公开(公告)号：CN114300503B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202111618294.0

申请日：2021-12-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 叶芸 ,  彭宇 ,  郭太良 ,  陈恩果 ,  徐胜

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明提出一种包覆式多量子阱NLED阵列结构及其制作方法，提供的方案包括透明电极层，图案化处理的第一型半导体层、多量子阱层和具有表面微结构的第二型半导体层、二氧化硅保护层、具有高反射性质的金属电极层；其中，多量子阱层在第一型半导体层的圆台型图案上直接生长，多量子阱层表面包覆在第一型半导体的圆台型图案上，以增大出光面积，提高器件的发光亮度，并且可以释放GaN与蓝宝石衬底之间的应变力，抑制量子阱限制斯塔克效应，增加LED的内量子效率。同时，第二型半导体上的表面微结构为周期性光栅阵列结构，以及整体梯形存在一定的倾斜角度的结构，能够减少第二型半导体和透明电极之间高折射率差带来的全反射，从而提高LED的外量子效率。

公开(公告)号：CN114300503A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111618294.0

申请日：2021-12-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 叶芸 ,  彭宇 ,  郭太良 ,  陈恩果 ,  徐胜

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明提出一种包覆式多量子阱NLED阵列结构及其制作方法，提供的方案包括透明电极层，图案化处理的第一型半导体层、多量子阱层和具有表面微结构的第二型半导体层、二氧化硅保护层、具有高反射性质的金属电极层；其中，多量子阱层在第一型半导体层的圆台型图案上直接生长，多量子阱层表面包覆在第一型半导体的圆台型图案上，以增大出光面积，提高器件的发光亮度，并且可以释放GaN与蓝宝石衬底之间的应变力，抑制量子阱限制斯塔克效应，增加LED的内量子效率。同时，第二型半导体上的表面微结构为周期性光栅阵列结构，以及整体梯形存在一定的倾斜角度的结构，能够减少第二型半导体和透明电极之间高折射率差带来的全反射，从而提高LED的外量子效率。