公开(公告)号：CN101521182B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200910126428.X

申请日：2009-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 沟口隆文 ,  三上真弓 ,  斎藤祐美子

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/764 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/764 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种显示装置的制造方法。具体地说，形成第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜；在第二导电膜上形成第一抗蚀剂掩模；进行第一蚀刻来至少使第一导电膜的表面露出；对第一导电膜的一部分进行伴随侧面蚀刻的第二蚀刻来形成栅电极层；在第二导电膜上形成第二抗蚀剂掩模；通过进行第三蚀刻形成源电极及漏电极层、源极区及漏极区和半导体层来形成薄膜晶体管；形成第二绝缘膜；在第二绝缘膜中形成开口部来使源电极或漏电极层的一部分露出；在开口部及第二绝缘膜上选择性地形成像素电极；以及在与开口部重叠的区域中形成由栅电极层构成的支撑部。

公开(公告)号：CN101521182A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910126428.X

申请日：2009-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 沟口隆文 ,  三上真弓 ,  斎藤祐美子

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/027 ,  H01L27/12 ,  G03F1/00 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L21/764 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种显示装置的制造方法。具体地说，形成第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜；在第二导电膜上形成第一抗蚀剂掩模；进行第一蚀刻来至少使第一导电膜的表面露出；对第一导电膜的一部分进行伴随侧面蚀刻的第二蚀刻来形成栅电极层；在第二导电膜上形成第二抗蚀剂掩模；通过进行第三蚀刻形成源电极及漏电极层、源极区及漏极区和半导体层来形成薄膜晶体管；形成第二绝缘膜；在第二绝缘膜中形成开口部来使源电极或漏电极层的一部分露出；在开口部及第二绝缘膜上选择性地形成像素电极；以及在与开口部重叠的区域中形成由栅电极层构成的支撑部。