公开(公告)号：CN101834202A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010146509.9

申请日：2010-04-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  孙虎 ,  孙伟锋 ,  庄华龙 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 一种降低热载流子效应的N型横向绝缘栅双极型器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有P型外延层，在P型外延层上设有N型阱和P阱区，在N型阱上设有N型缓冲阱，在N型缓冲阱上设有P型阳区，在P阱区上设有N型阴区和P型体接触区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在P阱区的下部、埋氧之上设有P型埋层，且插入P型外延层一部分，与P阱区整体构成反向的“L”型P区，这种结构可以将器件的空穴电流引向底部，降低了器件沟道区的离子产生率和纵向电场，同时降低了热电子的温度，从而有效抑制了器件的热载流子效应。

公开(公告)号：CN101587910A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910032752.5

申请日：2009-06-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  徐申 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括衬底，其上设埋氧化层，埋氧化层上设N型掺杂半导体区，N型掺杂半导体区上设P阱和N型漏区，P阱上设N型源区和P型接触区，P阱表面设栅氧化层且自P阱延伸至N型掺杂半导体区，P阱表面的N型源区、P型接触区和栅氧化层以外区域及N型掺杂半导体区表面的N型漏区以外区域设场氧化层，栅氧化层表面设多晶硅栅且延伸至场氧化层的表面，场氧化层、P型接触区、N型源区、多晶硅栅及N型漏区的表面设氧化层，N型源区、P型接触区、多晶硅栅和N型漏区上连金属层，在P阱和N型漏区之间的N型掺杂半导体区上设上槽区，在N型掺杂半导体区和埋氧化层的接触的地方设下槽区。

公开(公告)号：CN101587909A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910032751.0

申请日：2009-06-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  贾侃 ,  钱钦松 ,  李海松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括衬底，其上设埋氧化层，埋氧化层上设P型掺杂半导体区，P型掺杂半导体区上设N阱和P型漏区，N阱上设P型源区和N型接触区，P阱表面设栅氧化层且自N阱延伸至P型掺杂半导体区，N阱表面的P型源区、N型接触区和栅氧化层以外区域及P型掺杂半导体区表面的P型漏区以外区域设场氧化层，栅氧化层表面设多晶硅栅且延伸至场氧化层的表面，场氧化层、N型接触区、P型源区、多晶硅栅及P型漏区的表面设氧化层，P型源区、N型接触区、多晶硅栅和P型漏区上连金属层，在N阱和P型漏区之间的P型掺杂半导体区上设上槽区，在P型掺杂半导体区和埋氧化层的接触的地方设下槽区。

公开(公告)号：CN101510561A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910030066.4

申请日：2009-03-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘侠 ,  孙伟锋 ,  华国环 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域、设在原胞区域周围的终端区域及位于原胞区域与终端区域之间的过渡区域，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，原胞区域和终端区域设在N型掺杂硅外延层上，所述晶体管的终端区域包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区，其中第一超结结构包括N型柱和P型柱，在N型硅掺杂半导体区中设有横向P型柱和高浓度N型区域，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区的表面设有一层高浓度的N型薄层，在N型薄层上设有场氧化层，其特征在于在N型硅掺杂半导体区内设有横向P型柱以及在晶体管终端区域的表面设有一层高浓度的N型薄层。

公开(公告)号：CN101510560A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910030060.7

申请日：2009-03-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  张丽 ,  孙伟锋 ,  徐申 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36

Abstract: 一种减少热载流子效应的P型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上面设置有N型阱区，在N型阱区上设置有P型阱区和P型掺杂半导体区，在P型阱区上设有P型源区和N型接触区，在P型掺杂半导体区上设有P型漏区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在N型阱区内设有轻掺杂浅P型区，所述的轻掺杂浅P型区位于P型阱区与P型掺杂半导体区之间，且轻掺杂浅P型区覆盖栅氧化层与P型掺杂半导体区形成的拐角。

公开(公告)号：CN101488523A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910024951.1

申请日：2009-02-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  贾侃 ,  吴虹 ,  钱钦松 ,  李海松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、P型掺杂半导体区和N阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在P型掺杂半导体区内设有N型反型层且N型反型层位于P型漏区和P型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使P型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的电子集聚在P型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。

公开(公告)号：CN117870730A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410015675.7

申请日：2024-01-04

Applicant: 东南大学

Inventor： 李泳佳 ,  曹一凡 ,  夏健霖 ,  张龙 ,  方中元 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: G01D5/244 ,  G01D18/00

Abstract: 本发明公开了一种具有自适应误差校准的磁编码器，可用于测量旋转角度的磁编码器。设计该磁编码器的过程包括：在径向充磁圆柱形磁铁周围均匀环绕排布六个霍尔传感器；使用互补等边三角测量算法将六路霍尔传感器信号合并为三路信号；基于双dq变换软件锁相环分别提取输入信号的相位，基波、二次谐波的正序分量和负序分量；重构输入信号的直流分量，基波分量和二次谐波分量，并将其补偿至信号输入端；对锁相环输出相位进行后验校正。最终可以得到无直流分量，谐波分量，幅值偏差和相位偏差干扰的旋转角度。

公开(公告)号：CN117075671A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311255119.9

申请日：2023-09-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 方中元 ,  范王琛 ,  陈明刚 ,  徐申 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明提出具有快速瞬态响应无片外电容的多环路低压差线性稳压器包括主反馈环路、快速反馈环路和辅助快速反馈环路；本发明采用多环路设计，提高了无片外电容的低压差线性稳压器的瞬态特性。相比于传统的低压差线性稳压器，本发明的稳压器在满足片上系统瞬态响应的同时，去除了传统线性稳压器所需的片外电容，减少了引脚数目，满足了单片集成度不断提高及数模混合技术不断发展的需要。

公开(公告)号：CN117055682A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311196193.8

申请日：2023-09-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 方中元 ,  樊浩男 ,  范王琛 ,  陈明刚 ,  李泳佳 ,  钱钦松 ,  徐申 ,  孙伟锋

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种基于片上环路高阶补偿的内环电阻高阶补偿电路，属于电压基准电路领域，通过电阻阵列实现对基准源进行修调的仅采用CMOS的电压基准电路，并通过内环的电阻高阶补偿实现低功耗和低温度系数，以恶劣环境开关电源电路作为典型应用，该拓扑结构提出的内环电阻高阶补偿可以显著降低温度系数，实现宽温度范围下工作。

公开(公告)号：CN111404359B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202010324535.X

申请日：2020-04-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  王若臣 ,  谷诚 ,  许胜有 ,  杨兰兰 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H02M1/00

Abstract: 本发明公开了一种有源箝位反激类变换器的低损耗原边电流采样系统，包括原边电流采样电路及控制方法，原边电流采样电路包括输入级，采样控制电路和采样保持电路三部分：输入级利用辅助变压器建立采样控制电路的输入信号，采样控制电路负责根据输入级建立的信号来控制采样保持电路的工作状态，采样保持电路负责进行采样操作。本发明适用于绝大部分的有源箝位反激类变换器，利用数字逻辑电路、数个分立器件及辅助变压器实现对主功率变压器原边电流信号的采样，并使采样所得信号能够保持一段时间。同时，本发明在保证较高采样精度的前提条件下，简化了原边电流采样的电路结构及控制策略，不造成过多额外功耗，节省面积，降低了电路成本。