公开(公告)号：CN111105971A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911242296.7

申请日：2019-12-06

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘金彪 ,  王桂磊 ,  王佳 ,  刘青 ,  李俊峰

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请公开了一种离子注入装置，属于半导体处理技术和设备领域，解决了现有技术中束线离子注入技术保型性差以及等离子掺杂技术易引入杂质、掺杂源受限的问题。本申请的离子注入装置，沿离子的运动方向，包括依次设置的起弧室和离子注入单元，离子注入单元包括底电极和横向电极；底电极位于衬底远离离子束线的一面，横向电极位于衬底的侧面，底电极与横向电极之间周期性地施加射频。本申请离子注入装置可用于衬底的保型掺杂。

公开(公告)号：CN102881547A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210390288.9

申请日：2012-10-15

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  北京泰龙电子技术有限公司

Inventor： 王佳 ,  刘训春 ,  席峰 ,  夏洋

IPC: H01J37/244

Abstract: 本发明公开了一种真空腔内转动部件的定位装置，属于微电子技术领域。所述装置包括：激光反射装置、密封部件、腔体外玻璃密封件和密封框架；激光反射装置位于反应室内，并与密封框架的顶端通过螺纹连接；密封框架由下向上装入反应室，并通过螺钉与反应室固定连接；腔体外玻璃密封件与密封框架的底端通过螺纹连接；反应室与密封框架连接之处设置有密封部件；腔体外玻璃密封件与密封框架底端连接之处设置有密封部件和玻璃。本发明的定位装置用于溅射台中，特别是在有污染和高温的真空环境下，可以实现高速转动部件的高精度定位，且装置结构简单、成本低廉、可操作性强、精度高及维护性好。

公开(公告)号：CN102506712A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110345365.4

申请日：2011-11-04

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 席峰 ,  王佳 ,  刘训春 ,  李勇滔 ,  李楠 ,  张庆钊 ,  夏洋

IPC: G01B11/00 ,  G01P3/36

Abstract: 本发明涉及真空等离子体设备技术领域，具体涉及一种应用于真空等离子体设备的激光检测装置。所述激光检测装置，包括激光器筒体和设置在所述激光器筒体下方的激光器，所述激光器筒体下端设有透光玻璃；所述激光检测装置设置在真空室下部。本发明设置在真空室外部，实现动态检测载片台位置和移动速度，在等离子体工艺中可以保持真空腔室对真空度的要求；保持激光器结构和信号采集不会受等离子电磁场的干扰；等离子体启辉条件下，不会污染激光检测装置，同时便于操作和维护。

公开(公告)号：CN100595886C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200810223342.4

申请日：2008-09-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘训春 ,  王佳 ,  周宗义 ,  李兵 ,  王建海 ,  黄清华

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统，属于半导体加工制造领域。所述方法是：在反应离子刻蚀的反应室的两个电极间并联一个由电感线圈L和电容C组成的LC谐振回路，LC谐振回路的谐振频率与反应离子刻蚀的反应室的射频供电电源的频率相同。所述系统包括射频供电模块、匹配器、等离子设备和消除自偏压模块。本发明通过并联LC谐振回路，可以使常规反应离子刻蚀产生的自偏压通过电感通路短路，进而使反应离子刻蚀的自偏电压降为零或接近于零，这样可以有效地降低在反应离子刻蚀时引入的对半导体晶格造成的损伤。

公开(公告)号：CN101471395A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200710303893.7

申请日：2007-12-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘训春 ,  周宗义 ,  李兵 ,  王佳 ,  张育胜 ,  张永利

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  C23F4/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明一种太阳能电池刻边机反应室结构，它的腔壁与太阳电池片形状相似，呈方形，四角处可呈切角状或弧形，并作为产生辉光放电的射频供电的一个电极接地，腔室中间有一个金属电极接射频输出，该金属射频电极上放置有一结构特殊的载片架。在载片架中重叠在一起的硅片的边沿与腔壁之间的空间产生等离子体辉光，从而对载片架上的硅片边沿进行腐蚀。该反应室结构可使太阳能电池片的边沿钻蚀明显地减小，因而可提高太阳能电池片的转换效率和每批产品的一致性，同时它还有载片量大、刻蚀均匀性好等优点。

公开(公告)号：CN101469414A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200710303894.1

申请日：2007-12-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘训春 ,  周宗义 ,  李兵 ,  张育胜 ,  王佳 ,  张永利

IPC: C23C16/505

Abstract: 本发明一种平板式等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)设备的反应室结构，涉及微电子技术，是由内真空室与外腔室嵌套组成；内真空室上段的顶壁由具有伸缩功能的波纹管与外腔室连接；内真空室上段的顶壁外侧通过螺杆与外腔室顶面的堵转电机连接，以堵转电机控制内真空室上段的升降；内真空室的工作压强高于外腔室。反应室内真空室中的载片盘与内真空室下段的侧壁不接触，避免载片台上的热量向外壁传导，以便载片台可以很快加热到很高的温度。本发明的反应室结构可以避免系统漏气的影响，明显地改善淀积薄膜的质量，降低粉尘；有利于提高衬底温度和新材料的生长。