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公开(公告)号：CN101820720A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010132922.X
申请日：2010-03-24
Applicant: 中国地质大学(北京)
CPC classification number: Y02E30/126
Abstract: 一种软磁壳强电磁场增强电感耦合等离子体发生装置，主要由射频感应线圈4、带有内环形间隙的软磁壳5、产生约束磁场的激磁铜线圈6、进气管道1、外壳2、工件台3、真空获得系统7、真空测量系统和控制系统等组成，带有内环形间隙的软磁壳5可使产生约束磁场的激磁铜线圈6激磁产生的磁力线集中在软磁壳5内环形间隙附近，等离子体发生器中心区域的磁感应强度显著增强，大大延长带电粒子的运动轨迹，明显增加带电粒子与气体分子的碰撞次数，从而可以在较低的气压下获得高密度的等离子体、提高等离子体密度和改善等离子体的分布。
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公开(公告)号：CN101609735A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910089459.2
申请日：2009-07-21
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高纯度、高密度、高产率的Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用热解有机前驱体在镀有金属催化剂的基片上合成Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列。含有步骤(1)高含氮量的聚硅氮烷在160－300℃下的低温交联固化，得到半透明的非晶SiCN固体；(2)交联固化后的非晶SiCN固体在高耐磨器具中的高能球磨、粉碎；(3)高能球磨后得到的前驱体粉末在含有一定量氧气的载气保护下的高温热解、蒸发，并在镀有金属催化剂薄膜的基片上沉积得到所述的结构。所述方法合成工艺和设备简单，工艺参数可控性强，成本低廉，所得Si3N4/SiO2同轴纳米电缆生长有序，产量大、密度高、纯度高且直径分布均匀。所合成的同轴纳米电缆结构在原子力显微镜、近场光学显微镜、纳米力学探针和新型纳米复合材料增强剂等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN112063433B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202010859510.X
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国地质科学院郑州矿产综合利用研究所 , 中国地质大学(北京)
IPC: C10M125/02 , C10M125/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提出了一种核壳结构的氧化铝‑石墨烯及其制备方法，本发明提出了一种核壳结构的氧化铝‑石墨烯及其制备方法，制备步骤为：(1)在不锈钢基底上均匀镀覆类金刚石薄膜，得到下基底片；(2)在下基底片的类金刚石薄膜界面上铺展氧化铝纳米颗粒，得到上基底片；(3)在惰性气体条件下，将上基底片和下基底片向同一方向交替旋转对磨，制备核壳结构的氧化铝‑石墨烯。本发明通过摩擦法，制备出“氧化铝‑石墨烯”的核壳结构。制备工艺简单，操作性强，可大批量生产，适用于工业生产和应用。
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公开(公告)号：CN112103439A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011024374.9
申请日：2020-09-25
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01M2/10 , H01M10/613 , H01M10/6556 , H01M10/6563
Abstract: 本发明公开了一种金属动力电池组外壳装置及其使用方法，属于金属动力电池技术领域，所述金属动力电池组外壳装置及其使用方法包括散热底座以及电池组外壳。本发明将侧边壳B两侧固定连接有二号T型卡条对准侧边壳A两侧内壁T型卡槽进口位置，再将二号T型卡条嵌入侧边壳A两侧内壁T型卡槽内部形成卡扣连接，再将一号T型卡条嵌入侧边壳A上下两端内壁T型卡槽内部形成卡扣连接，完成盖壳与侧边壳A的整体六面组装，散热风扇接通内部电源工作，然后散热风扇鼓风形成风流，风流通过支撑栅栏排出，再通过电池组外壳底部盖壳上的通风孔进入壳体内部，对电池组组件工作后积蓄的热量进行散热，适合被广泛推广和使用。
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公开(公告)号：CN112063433A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010859510.X
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国地质科学院郑州矿产综合利用研究所 , 中国地质大学(北京)
IPC: C10M125/02 , C10M125/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提出了一种核壳结构的氧化铝‑石墨烯及其制备方法，本发明提出了一种核壳结构的氧化铝‑石墨烯及其制备方法，制备步骤为：(1)在不锈钢基底上均匀镀覆类金刚石薄膜，得到下基底片；(2)在下基底片的类金刚石薄膜界面上铺展氧化铝纳米颗粒，得到上基底片；(3)在惰性气体条件下，将上基底片和下基底片向同一方向交替旋转对磨，制备核壳结构的氧化铝‑石墨烯。本发明通过摩擦法，制备出“氧化铝‑石墨烯”的核壳结构。制备工艺简单，操作性强，可大批量生产，适用于工业生产和应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108677123B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201810608508.8
申请日：2018-06-13
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本申请提供了一种基体表面喷涂Fe基非晶合金涂层及其渗氮处理的方法，涉及渗氮处理工艺技术领域，其中，所述方法为：制备Fe基非晶合金粉末，将基体表面进行预处理、粗化处理，然后用热喷涂技术将Fe基非晶合金粉末熔化后喷涂到基体表面，之后对喷涂后的基体进行渗氮处理。本发明克服了现有技术中Fe基非晶合金不能大批量生产出大块合金，限制了将Fe基非晶合金应用于精密的零部件的不足，经过渗氮处理，Fe基非晶合金涂层的硬度得到了很大程度的提高，涂层内部孔隙情况也得到改善，使得其抗磨损性能更加优异。
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公开(公告)号：CN111254409A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201811466051.8
申请日：2018-12-03
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中国地质大学(北京) , 廊坊西波尔钻石技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种面向等离子体的金刚石膜第一壁及制备方法，将超声波清洗、热电子增强氢/氩等离子体蚀刻纯化处理和金刚石涂层热丝化学气相沉积结合起来，在石墨表面生长抗氢离子蚀刻的金刚石膜，本发明的有益效果在于：金刚石膜相比石墨和低活化马氏体钢，具有极高的导热率，高的抗氢离子蚀刻性能和低的氘氚吸附能力，同时还具有极强的防氚渗透能力，有望成为聚变实验装置的另一种面向等离子体材料选择。本发明在200mm见方的石墨表面生长了致密的金刚石膜，已在400eV、50mA的氢离子辐照10小时，在电镜下未观察到表面微观形貌变化，说明金刚石膜具有较高的抗氢离子蚀刻性能。
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公开(公告)号：CN110306189A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910384951.6
申请日：2019-05-09
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明提供了一种耐腐蚀涂层强化钻杆，包括：钻杆基体；设置在所述钻杆基体表面的Ni-Al层；设置在所述Ni-Al层表面的Fe基非晶合金涂层；所述Fe基非晶合金涂层的成分为：Cr：13.0～15.0wt％；Mo：25.0～27.0wt％；B：1.0～2.0wt％；Y：3.0～5.0wt％；C：3.0～5.0wt％；余量为Fe。本发明采用上述成分的Fe基非晶合金涂层，非晶合金涂层没有普通合金所具有的晶界位错等缺陷，本发明中Cr元素具有很好的抗点蚀性，使整体材料耐腐蚀性好。本发明还提供了一种耐腐蚀涂层强化钻杆的制备方法。
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公开(公告)号：CN106048687A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610619267.8
申请日：2016-08-02
Applicant: 中国地质科学院勘探技术研究所 , 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明公开了一种耐磨和抗腐蚀铝合金钻杆表面强化层的制备方法。特点是采用近年来新出现的超声冷锻技术作为预处理，然后在超声冷锻技术产生的具有大量晶格畸变和位错的塑性变形层上采用微弧氧化技术，再形成一个结构致密陶瓷膜层。其具体步骤包括：清除铝合金钻杆表面污染物，进行特定参数的超声冷锻预处理，清洗样品后进行特定参数的微弧氧化处理得到两个性能优异的强化层。本发明中制备的硬质塑性变形层，晶粒尺寸和硬度呈梯度变化，使与微弧氧化层之间有良好的结合力，也使得微弧氧化层更加致密，耐磨和耐腐蚀性大大提高，能对钻杆进行有效的保护，提高其寿命，且制备过程简单环保，成本低。
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公开(公告)号：CN102643086B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210041132.X
申请日：2012-02-22
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01C7/108 , C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种新型二氧化锡基压敏电阻材料及制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。本发明提供此种材料的组分及含量，包括主相SnO270～99.95mol％，非线性形成氧化物Ta2O50.01～8mol％，非线性增强剂ZnO、TiO2各0.02～10mol％，并含有CoO、Cr2O3、Fe2O3、CuO、MnO、NiO中的一种或者多种添加剂0～2mol％。所述材料制备方法依次包括“混料、高能球磨、烘干、预烧、研磨、过筛、模压成型、烧结和被银”工艺步骤。用上述材料和制备方法所制得的压敏电阻片，其电位梯度E(电流密度为1mA/cm2时对应的电位梯度值)为400～1200V/mm，非线性系数α[根据公式α＝1/log(E10mA/E1mA)计算]为10～40，漏电流IL(75％E所对应的电流密度值)为10～100μA/cm2，综合性能优良。可用于手机、家用电器以及高压避雷器等领域。
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