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公开(公告)号：CN110407154B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201810400599.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS微执行器，包括：衬底层和位于所述衬底层上的器件层，衬底层上形成有凹槽，凹槽底部形成有上下贯通的通孔；器件层包括样品搭载部，驱动部及电极部，样品搭载部和驱动部位于衬底层的凹槽上；驱动部包括支撑单元和静电梳齿驱动单元，通过静电梳齿驱动单元驱动样品搭载部，在施加外来激励的同时原位动态记录纳米材料的微观结构演化。本申请的MEMS微执行器具有可批量生产，且制作方法简单，响应时间更短，稳定性更好，控制精度更高等优点。本申请的原位单轴拉伸器件，利用了本申请的MEMS微执行器，具有很高的适配性，能避免温度对纳米样品的影响，可在室温下观察纳米样品的显微结构演化过程，并从最佳的晶带轴实现高分辨成像。
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公开(公告)号：CN113933289A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111031601.5
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/78 , G01N21/01 , G01N33/52 , G01N33/543 , G01N33/552 , G01N33/58
Abstract: 本发明公开了一种基于检测试纸的靶标物半定量检测方法及检测试纸，包括通过共价修饰试剂，同时将探针一和pH酶的混合液共价修饰到二氧化硅纳米颗粒上，得到免疫硅纳米颗粒；将配对探针二与磁珠孵育，得到免疫磁珠；将免疫硅纳米颗粒、免疫磁珠与靶标物结合，形成免疫磁珠‑靶标物‑免疫硅纳米颗粒的三层结构；再与pH酶的底物发生催化反应，以改变待测溶液pH；将待测溶液的上清液滴加在检测试纸上，根据颜色变化以及浓度与pH的标准曲线，得到靶标物浓度的半定量检测结果。本发明采用检测试纸进行快速半定量，同时采用纳米免疫磁珠分离技术和免疫硅纳米粒子偶联吸附技术，适用于多种靶标物的快速检测，灵敏度高，通用性强，大大提升检测效率。
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公开(公告)号：CN110687066B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201910875672.X
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本申请提供一种红外气体传感器，包括探测器，探测器包括多个传感单元，传感单元包括传感芯片和滤波元件；传感单元按功能分为第一类传感单元和第二类传感单元；第一类传感单元为检测单元，第二类传感单元为补偿单元；检测单元的数量为多个，检测单元的滤波元件的中心波长分别对应待测气体的不同红外特征吸收峰；补偿单元的数量为至少一个，补偿单元的滤波元件的中心波长分别对应不同无待测气体吸收的波长。本申请提供的红外气体传感器充分利用气体多个红外吸收峰的特性，以多个检测单元对待测气体的多级吸收峰信号进行检测，通过多级吸收峰信号的加权计算，结合补偿单元信号进行待测气体的识别和检测，提高待测气体的检测精度和气体识别能力。
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公开(公告)号：CN113345781A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110571179.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 为了解决现有技术中竖直型纳米空气沟道晶体管的栅极电压高的技术问题，本发明提出了一种纳米空气沟道晶体管，晶体管包括：阳极，阳极设有阳极支点；栅极，栅极的第一侧与阳极支点连接，栅极的第二侧设有栅极支点；阴极，阴极与栅极支点连接，阴极的靠近栅极的一侧设有第一凸起。当本发明中的器件工作时，可在阴极上施加负偏压，在栅极和阳极上施加正偏压。当电压达到一定程度的大小时，阴极表面上发射出的电子通过栅极中的网孔到达阳极，产生电流。通过调节栅极电压和阳极电压可以改变电流的大小。由于栅极距离阴极距离更近，栅极电压对电流大小的影响要远大于阳极电压对电流大小的影响。阴极表面的第一凸起可以促进电子发射，降低工作电压。
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公开(公告)号：CN111720390B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201910950177.0
申请日：2019-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: F15D1/00 , F16L55/045 , F16L55/055 , G01D3/028
Abstract: 本发明涉及检测设备技术领域，特别涉及一种流体流速稳定系统。包括：流速稳定腔和顶盖，所述流速稳定腔与所述顶盖密封连接；所述流速稳定腔的上部或所述顶盖上设有第一端口，所述第一端口与所述流速稳定腔连通；所述流速稳定腔的底部设有第二端口；所述第一端口和/或第二端口的截面积小于所述流速稳定腔的截面积。利用流体流速稳定系统，可以低成本高效的解决液体泵的流速不稳定的现象对流速敏感的传感器检测产生负面影响，并且不需要节流阀和压力表等昂贵设备的配合。通过在流速敏感的传感器加上稳流装置，消除传感器表面的流速变化，方便后端信号处理单元对传感器输出信号进行处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111721708B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010073580.2
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用光调控硅纳米线传感器灵敏度的装置及方法，所述装置包括用于输出测试目标物的敏感信号，并将敏感信号转换为电信号的硅纳米线传感器，用于为硅纳米线传感器提供预设光照强度的光源；用于调节预设光照强度的光功率调节器以及进行信号处理和反馈的信号处理器。该装置通过在硅纳米线传感器的顶端设置功率可调光源，改变其周围的光照条件，从而实现调控其灵敏度的功能。该方法利用硅纳米线传感器在不同的光照强度下具有不同的响应灵敏度，通过设定合适的光照条件来调控传感器的灵敏度。本发明结构简单，操作方便，对器件没有损伤，可以实现对硅纳米线传感器灵敏度的便捷、有效调控。
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公开(公告)号：CN112103158A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010848843.2
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种纳米二极管、其制备方法及其应用，所述方法包括以下步骤：S1：制备第二电极层：在衬底上处理第二电极材料形成第二电极层；S2：制备绝缘层：在所述第二电极层远离所述衬底一侧的表面上处理绝缘材料形成绝缘层；S3：制备第一电极层：在所述绝缘层远离所述第二电极层一侧的表面上处理第一电极材料形成第一电极层；S4：采用各向同性腐蚀工艺去除所述第一电极层和所述第二电极层之间的部分绝缘层，以使所述绝缘层不完全填充所述第一电极层和所述第二电极层之间的空间；本发明的纳米二极管不仅具有高功率和高频率响应优势，且同时具备低功耗、便于集成化的优点，符合未来集成电路的发展需求。
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公开(公告)号：CN111721710A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010073597.8
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用光标定硅纳米线传感器的方法，包括：对所述硅纳米线传感器进行表面修饰；获取预定测试环境下已修饰硅纳米线传感器在不同光照强度下的光响应电流；基于所述光响应电流确定光响应函数表达式的光响应函数解析式；根据所述光响应函数解析式和环境变量偏置值，确定目标物响应函数表达式的目标物响应函数解析式；基于所述目标物响应函数解析式，确定待测样品的响应电流所对应的待测样品浓度。该方法利用硅纳米线对光的吸收效率来评估硅纳米线传感器的性能，解决由于传感单元差异引起的传感器件响应效率不一致问题。该标定方法具有简单、高效、成本低、器件无损和不干扰后续器件使用的优点。
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公开(公告)号：CN111720390A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910950177.0
申请日：2019-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: F15D1/00 , F16L55/045 , F16L55/055 , G01D3/028
Abstract: 本发明涉及检测设备技术领域，特别涉及一种流体流速稳定系统。包括：流速稳定腔和顶盖，所述流速稳定腔与所述顶盖密封连接；所述流速稳定腔的上部或所述顶盖上设有第一端口，所述第一端口与所述流速稳定腔连通；所述流速稳定腔的底部设有第二端口；所述第一端口和/或第二端口的截面积小于所述流速稳定腔的截面积。利用流体流速稳定系统，可以低成本高效的解决液体泵的流速不稳定的现象对流速敏感的传感器检测产生负面影响，并且不需要节流阀和压力表等昂贵设备的配合。通过在流速敏感的传感器加上稳流装置，消除传感器表面的流速变化，方便后端信号处理单元对传感器输出信号进行处理。
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公开(公告)号：CN108007580B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201711447533.4
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于SiC热电材料的高温热流传感器及其制备方法，包括：SiC衬底，具有第一表面和第二表面，第一表面上设有沟槽及由沟槽围绕形成的平台区域；复合介质膜，覆盖沟槽及平台区域；隔热腔体，设于SiC衬底中，由第二表面向内凹入，位于平台区域的部分复合介质膜下方；P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块，位于平台区域的复合介质膜上，且局部位于隔热腔体上方；绝缘介质层，覆盖P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及复合介质膜；金属图层，形成于绝缘介质层上，包括电极及引线，将P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。本发明采用具有优异高温性能的单晶SiC作为热电材料，可实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。
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