-
公开(公告)号：CN111261761A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010077638.0
申请日：2020-01-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明实施例提供一种伪单光子源及制备方法，包括：依次叠置的背电极层、衬底层和伪单光子源阵列；伪单光子源阵列包括依次叠置的第一绝缘层、金属遮光层、第二绝缘层和电极层；其中，第一绝缘层设置有第一通光孔，金属遮光层设置有第二通光孔，第二绝缘层设置有第三通光孔，电极层设置有线栅；第一通光孔、第二通光孔、第三通光孔和线栅为同心圆，且第二通光孔、第三通光孔和线栅的尺寸依次减小。利用半导体有源层发光，其上制备遮光层遮挡杂光，实现光的线偏振输出。该结构可实现在芯片上的集成，形成不同偏振方向的伪单光子源阵列，通过控制阵列中各光源的输入电流，可以实现各种线偏振单光子的独立输出。
-
公开(公告)号：CN110381243A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910700328.7
申请日：2019-07-31
Applicant: 清华大学
IPC: H04N5/225 , H04B10/54 , H04B10/516
Abstract: 本发明涉及成像及物体识别设备技术领域，尤其涉及一种图像采集芯片、物体成像识别设备及物体成像识别方法。该芯片的各组像素确认模块中，每个调制单元和每个感应单元分别上下对应的设置在光调制层和图像传感层上，每个调制单元内分别设有至少一个调制子单元，每个调制子单元内分别设有若干个穿于光调制层内的调制孔，同一调制子单元内的各个调制孔排布成一具有特定排布规律的二维图形结构。该芯片基于光电子学中的调制单元阵列对不同波长光的调制作用，且能同时采集多个光谱的图像信息，克服了现有物体成像识别设备价格昂贵且无法小型化的问题。
-
公开(公告)号：CN110346313A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910699962.3
申请日：2019-07-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及光谱设备技术领域，尤其涉及一种光调制微纳结构、微集成光谱仪及光谱调制方法。该光调制微纳结构包括位于光电探测层上面的光调制层，光调制层能够对入射光进行调制，从而在光电探测层上形成差分响应，以便于重构得到原光谱，从而解决现有的光谱仪过于依赖精密光学部件而使得光谱仪体积庞大、很重且昂贵的缺陷。该光调制层包括底板和至少一个调制单元，底板设在光电探测层上，各个调制单元位于底板上，每个调制单元内分别设有若干个穿于底板内的调制孔，同一调制单元内的各个调制孔排布成一具有特定排布规律的二维图形结构，利用不同的二维图形结构实现对不同波长的光的调制作用，并提高光谱仪的分析准确性。
-
公开(公告)号：CN109714109A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910043275.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明实施例提供一种量子密钥分发光子发射端，属于量子技术领域。包括：光源芯片及空间光学结构；空间光学结构包括光学滤波片、光阑及准直凸透镜；光源芯片，用于发射出不同偏振态的光子；光阑及准直凸透镜，用于将不同偏振态的光子合为一束准直输出，并利用光学衍射极限原理消除不同偏振态的光子因产生位置不同而带来的附加信息；光学滤波片，用于消除光源芯片发射出的不同偏振态的光子在频谱上的差异。本发明实施例提供的量子密钥分发光子发射端，集成的光源芯片使得线偏振光源之间的间距很小，可以达到几十微米量级，从而相应的光阑，准直凸透镜和光学滤波片的尺寸都可以设计的非常小，进而使得光子发射端整体结构可实现微型化。
-
公开(公告)号：CN108650081A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810292590.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明实施例提供一种基于量子纠缠的信息传送方法和系统。该方法包括：对信息发送端的第一光子组中光子和信息接收端的第二光子组中光子进行量子纠缠检测；若各光子均满足量子纠缠特性，根据所述本端的第三光子组中光子与所述信息接收端的第四光子组中光子之间的时间关联特性，将调制至所述第三光子组中光子上的待传送信息传送至所述信息接收端。本发明实现了无密钥的安全传输，避免了密钥在保存和管理中存在安全隐患的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106569248A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610952634.6
申请日：2016-11-02
Applicant: 清华大学
IPC: G01T1/22
CPC classification number: G01T1/22
Abstract: 本发明公开了切伦科夫辐射器件、制备方法及提取辐射的方法。该切伦科夫辐射器件包括：金属周期纳米狭缝结构；双曲超材料结构，所述双曲超材料结构设置在所述金属周期纳米狭缝结构的上表面；电子发射源，所述电子发射源设置在所述双曲超材料结构的上表面，所述电子发射源包括阳极、阴极以及栅极。该切伦科夫辐射器件无需高电压，利用双曲超材料中光的相速度可以比传统材料降低几个量级的特点，从而将切伦科夫辐射产生所需要的电子飞行速度极大地降低，进而降低了切伦科夫辐射器件的生产成本，提高了其安全性能。
-
公开(公告)号：CN105549336A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610064552.8
申请日：2016-01-29
Applicant: 清华大学
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70125 , G03F7/70008 , G03F2007/2067
Abstract: 本发明涉及一种纳米光刻装置及制备超衍射极限图形的方法，其中装置包括基底、位于基底之上的下层模板、位于下层模板之上的光刻胶、位于光刻胶之上的上层模板、位于上层模板之上的透光基板和曝光光源；上层模板具有光刻图形，上、下层模板组成光刻掩膜版，其材质均为金属或合金材质，在光刻时上、下层模板形成局域表面等离子体激元结构。本发明利用双层金属/合金光刻掩膜版，能在光刻时形成局域表面等离子体激元模式，制备线宽比光刻掩膜版上的光刻图形更小的超衍射极限复杂光刻图形，同时可以通过改变光刻掩膜版以及周围介质材料、光刻胶的厚度、曝光源波长、控制曝光功率、曝光时间等条件，对超衍射图形的线宽、深宽比进行调控。
-
公开(公告)号：CN103728692A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310743586.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米梁结构的光机晶体微腔，包括：硅衬底，用于承载整个光机晶体微腔；二氧化硅隔离层，用于隔离硅衬底和硅平板；硅平板，位于二氧化硅隔离层之上，硅平板包括依次设置的输入波导区、光机晶体微腔区、输出波导区；输入波导区用于接收光信号并将光信号传输至光机晶体微腔区；光机晶体微腔区，包括硅波导和空气孔阵列，用于局域光子和声子缺陷模式，实现光子和声子的耦合；输出波导区用于输出光信号；顶层二氧化硅层，位于硅平板之上，其与二氧化硅隔离层配合以保护硅平板；空气隔离区，位于光机晶体微腔区的上方和下方，且位于二氧化硅隔离层和顶层二氧化硅层之间。
-
公开(公告)号：CN103605216A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310603561.6
申请日：2013-11-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种光开关，该光开关包括：硅衬底1，用于承载整个器件结构；二氧化硅衬底2，覆盖于硅衬底1上，用于隔离硅衬底与硅平板；硅平板3，位于二氧化硅衬底上2，用于形成二维硅光子晶体波导、多模干涉波导、续接波导；二氧化硅隔离层4，位于硅平板3上方，并填充于二维硅光子晶体波导的孔内，用于隔离二维光子晶体波导与钛金属电极5，提供光隔离与电绝缘；钛金属平板电极5位于二氧化硅隔离层上，用于加热二维光子晶体波导；铝金属平板电极6位于钛金属平板上，作为接触电极。通过设计光子晶体波导结构实现光通信波段（波长1微米至2微米）特定波长光信号的阵列开关功能，能够增强大调控功率调控下电极的稳定性。
-
公开(公告)号：CN211627935U
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202020435409.7
申请日：2020-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: G02B21/36
Abstract: 本实用新型涉及成像及光谱识别技术领域，尤其涉及单片集成的图像传感芯片及光谱识别设备。该芯片的光调制层集成在图像传感层的上面，光调制层包括沿其厚度方向设置的至少一层子调制层；每组像素确认模块均包括调制单元和感应单元，光调制层沿其表面分布有至少一组调制单元，图像传感层上分布有至少一组感应单元，每组调制单元分别与至少一组感应单元上下对应设置；信号处理电路层连接在图像传感层的下面，并分别与各个感应单元电连接。该芯片及设备实现了分光部件与晶圆的单片集成，能实现高光谱成像，有利于降低器件失效率，提高器件的成品良率，并且性能稳定，不易受外界环境的影响。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
150
records
(took 0.048 seconds)
