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公开(公告)号：CN101694840A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910167915.0
申请日：2009-10-16
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种功率器件集成电路，属于半导体功率器件集成技术领域。本发明提供的功率器件集成电路，包括同一硅片上集成的两个或多个功率器件；所述两个或多个功率器件下方的衬底通过衬底刻蚀技术刻蚀掉；所述两个或多个功率器件在具体功率集成电路中等电位的电极采用共用电极实现电气连接，且一个共用电极共用一个重掺杂欧姆接触区；同时共用电极的功率器件之间无需另加PN结隔离区。本发明一方面通过共用电极技术无需PN结隔离，提高了芯片面积利用率；另一方面通过衬底刻蚀技术，消除了衬底带来的寄生效应，同时衬底刻蚀无需深n阱注入推结，从而有效降低工艺难度和器件成本。本发明提出的功率器件集成电路可广泛应用于体硅功率集成电路中。
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公开(公告)号：CN101465354A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810147823.1
申请日：2008-12-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/12
Abstract: 等离子平板显示器扫描驱动芯片用高压器件属半导体功率器件领域。在衬底、埋氧层和SOI层上建立高压nLIGBT、高压nLDMOS、高压pLDMOS和低压CMOS，用介质隔离区分开。埋氧层处于衬底和SOI层中间，SOI层厚度仅为0.5～3μm。介质隔离区采用硅局部氧化工艺或浅槽隔离技术形成。各p型阴极区阱、p型源区阱、n型源区阱、p型体区、n型体区、n型漂移区、p型漂移区、n型阳极区阱、n型漏区阱、p型漏区阱直接与埋氧层2相接，进一步消除了SOI器件的寄生效应。在薄层SOI上开发适用于等离子平板显示器扫描驱动芯片的高压器件，通过隔离技术实现了高压与低压器件的单片集成，寄生效应小、速度快、功耗低，易加工，成本低，可制作各种性能优良的高压、高速、低导通损耗功率器件。
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公开(公告)号：CN101431096A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810147818.0
申请日：2008-12-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种SOI LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在器件阴极侧增加一个收集阳极注入空穴的深结P+掺杂区(15)，以降低流过阴极N+区(11)下P型体区(8)中的空穴电流，并缩短阴极N+区(11)下寄生P型体区(8)电阻长度，从而防止P型体区(8)和阴极N+区(11)构成的PN结正向导通，避免由阴极N+区(11)、P型体区(8)和N－漂移区(14)构成的寄生NPN管开启，提高LIGBT器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN101419981A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810147771.8
申请日：2008-12-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种槽栅SOI LIGBT器件，涉及半导体功率器件技术。本发明包括衬底、埋氧层、N型缓冲层、阳极P+区、阳极金属、N型漂移区、场氧化层、金属前介质层、P+区、N+区、多晶硅槽栅、LIGBT器件栅氧化层、P型沟道区、多晶硅槽栅金属和阴极金属，阴极金属与P+区和N+区连接，P+区10位于N+区11和阳极P+区4之间。本发明降低了栅氧化层附近的电场强度，防止了热载流子注入到栅氧中，增强了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN120010493A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510458305.5
申请日：2025-04-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于动态目标追踪的运动规划方法，该运动规划方法先进行路径规划，通过定义当前时刻的局部目标点的位置，并采用路径规划算法获取无人机到局部目标点的最短路径；然后采用B样条曲线对最短路径进行平滑优化，在基于障碍物的高斯势场对平滑优化后的优化曲线进行碰撞检测后，获取最终轨迹；最后，控制无人机沿着最终轨迹移动，直至到达局部目标点的位置。本发明通过在规划过程中引入局部目标点以优化局部路径规划，大幅减少搜索负担；同时，本发明采用高斯势场B样条优化方法，使无人机的飞行轨迹更加平滑，且能够在复杂环境下实现高效、平滑且安全的动态目标追踪。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115954402B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202211598896.9
申请日：2022-12-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元纳腔集成的纳米空气沟道光混频器，属于毫米波/太赫兹器件与光电探测器技术领域。该器件包括绝缘衬底，依次设置于其上方的下电极、半导体吸收层、纳米绝缘层；纳米绝缘层上方设置上电极，该上电极从右侧向下延伸至绝缘衬底，且上电极与下电极、半导体吸收层、纳米绝缘层之间设置横向隔离层；上电极与半导体吸收层之间构成纳米空气沟道；上电极与下电极之间构成表面等离激元纳腔。本发明通过将入射光局域压缩在超薄的半导体吸收层内，使其在保持充分光吸收和高响应度的同时实现大带宽；同时通过将半导体吸收层夹在高热导率的电极之间改善散热性，从而同时达到高响应度、大带宽与大输出功率性能。
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公开(公告)号：CN119596245B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510139288.9
申请日：2025-02-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件及无线电波测距领域，具体为一种适用于相控阵功率加权的发射控制系统，包括幅度相位控制单元、驱动放大单元、功率放大单元、功率耦合单元、功率检波单元、低通滤波单元、模数转换单元、供电控制单元、以及隔离器单元；供电控制单元通过引入功率放大单元的输出信号作为反馈信号，根据反馈信号和输入的控制字初始值生成控制字控制的控制，对电源稳压单元提供的电源电压进行调节，以生成动态可变VDD作为漏极供电电压，实现了仅使用一种功率放大器的条件下产生多种不同的功率输出，且每种功率输出均是在功率放大器处于饱和状态下产生的。本发明能够使功率放大器工作在饱和状态，提高发射效率的同时，还不易受温度波动影响。
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公开(公告)号：CN119596245A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202510139288.9
申请日：2025-02-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件及无线电波测距领域，具体为一种适用于相控阵功率加权的发射控制系统，包括幅度相位控制单元、驱动放大单元、功率放大单元、功率耦合单元、功率检波单元、低通滤波单元、模数转换单元、供电控制单元、以及隔离器单元；供电控制单元通过引入功率放大单元的输出信号作为反馈信号，根据反馈信号和输入的控制字初始值生成控制字控制的控制，对电源稳压单元提供的电源电压进行调节，以生成动态可变VDD作为漏极供电电压，实现了仅使用一种功率放大器的条件下产生多种不同的功率输出，且每种功率输出均是在功率放大器处于饱和状态下产生的。本发明能够使功率放大器工作在饱和状态，提高发射效率的同时，还不易受温度波动影响。
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公开(公告)号：CN118100825B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410144130.6
申请日：2024-01-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可调有源谐波抑制电路的微波功率放大系统，包括可调有源谐波抑制电路、微波晶体管、输入匹配网络和输出匹配网络。该放大系统利用晶体管本征非线性寄生电容随工作点和输入信号改变的特性，与合适的无源结构组合实现对二次谐波阻抗和三次谐波阻抗的动态匹配，抑制二次谐波和三次谐波输出功率，同时调制带外频率响应，动态改变谐波频率增益。可调有源谐波抑制电路作为并联枝节集成在功率放大器的输出匹配网络中，同时参与基波匹配，避免级联额外滤波器，减小了损耗，节省了面积。
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公开(公告)号：CN115952851B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202211375805.5
申请日：2022-11-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/08 , G06N3/09 , G06F18/2413 , G06F18/214
Abstract: 本发明提出了一种基于信息丢失机制的自监督连续学习方法，包括：(1)一种基于信息丢失的无监督连续学习框架，以促使模型在连续任务上仅学习重要的特征表示；(2)一种基于自监督学习范式的InfoDrop损失项，以帮助模型在测试阶段去除Infodrop机制后，依旧能够提取到测试样本的重要特征表示。此外，本发明提出的无监督连续学习框架可以和大部分的连续学习策略同时使用。通过丢弃不重要的图像信息，使得模型仅关注对重要的图像信息的特征表示，以缓解模型容量的限制，在不需要引入历史任务的样本或者历史模型的参数信息情况下，提升了自监督模型的性能。
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