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公开(公告)号：CN206379929U
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201720059766.6
申请日：2017-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种增益自适应误差放大器，包括电平偏移电路、运算跨导放大电路和比较电路。电平偏移电路使运算跨导放大电路的输入电平满足正常工作要求；运算跨导放大电路利用双极三极管作为差分对管，并利用MOS管共源结构电流镜为其差分对管提供电流偏置以降低功耗，以保证提供更大的增益；比较电路利用反馈结构控制比较电路输出摆率，从而输出运算跨导放大电路的控制信号；限幅电路对运算跨导放大电路输出电压进行限幅。本实用新型降低了负载电流稳定应用中的电源输出纹波，从而降低了系统功耗，但同时对负载瞬态特性影响很小。
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公开(公告)号：CN206294132U
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201621335875.8
申请日：2016-12-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种低功耗低噪声电流反馈型仪表放大器，由输入预处理电路I0、运算跨导放大电路I1和电容反馈网络I2组成；所述运算跨导放大电路I1包括输入跨导支路和反馈跨导支路；在晶体管长度相同的情况下，输入跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM10和PMOS晶体管PM11的宽长比是反馈跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM12和PM13的宽长比的N倍，且偏置晶体管对即PMOS晶体管PM14宽长比是PMOS晶体管PM15的宽长比的N倍；上述N大于1。本实用新型通过等比例缩小反馈跨导晶体管支路的电流及其晶体管的宽长比，来降低电流反馈型仪表放大器的功耗与噪声。
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公开(公告)号：CN204990061U
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201520708966.0
申请日：2015-09-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本实用新型公开一种消除体效应的带隙基准源，包括启动电路，纳安量级基准电流产生电路，温度补偿电路和电流镜。利用工作在亚阈值区MOS工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，抑制电源噪声，采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管，消除体效应的影响，采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法，得到一个零温漂的参考电压。
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公开(公告)号：CN218240762U
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202222801043.2
申请日：2022-10-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型公开一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源，PTAT电流参考电路和CTAT电流参考电路分别产生与温度正相关的参考电流IP和与温度负相关的参考电流IN。温度补偿电路将参考电流IN和IP分别以不同倍数作和，得到温度依赖性低的初始基准电流IREF1。曲率补偿电路将参考电流IN和IP进行不同比例缩放，并根据基尔霍夫电流定律，通过两个相反温度系数电流的比较，得到一个凹型曲线的补偿电流IV。基准电压输出电路将初始基准电流IREF1和补偿电流IV按适当权重相加，得到温度依赖性更小的最终基准电流IREF，最后通过电压产生电路输出低温漂系数的基准电压VREF。本实用新型输出的基准电压温漂低、电源抑制比高、电压调整率低；并具有功耗和生产成本低的特点。
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公开(公告)号：CN213693674U
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202023079781.8
申请日：2020-12-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M1/12 , H03M1/06 , H03M1/10 , H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 本实用新型公开一种应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，采用单相时钟SP，在采样时通过第一级自举电路和辅助级自举电路将采样MOS管MS的栅极电压置为Vin+2VDD，从而使得采样MOS管MS的栅极‑源极电压差在采样阶段恒定为2VDD，采样管的导通电阻进一步变小，使线性度提高，采样开关电路的精度也有所提高；基于提出的两级自举电路，采用第六NMOS管M6和第七NMOS管M7串联作为采样MOS管MS的衬底开关，当处于采样模式时，采样MOS管MS的栅极电位与衬底电位保持一致，减小采样MOS管MS的衬偏效应，降低谐波失真。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212435678U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021448729.2
申请日：2020-07-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本实用新型公开一种有源‑无源噪声整形逐次逼近ADC，包括DAC电容阵列DAC1和DAC2、有源‑无源噪声整形模块(包括无源积分器PINT1和正反馈有源‑无源积分器APINT2)、六输入比较器COMP、逐次逼近逻辑模块SAR、时钟生成模块CKG、基准电压生成模块BGVG。本实用新型在有源‑无源噪声整形模块中使用最简单的MOS晶体管共源级结构，使低增益有源放大器和正反馈相结合，仅消耗几十微瓦便可获得良好的噪声整形特性，能在传统逐次逼近ADC基础上提升有效位数超过5位。该实用新型可用于低功耗、高精度的模数转换场景，例如生物医学信号采集，高精度仪表设计等领域，具有良好的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210297544U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201920282203.2
申请日：2019-03-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路，包括2个多能量升压单元；每个多能量升压单元各由1个高电压钳位电路、1个低电压钳位支路和1个输出电路构成。2个高电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个低电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个输出电路各包括1个PMOS管和1个NMOS管。本实用新型通过对两种形式的能量进行整合，解决现有技术对单一能量要求严苛问题，降低最低启动电压。本实用新型使用范围广，可广泛应用在能量收集系统中，降低自启动所需求的电压值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210246607U
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201921076573.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种工作模式可重构的能量收集控制电路及DC-DC转换器，工作模式可重构的能量收集控制电路采用单迟滞比较器以及时序控制电路，单迟滞比较器通过对输出电压的监测以决定升降压电路的工作状态，时序控制电路根据相应的工作状态生成开关信号S1-S5，DC-DC转换器利用工作模式可重构的能量收集控制电路所生成的开关信号S1-S5，提高了输出电压的稳定性，在备用锂电池给负载供电的同时系统可以持续追踪环境能量电池的最大功率并进行持续的环境能量收集，从而提高了系统对环境能量的利用率，其能量转换效率在78％以上，环境能量追踪效率在98％以上。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208079046U
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201821259187.7
申请日：2018-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03L7/18
Abstract: 本实用新型公开一种应用于锁相环的宽动态范围低失配电荷泵电路，包括偏置模块、电流镜模块和充放电匹配模块。偏置模块用于产生恒定电流并输出到电流镜模块。电流镜模块用于对充放电匹配模块中充电控制单元、充电单元、放电单元、放电控制单元提供偏置电压。充放电控制单元用于检测电荷泵输出电压并调节充放电电流，使充放电电流匹配。充放电单元用于对电荷泵输出负载充电或放电。本实用新型的电荷泵电路将输出电压反馈到充放电控制单元使得电荷泵在很宽的输出电压范围内充电电流和放电电流匹配；电荷泵电路无需额外的运算放大电路，电路结构简单，稳定性好，功耗低，易于集成，适用于高性能锁相环电路。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206292654U
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201621454868.X
申请日：2016-12-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本实用新型公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源，其特征是，包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路，并在基准电压源开启时提供电流，使得基准电压源摆脱简并偏置点；IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置；温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差，得到一个与温度无关的基准电流，并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。本实用新型具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
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