圆片只在侧面外延生长，在长周期的生长过程中能很好地保持金刚石圆片的圆度及厚度。
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公开(公告)号：CN211096263U
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201921559761.5
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及消毒设备领域，具体涉及一种消毒装置，包括基板、安装于基板的紫外线单元、电源单元和控制单元，所述电源单元和所述紫外线单元分别与所述控制单元连接，还包括显示单元，所述显示单元与所述控制单元连接，所述基板为采用柔性材料制成的基板，安装有所述紫外线单元、所述电源单元和所述控制单元的基板呈可卷曲形状，本实用新型结构简单，设计合理，通过设置柔性基板，在使用本实用新型的时候，可以根据实际使用空间环境的形状，对本实用新型进行卷折，使用非常方便。
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公开(公告)号：CN211079407U
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201921878345.1
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种大颗粒金刚石的制备装置，包括沉积腔体，还包括吹气单元、排气单元和等离子体单元，吹气单元设有进气管路，进气管路伸入沉积腔体一端设为喇叭状开口，并在喇叭状开口处设有若干个吹气小孔，本实用新型通过设置于喇叭状开口处的若干个吹气小孔吹出气流，使得进气管路内的气压大于沉积腔体内的气压，两者的压力差使得金刚石籽晶悬浮在进气管路喇叭状开口处上方并三维旋转，从而实现籽晶可以在三维方向均衡生长。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210272429U
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201920523781.0
申请日：2019-04-17
Applicant: 华南理工大学 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种量子点电致发光器件，包括依次层叠的透明衬底，阴极、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极，所述阴极为透明的氮化镓材料。针对现有的量子点材料电致发光器件存在的能级不匹配问题，采用了透明的氮化镓材料作为电致发光器件的阴极及电子注入层，结合氮化镓材料的高的电子迁移率及其与量子点材料的LUMO能级匹配的表面功函数，有利于降低量子点器件的启亮电压，提升其电致发光效率与工作寿命，推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204714948U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201520345573.8
申请日：2015-05-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种GaN晶体生长装置，包括高压釜，该高压釜内装设有坩埚，该坩埚内填充有晶体生长溶液，坩埚内放置有位于晶体生长溶液内的GaN籽晶，所述坩埚内设有浮在晶体生长溶液上的漂浮体，GaN籽晶生长面的背面与该漂浮体连接，漂浮体利用浮力带着GaN籽晶漂浮在晶体生长溶液上。本实用新型通过使GaN籽晶漂浮于高N浓度生长溶液顶部区域,GaN晶体可在生长溶液顶部区域的N过饱和溶液下高速率高质量生长，相对于传统的低N浓度生长溶液底部区域GaN晶体生长，顶部区域不仅为GaN晶体生长提供了丰沛的N源而快速生长，而且还有利于避免生长溶液顶部区域GaN自发形核产生多晶的问题。
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