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公开(公告)号：CN115219740A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210969461.4
申请日：2022-08-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，具体为一种Ni与SiC接触界面性质的表征方法。通过将所述Ni/SiC层放入真空制备腔中进行加热，模拟导致Ni/SiC层发生失灵的温度；再将所述Ni/SiC层断开形成断面后，使用所述扫描探针显微镜的探针对所述接触界面区域进行表征。实现了对Ni与SiC界面性质的表征，可以获得Ni与SiC界面处及界面附近的形貌图，并可以实现对其电学性质进行测量。解决了扫描探针显微镜无法表征界面性质的难题，同时也可以在微观水平上观察Ni与SiC界面处的性质随温度的变化，对理解金属半导体接触具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN114836834A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210776964.X
申请日：2022-07-04
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种PVT法连续生长单晶碳化硅的装置及方法，包括：晶体生长设备，所述晶体生长设备用于碳化硅晶体的PVT法生长；上料设备，所述上料设备包括固体粉末源和气流源，所述固体粉末源与气流源可分离，上料设备采用带载模式或鼓泡模式上料；混料设备，所述混料设备连接于上料设备和晶体生长设备之间，利用混料设备进行多级混料，在进入晶体生长设备之前将固体粉末气流搅拌均匀。本发明中，实现碳化硅晶体生长的原料持续供给，且选择性的采用带载模式或鼓泡模式进气，采用带载模式进气，能够快速生长碳化硅晶体，或者采用鼓泡模式进气，能稳定的生长碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN114800253A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210627321.9
申请日：2022-06-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明具体涉及硅晶圆加工技术领域，具体为一种碳化硅晶圆的研磨装置及方法，所述碳化硅晶圆的研磨装置包括：研磨机构，所述研磨机构包括研磨驱动机构和研磨基座，所述研磨驱动机构为碳化硅晶圆片的旋转研磨提供动力；研磨液供给源，所述研磨液供给源包括研磨液、磁流变液和磁场，通过磁场使磁流变液形成磁簇，从而控制研磨液中研磨颗粒的运动轨迹；磨粒回收机构，所述磨粒回收机构包括磁力控制设备，通过磁力控制设备对研磨颗粒和磁流变液分离，之后对研磨颗粒进行回收。本发明使研磨液中的研磨颗粒分布均匀，使碳化硅晶圆片的表面研磨均匀，研磨结束后，通过磁力控制设备的表面可控的产生磁性，对研磨颗粒集中收集，对磁流变液进行循环使用。
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公开(公告)号：CN114778577A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210715862.7
申请日：2022-06-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01N23/20
Abstract: 本发明涉及碳化硅检测技术领域，特别涉及一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法，包括：利用X射线衍射仪对碳化硅样品进行逐点的X射线摇摆曲线面扫描，摇摆曲线面的X射线的晶面入射角范围至少覆盖对应的碳化硅缺陷检测角度和碳化硅多型检测角度；获取碳化硅样品每一个检测点的X射线的摇摆曲线，基于摇摆曲线的特征来检测碳化硅样品的缺陷分布及不同晶型分布；根据碳化硅样品的缺陷分布及不同晶型分布分析不同晶型对缺陷的影响。利用所述方法可以准确直观的反映出不同的缺陷类型，以及缺陷、不同晶型在晶体中的分布，从而为晶体缺陷质量的改善提供更重要的反馈。
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公开(公告)号：CN114217095B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210154304.8
申请日：2022-02-21
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及扫描显微成像技术领域，公开了一种适用于半导体缺陷定位的扫描探针显微镜，第一激光束依次通过滤光片、光阑和第一透镜、第一单色仪汇聚后，打到探针的悬梁臂和样品上，样品表面发出的荧光信号入射到第二单色仪，经由光电转换器将荧光信号转换为电信号后，对电信号进行放大并发送至数据采集单元；第二激光束透过第二透镜打到探针的悬梁臂并打在样品上的同一点上，经第三透镜收集后入射至SPM探测器，转换为电信号输入至SPM信号采集器；通过移动探针或/和样品实现对所述样品表面的扫描。本发明装置可以很快的定位到样品的缺陷位置，对于表面缺陷和无法在表面看到的缺陷，不需要再通过两个以上的装置进行重复检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114318542B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210245207.X
申请日：2022-03-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，公开了一种保持碳化硅单晶生长温度的方法，包括：对碳化硅单晶生长设备进行建模得到设备模型并对加热实验进行模拟，得到对应每次模拟过程中所述设备模型的碳化硅晶体表面的温度值，计算相邻实验温度值的温度差ΔT；通过碳化硅单晶生长设备进行实际单晶生长，以相应的固定加热功率加热相同所述预定时长直至坩埚盖顶部温度为T1‑ΔT×（i‑1），式中，i=1、2…，从而保持对应的碳化硅晶体表面的温度一致。本发明通过数值模拟计算，通过碳化硅晶体表面温度的变化去校正被测量的坩埚盖表面的温度。从而保证每次实验碳化硅晶体生长的温度一致，从而保证每次生长出来的碳化硅晶体的品质一致。
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公开(公告)号：CN114318551B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210244788.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置，包括：提供碳化硅晶片，将碳化硅晶片放置到坩埚中，其中，碳化硅陪片的第一表面面向腐蚀剂，碳化硅陪片的第二表面面向碳化硅晶片的碳面，碳化硅陪片的尺寸与坩埚内壁的尺寸相适应且碳化硅陪片的侧边与坩埚的内壁之间留有间隙，碳化硅晶片的碳面与碳化硅陪片的第二表面之间小于或等于预定距离；基于加热工艺对坩埚进行加热，加热形成的腐蚀剂蒸汽对所述碳化硅晶片和所述碳化硅陪片进行腐蚀。本发明使得在保证高温腐蚀活性的同时有效降低腐蚀剂浓度，实现碳化硅晶片碳面和硅面位错的显露，在碳化硅晶片的碳面和硅面得到区分度高的位错腐蚀坑，识别明确。
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公开(公告)号：CN114574969A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210485579.X
申请日：2022-05-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种生长高质量碳化硅晶体的装置与方法，包括第一加热装置、第二加热装置、生长坩埚内部的第一装料区和第二装料区，中心轴向导热装置，采用分区域装料方式、双区域加热共同耦的方式来进行高质量碳化硅晶体的制备。采用本发明所述的生长方法可以在生长初期有利于进行台阶流生长的模式，在生长后期可以弥补平衡碳硅比，诱导生长区的气流向籽晶方向运动进而稳定生长区域的气氛环境。另外，利用本发明的方法还可大幅度提高原料的利用率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114527143A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210428181.2
申请日：2022-04-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明公开一种无损检测半导体缺陷演变方法、系统及装置，方法包括：获取至少两种波长的单色激发光照射于待检测半导体形成的光致发光光谱图像，其中，每种波长的单色激发光照射在待检测半导体的同一区域；判断每个光致发光光谱图像中是否在特定波长范围内存在光谱特征峰；若存在，则通过光谱特征峰的形态确定出对应的缺陷类型；将所述缺陷类型与相应的深度进行关联，得到待检测半导体缺陷的纵向分布，进而得到同一区域内不同缺陷类型之间的相互演化。得到待检测半导体同一区域不同深度的缺陷，进而得到纵向的变化，能够直接研究缺陷的起源并且得到不同缺陷之间的相互演化，从而为晶体缺陷质量的改善提供重要的参考。
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公开(公告)号：CN114523220A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210407355.7
申请日：2022-04-19
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶圆片制造技术领域，公开了一种碳化硅晶圆片剥离方法及剥离装置，包括：将碳化硅晶锭作为阳极通过碳化硅晶锭上的导电层连接电压输出端并在刻蚀液中设置阴极连接电压输入端；将激光聚焦在所述碳化硅晶锭内部的预定深度处从所述碳化硅晶锭的边缘开始向内进行扫描形成非晶层的同时采用大于非晶层表面两侧的单晶层对应的吸收光波长临界值的入射光照射在所述碳化硅晶锭表面；在照射的过程中向碳化硅晶锭提供正恒电位对非晶层进行刻蚀，快速实现单晶层的剥离，得到碳化硅晶圆片。本发明采用的刻蚀工艺方法，可快速获得厚度可控的碳化硅晶圆片。
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