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公开(公告)号：CN117434765A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311494671.3
申请日：2023-11-10
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343
Abstract: 本发明涉及一种利用滤色光栅提高分辨率的显示装置。通过采用双液晶结构实现全彩化显示，在下层液晶层中的旋转液晶器件和滤色光栅结构的配合下，可以实现单个子像素单元发出两种颜色或其混合色的光。该显示装置包括导光板背光源、上下偏光片、两层液晶光学调节层以及位于两层光学调节层中的滤色光栅复合结构。其中，每个像素具有两个光栅结构单元，分别控制蓝光、红（绿）光的出射状态和光强。本发明提供的显示面板（显示装置）可以提高分辨率，并且可以应用在LCD上。
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公开(公告)号：CN115166891B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210851900.1
申请日：2022-07-20
Applicant: 福州大学
IPC: G02B6/00 , G02F1/13357
Abstract: 本发明公开了一种基于全内反射自由曲面的Mini‑LED背光模组，包括自下而上设置的背光单元、扩散膜。背光单元由若干Mini‑LED光源、Mini‑LED底座和自由曲面导光板组成的调光单元构成。所述自由曲面导光板底部为圆柱形，底部圆柱正上方为具有反射和透射功能的锥形自由曲面，使得Mini‑LED发出的部分光线在导光板水平传播，部分光线经由棱环形透射微结构向上准直透射出光。下表面设置有阶梯式光线耦出微结构，在导光板内水平传播的光线经由此结构后准直向上出射。本发明将Mini‑LED光源发出的光通过可准直光线的自由曲面导光板转化为大面积均匀柔和的面光源，省去棱镜膜从而可减薄模组厚度，同时具有较高出光亮度、低功耗及可区域调光的优点。
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公开(公告)号：CN115016213B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210837911.4
申请日：2022-07-16
Applicant: 福州大学
IPC: G03B21/20
Abstract: 本发明提供了一种实现Micro‑LED彩色化投影的光学引擎，包括Micro‑LED芯片、驱动电路基板、微透镜阵列、量子点色转换膜、合色棱镜以及投影物镜。所述的Micro‑LED芯片阵列安装在驱动电路基板上，量子点色转换膜紧贴于Micro‑LED芯片阵列上方，微透镜阵列安装在量子点色转换膜上与Micro‑LED芯片阵列一一对应。本发明可实现Micro‑LED单芯片以任意角度合色实现全彩化投影，降低了投影彩色化的成本，具有更大的灵活性和更小的体积。
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公开(公告)号：CN115734634A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211580087.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于立方型核壳多阱量子阱发光层的QLED器件及其制备方法，由以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳的立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、发光层的LED器件。本发明运用热注入法制备具有立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料，其结构新颖，发光层形貌优异规整，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、立方形貌、良好的结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率。
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公开(公告)号：CN113451484B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202110506849.6
申请日：2021-05-10
Abstract: 本发明涉及一种面向显示的单色量子点色转换层的光转换效率计算方法，包括以下步骤：步骤S1:获取量子点光色转换层初始参数；步骤S2:根据光线波长或频率的不同对色转换层进行逻辑通道划分；步骤S3:基于量子点色转换逻辑通道，构建经过量子点光色转换层转换后的单色光与膜片厚度和量子点浓度之间的理论关系模型；步骤S4:根据理论关系模型，获取量子点光色转换层的膜厚与浓度的最佳参量；步骤S5:建立光转换效率与膜片厚度和量子点浓度之间的理论关系。本发明准确、高效地得到包括转换光出光强度、光转换效率等量子点光色转换层的出光光学性能参量，并获得转换光转换效率最大时的量子点浓度或光色转换层的厚度参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113254849B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202110504455.7
申请日：2021-05-10
Applicant: 福州大学
IPC: G06F17/10 , G06F30/25 , G02F1/13357
Abstract: 本发明提出一种多种散射粒子和量子点共混的色转换层光学参数计算方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：设定多色量子点色转换层参数和朗伯面光源的光强参数；步骤S2：依据光线波长或频率的不同对色转换层进行逻辑通道划分，分别构建纯蓝光逻辑通道和具有不同颜色量子点的色转换逻辑通道；步骤S3：依据纯蓝光逻辑通道，计算入射蓝光光强随光色转换层厚度及散射粒子和多色量子点浓度变化的关系；步骤S4：依据色转换层逻辑通道，计算转换光光强随光色转换层厚度及散射粒子和多色量子点浓度变化的关系；步骤S5：对混合多种散射粒子和多种颜色的量子点色转换层的光学参数进行计算。
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公开(公告)号：CN113684026B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202111084146.5
申请日：2021-09-16
Abstract: 本发明涉及一种基于阴离子交换合成全光谱钙钛矿量子点的方法，包括以下步骤：步骤S1:获取CsPbBr3钙钛矿量子点母液；步骤S2:将阴离子交换树脂分别与Cl离子和I离子的无机盐溶液混合，获取Cl型和I型阴离子交换树脂；步骤S3:将CsPbBr3钙钛矿量子点母液与Cl型和I型阴离子交换树脂分别按照预设比例混合，并进行进行纯化处理，分别得到实现绿色光谱至近紫色光谱转变的CsPbBrxCl3‑x和实现绿色光谱至红色光谱转变的CsPbBrxI3‑x。本发明采用阴离子交换树脂作为钙钛矿量子点阴离子交换的媒介，在不引入非发光杂质的前提下在全光谱范围内（400nm‑700nm）对荧光发射光谱实现纳米级精确调控。
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公开(公告)号：CN113238407B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110455393.5
申请日：2021-04-26
IPC: G02F1/1335 , G09F9/30
Abstract: 本发明涉及一种提升显示效率的吸光黑矩阵结构及其制备方法，所述吸光黑矩阵结构包括用于隔离色转换层各基色子像素的吸光黑矩阵和显示面板基底，所述吸光黑矩阵和显示面板基底非一体成型，所述吸光黑矩阵由阵列的黑矩阵单元组成，所述显示面板基底上间隔布设所述黑矩阵单元和各基色子像素，所述黑矩阵单元具有吸光功能，所述黑矩阵单元内部中空，且其内表面镀有光源出射光对应颜色的反射膜系；所述显示面板基底下侧配设有直下式阵列光源，所述直下式阵列光源与各基色子像素对准，出射光的波长范围由光源出射光光谱决定。该吸光黑矩阵结构及其制备方法有利于提高光源利用率，提升显示效率。
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公开(公告)号：CN113255200B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110504576.1
申请日：2021-05-10
Applicant: 福州大学
IPC: G06F30/25
Abstract: 本发明提出一种混合散射粒子的单色量子点色转换层的光学参数计算方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：获取量子点光色转换层初始参数；步骤S2：依据光线波长或频率的不同对色转换层进行逻辑通道划分，分别构建纯蓝光逻辑通道1和色转换逻辑通道2；步骤S3：依据纯蓝光逻辑通道1，计算入射蓝光光强随光色转换层厚度及散射粒子和量子点浓度变化的关系；步骤S4：依据色转换逻辑通道2，计算转换光光强随光色转换层厚度及散射粒子和量子点浓度变化的关系；步骤S5：对混合散射粒子的单色量子点色转换层的光学参数进行计算。其能够根据所给的量子点发光光谱参数，准确、高效地得到包括转换光出光强度、光转换效率、入射蓝光泄露率、光密度等量子点光色转换层的出光光学性能函数。
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公开(公告)号：CN114300503A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111618294.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种包覆式多量子阱NLED阵列结构及其制作方法，提供的方案包括透明电极层，图案化处理的第一型半导体层、多量子阱层和具有表面微结构的第二型半导体层、二氧化硅保护层、具有高反射性质的金属电极层；其中，多量子阱层在第一型半导体层的圆台型图案上直接生长，多量子阱层表面包覆在第一型半导体的圆台型图案上，以增大出光面积，提高器件的发光亮度，并且可以释放GaN与蓝宝石衬底之间的应变力，抑制量子阱限制斯塔克效应，增加LED的内量子效率。同时，第二型半导体上的表面微结构为周期性光栅阵列结构，以及整体梯形存在一定的倾斜角度的结构，能够减少第二型半导体和透明电极之间高折射率差带来的全反射，从而提高LED的外量子效率。
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