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公开(公告)号:CN106569248B
公开(公告)日:2019-03-01
申请号:CN201610952634.6
申请日:2016-11-02
Applicant: 清华大学
IPC: G01T1/22
Abstract: 本发明公开了切伦科夫辐射器件、制备方法及提取辐射的方法。该切伦科夫辐射器件包括:金属周期纳米狭缝结构;双曲超材料结构,所述双曲超材料结构设置在所述金属周期纳米狭缝结构的上表面;电子发射源,所述电子发射源设置在所述双曲超材料结构的上表面,所述电子发射源包括阳极、阴极以及栅极。该切伦科夫辐射器件无需高电压,利用双曲超材料中光的相速度可以比传统材料降低几个量级的特点,从而将切伦科夫辐射产生所需要的电子飞行速度极大地降低,进而降低了切伦科夫辐射器件的生产成本,提高了其安全性能。
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公开(公告)号:CN106569248A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201610952634.6
申请日:2016-11-02
Applicant: 清华大学
IPC: G01T1/22
CPC classification number: G01T1/22
Abstract: 本发明公开了切伦科夫辐射器件、制备方法及提取辐射的方法。该切伦科夫辐射器件包括:金属周期纳米狭缝结构;双曲超材料结构,所述双曲超材料结构设置在所述金属周期纳米狭缝结构的上表面;电子发射源,所述电子发射源设置在所述双曲超材料结构的上表面,所述电子发射源包括阳极、阴极以及栅极。该切伦科夫辐射器件无需高电压,利用双曲超材料中光的相速度可以比传统材料降低几个量级的特点,从而将切伦科夫辐射产生所需要的电子飞行速度极大地降低,进而降低了切伦科夫辐射器件的生产成本,提高了其安全性能。
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