-
-
-
公开(公告)号：CN119371224B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411957499.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种利用熔盐法制备的多孔碳化钽及其制备方法与应用，结合熔融盐和固相烧结法，首先利用过量熔融钽前驱体粉末（例如氧化钽等）来使多孔碳基材料（例如多孔石墨）金属化形成多孔钽；随后钽原子热运动扩散渗透到石墨等碳材料的晶格中，得到高纯、高孔隙率的多孔碳化钽，但内部会有部分碳芯；最后在热处理炉中进行除碳，得到高纯、高孔隙率的多孔碳化钽。与现有技术相比，本发明制造的多孔碳化钽耐腐蚀性更强，可再生使用，孔隙率更高且无空隙堵塞现象的发生。
-
公开(公告)号：CN119824517A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411900908.8
申请日：2024-12-23
Applicant: 上虞半导体材料研究中心 , 浙江大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明属于材料科学与工程领域，公开了一种固液界面可调控的定向凝固炉及其固液界面调控方法，包括炉壳，所述炉壳内设置支撑框架，所述支撑框架上设置保温组件，所述保温组件中设置坩埚和加热组件，所述保温组件包裹住坩埚和加热组件，所述加热组件包括多组沿轴向间隔布置于坩埚顶部的顶部加热器、多组沿轴向间隔布置于坩埚底部的底部加热器和端面加热器，所述端面加热器位于坩埚背向籽晶端的一端，所述底部加热器的左右两侧向上延伸至坩埚的左右两侧。本发明采用三组独立控制的加热器，分别布置在坩埚的顶部、底部和一侧。通过调整加热器的功率分配，可灵活控制固液界面的形状，使其呈现凹形、凸形、平坦或倾斜状态。
-
公开(公告)号：CN119510661A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411682523.9
申请日：2024-11-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种合成二氧化硅中微量氯离子的快速检测方法及其应用。合成二氧化硅中微量氯离子的快速检测方法包括清洗溶样罐、制备样品溶液、制备标准氯离子溶液、离子色谱法检测、分析测试结果和确定合成二氧化硅中氯离子含量等过程。本发明方法既防止氯离子和溶剂挥发同时不需要额外添加助溶剂，具有易操作、耗时短、测量精度高和含量测定准确等优点，为超高纯合成二氧化硅中氯离子浓度的测定提供了一种重要的样品处理和检测手段。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116334557B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202310329308.X
申请日：2023-03-30
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , H10H20/822
Abstract: 本发明公开了一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和在近红外电致发光领域中的应用。制备方法包括：在真空下，通入氩气和氧气混合气，利用射频磁控溅射方法对掺氟氧化锡靶和氧化铒靶进行共溅射沉积薄膜；掺氟氧化锡靶中氟化亚锡的质量百分占比不大于20％；在氧气或氮气气氛下，将共溅射沉积得到的薄膜升温至200℃以上进行高温热处理，冷却得到氟铒共掺氧化锡薄膜。本发明薄膜用于制作电致发光器件后，在施加反向偏压的情况下，基于空间电荷区中发生的电子碰撞离化效应，可以实现较强的电致发光。
-
公开(公告)号：CN119372784A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411960462.8
申请日：2024-12-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种半导体晶体制备方法、籽晶托和PVT生长系统。所述方法在对现有工艺制备得到半导体晶体进行检测的基础上，获得缺陷类型和位置，再依据所述缺陷类型和位置在籽晶托上制作温控凹槽。高温生长条件下，温控凹槽及填充物会引起该处籽晶托位置热辐射变化，进而会导致相邻籽晶附近温度发生变化，从而实现精准调控籽晶生长面特定位置的热场分布。此外，本发明在籽晶托背面设置的温控凹槽，其结构与制作工艺简单，与现有技术相比，成本大大降低，即通过低成本的改进实现对籽晶生长面热场分布的精准控制，进而获得应力小、缺陷密度低的半导体晶体。
-
公开(公告)号：CN119260483A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411783897.X
申请日：2024-12-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: B24B1/00 , B24B7/22 , C30B33/00 , C30B29/36 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅晶锭的加工方法和碳化硅衬底的加工方法，所述碳化硅晶锭的加工方法包括：提供包括一价固体碱和固体含氧酸盐型氧化剂的化学改性剂并加热制成熔融混合液，将碳化硅晶锭的待处理面浸入熔融混合液中，然后进行平面机械磨削，将碳化硅晶锭的待处理面加工成平面。本发明的加工方法中，使用的熔融混合液可以使碳化硅晶锭的表面变得多孔疏松且硬度变软，降低机械磨削过程中的机械应力，同时，在机械磨削的过程中裸露出的新的表面会继续与熔融混合液进行反应，如此循环，最终能够获得相对平整、表面光滑无裂纹、应力较低的碳化硅晶锭，不仅加工效率极高，而且可以有效提高后续切片的成品率，实现高质量碳化硅衬底的制备。
-
公开(公告)号：CN118814150A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410966321.0
申请日：2024-07-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种大面积高效制备金纳米颗粒膜的方法及金纳米颗粒膜。本发明通过有机分子气液界面自组装大面积制备薄膜固态有机金分子，利用固态前驱体的热分解技术，实现金纳米颗粒单层膜的大面积高效制备。并且能够在目标衬底上实现金纳米结构的原位生长。本发明金纳米颗粒膜的形貌可以通过有机金分子膜的厚度和退火温度来调控。本发明能够实现金纳米颗粒单层膜的高效制备。并且，本发明金纳米颗粒薄膜的面积主要受水槽大小限制，原则上可以根据需求获得相应面积的金颗粒薄膜。
-
公开(公告)号：CN118745081A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410615529.8
申请日：2024-05-17
Applicant: 浙江大学 , 浙江省白马湖实验室有限公司
IPC: C03C17/34 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供了一种折射率梯度渐变的减反射薄膜及其制备方法，属于太阳电池领域。本发明首先制备了一系列溶胶，包括：二氧化钛实心颗粒、二氧化硅实心颗粒、二氧化硅空心颗粒。然后利用一定的成膜方式将不同溶胶依次成膜得到减反射薄膜，从基底到空气依次为二氧化钛实心颗粒层、二氧化硅实心颗粒层、二氧化硅空心颗粒层，折射率逐渐降低以实现折射率梯度变化的效果，从而在宽波段内表现出更好的减反射性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
780
records
(took 0.035 seconds)
