公开(公告)号：CN108897365A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810980161.X

申请日：2018-08-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 段吉海 ,  孔令宝 ,  徐卫林 ,  韦保林

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开一种高精度电流模式基准电压源，包括启动电路、CTAT基准电流源电路、PTAT基准电流源电路、温度补偿电路。本发明未使用无源电阻、二极管或者三极管，与CMOS工艺兼容，大大减小了版图面积，降低了生产成本，功耗低，同时具有高电源抑制比和低温漂系数。

公开(公告)号：CN106527559B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201611234699.3

申请日：2016-12-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 段吉海 ,  孔令宝 ,  朱智勇 ,  徐卫林 ,  韦保林

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源，其特征是，包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路，并在基准电压源开启时提供电流，使得基准电压源摆脱简并偏置点；IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置；温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差，得到一个与温度无关的基准电流，并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。

公开(公告)号：CN106527559A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611234699.3

申请日：2016-12-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 段吉海 ,  孔令宝 ,  朱智勇 ,  徐卫林 ,  韦保林

IPC: G05F1/56

CPC classification number: G05F1/561

Abstract: 本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源，其特征是，包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路，并在基准电压源开启时提供电流，使得基准电压源摆脱简并偏置点；IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置；温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差，得到一个与温度无关的基准电流，并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。

公开(公告)号：CN206292654U

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201621454868.X

申请日：2016-12-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 段吉海 ,  孔令宝 ,  朱智勇 ,  徐卫林 ,  韦保林

IPC: G05F1/56

Abstract: 本实用新型公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源，其特征是，包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路，并在基准电压源开启时提供电流，使得基准电压源摆脱简并偏置点；IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置；温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差，得到一个与温度无关的基准电流，并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。本实用新型具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。