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公开(公告)号:CN106752381A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611095888.7
申请日:2016-12-02
Applicant: 东北大学
CPC classification number: C09D11/52 , C09D11/02 , C09D11/0235 , C09D11/30 , H01B1/02 , H01B5/14 , H01B13/00
Abstract: 一种无颗粒银墨水及其制备方法和透明银导电薄膜及其制备方法,属于透明导电薄膜领域。无颗粒银墨水,原料及其质量百分比为,银前驱体:10~23%,络合剂:12~32%,溶剂:41.5~70%,助剂:0~10%;其制备方法为:将液体原料混合均匀;再加入固体原料,搅拌至全部溶解,过滤。透明银导电薄膜,含有Ag为99.9wt%,余量为杂质;其为网格状结构,膜厚度为30nm~2μm,薄膜透过率为17~83%,方块电阻为1.1~11.3Ω/□;其制备方法为:将无颗粒银墨水印刷或涂膜在透明基板上,升温至100~400℃保温3~45min。该方法操作简单、环保、固化温度低、成本廉价、易存储、易于实现工业化,可应用于柔性基板并可用多种印刷及涂膜手段实现。
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公开(公告)号:CN106520121A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201610953772.6
申请日:2016-10-27
Applicant: 东北大学
IPC: C09K11/84
Abstract: 一种稀土掺杂硫氧化钆和含氧硫酸钆上转换荧光粉的制备方法,属于材料科学领域。该方法包括以下步骤:(1)将Gd(NO3)3·6H2O、Yb(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O混合,加去离子水,得到RE(NO3)3溶液;(2)将硫酸铵溶于RE(NO3)3溶液搅拌,继续搅拌,并加入氨水,调节pH值,得到悬浊液;(3)将悬浊液,在100~150℃,水热反应1~72h,自然冷却至室温,得到反应产物;粉末前驱体;(5)将白色粉末前驱体,煅烧,制得稀土离子掺杂的Gd2O2S或Gd2O2SO4上转换荧光粉。该方法有效地解决了常规方法中含硫原料的使用和有害副产物的排出,是一种绿色环保的制备技术。(4)将反应产物离心分离、清洗、烘干,得到白色
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公开(公告)号:CN105369342A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201510843576.9
申请日:2015-11-25
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明涉及一种感应加热金红石单晶体生长炉及其制备金红石方法,属于单晶体生长领域。解决温度分布难于精确控制,晶体生长界面以下轴向温度梯度较大,晶体中易存在较大的应力的问题,生长炉包括:分为上腔体与下腔体的炉壳,第一加热装置,包括导电陶瓷管置于上腔体内作为加热段,导电陶瓷管为进料口与下腔体的进料通道,导电陶瓷管外套设石英管,石英管外缠绕第一电磁感应线圈;设置在下腔体内生长室,第一加热装置下方设置为生长室的生长区;第二加热装置,包括设置晶体生长区的下方的生长室的保温层内的第二电磁感应线圈形成保温段。本发明可以做到温度的变化更加精确,可以根据需要随时调整晶体生长的温度梯度。
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公开(公告)号:CN104946022A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510402455.0
申请日:2015-07-10
Applicant: 东北大学
IPC: C09D11/52
CPC classification number: C09D11/52
Abstract: 一种高稳定性无颗粒型银基导电墨水及其制备方法,导电墨水由银前驱体,其他金属前驱体,螯合剂或络合剂以及溶剂组成;其中,银前驱体,其他金属前驱体,螯合剂或络合剂和溶剂的质量百分比分别为10~45%,0.05~1%,10~81.5%和8~79.95%。其制备方法为:按照上述比例先将螯合剂或络合剂溶解于溶剂中,混合均匀后将银前驱体和其他金属前驱体加入到混合液中,在0~25℃下搅拌0.5~12h至溶解后,过滤得到本发明的导电墨水。本发明的导电墨水在室温自然光下存放一个月无沉淀,室温下避光存放3个月无沉淀,低温避光保存6个月无沉淀生成;其黏度为1~1000mPa·s,表面张力为20~50mN/m。
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公开(公告)号:CN104477968A
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:CN201410660207.1
申请日:2014-11-18
Applicant: 东北大学
CPC classification number: C01G3/02 , B82Y30/00 , C01P2004/16 , C01P2004/64
Abstract: 针对目前制备氧化亚铜纳米线技术的不足,提出一种利用植物酚酸制备氧化亚铜纳米线的方法,属于纳米材料与新材料领域。其方法为,利用天然植物酚酸原儿茶酸、没食子酸、鞣花酸作为还原剂,在碱性条件下,将植物酚酸溶液加热至50~95℃后,将硫酸铜、氯化铜、硝酸铜、醋酸铜无机盐溶液滴加到植物酚酸溶液中,反应0.5-5小时,直接沉淀制备出氧化亚铜纳米线材料。该方法绿色环保,工艺过程简单在碱性溶液中一步直接完成,原料没有或低毒性,成本低,产物纯净,而且适合大规模生产。
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公开(公告)号:CN103996426A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201410230797.4
申请日:2014-05-28
Abstract: 一种镍网状分布的银镍复合电触头材料及其制备方法,属于复合电触头材料领域。本发明的镍网状分布的银镍复合电触头材料,镍呈连续网状分布在银基体中,银镍复合电触头材料中各组分质量含量为:银:50%~98%;镍:2%~50%。制备方法为:通过造粒法得到银颗粒,对银颗粒进行退火,称取配料后,利用粘结剂将镍粉包裹在银颗粒表面,得到镍包覆银颗粒复合粉体,烧结成型得到镍网状的银镍复合电触头材料,本发明方法制备的银镍复合材料锭坯中,纯银区较大且分布均匀,镍则呈连续网状分布,通过塑形加工后,镍随银基体变形拉长,沿平行于拉拔方向呈纤维状分布,导电性能好,抗电弧侵蚀性能好,并且原料简单易得,操作简单,工艺流程短,能耗低,适合工业化生产。
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公开(公告)号:CN102584246B
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN201210061142.X
申请日:2012-03-09
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/634
Abstract: 本发明涉及陶瓷刀具材料技术领域,具体涉及一种氮化硅基陶瓷刀具材料及其制备方法。首先将分散剂加入去离子水中,制成分散剂溶液,然后将氮化硅基陶瓷刀具材料原料和分散剂溶液混合,其各组分按重量百分比为:Si3N480~95%,Ti(C1-XNX)1~8%,其中x的范围是0.3~0.9,Y2O32~8%,Al2O31~4%,然后球磨,烘干,再过40目筛,制成混合粉料,最后混合粉料进行热压,热压温度1650~1750℃,热压压力为20~40MPa,制成氮化硅基陶瓷刀具材料。该材料具有较高的力学性能,其维氏硬度、抗弯强度和断裂韧性分别达到90~92GPa、950~1219MPa和10~16MPa·m1/2。
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公开(公告)号:CN103553112A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201310531166.1
申请日:2013-11-01
Applicant: 东北大学
Abstract: 一种硬脂酸盐熔融法制备YAG纳米粉体的方法,属于材料技术领域,按以下步骤进行:(1)将硬脂酸乙醇溶液与硝酸钇溶液混合制成钇-硬脂酸混合溶液;(2)加热后滴加氨水,保温制成硬脂酸钇乳状液;(3)离心分离,固相经过洗涤后烘干,制成硬脂酸钇粉体;(4)将硬脂酸乙醇溶液与硝酸铝溶液混合制成铝-硬脂酸混合溶液;(5)加热后滴加氨水,保温制成三硬脂酸铝乳状液;(6)离心分离,固相经过洗涤后烘干,制成三硬脂酸铝粉体;(7)将两种粉体混合后加热至熔融搅拌均匀,形成固体前驱体;(8)煅烧制成YAG纳米粉体。本发明的YAG纳米粉体纯度高、颗粒均匀,分散性良好,适合做荧光粉和激光透明陶瓷;本发明的方法具有反应温度,环境污染小,易于推广等优点。
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公开(公告)号:CN101265098B
公开(公告)日:2011-02-16
申请号:CN200810011236.X
申请日:2008-04-30
Applicant: 东北大学
IPC: C09K11/78 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种以氧化镥和氧化钆固溶体为基质材料的透明陶瓷闪烁体材料及其制备方法,本发明包括粉体合成、成型、素烧、烧结以及退火处理等工艺步骤。本发明制备的以氧化镥-氧化钆固溶体为基质材料的透明陶瓷闪烁体材料,可见光直线透过率>60%、机械性能良好,可用作闪烁体基质材料,本发明不但可以进一步提高氧化钆基质对电离辐射的阻断能力,提高Gd2O3的闪烁性能,还可以降低Lu2O3的生产成本,在闪烁辐射探测等领域具有应用前景。
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公开(公告)号:CN101215164A
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200810010121.9
申请日:2008-01-16
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及一种碳化硼复合材料的制备方法,特征是步骤如下:按质量百分数计取金属氧化物粉末5~50%,余量为碳化硼粉末,混合配料,在100~150MPa下模压成预制坯;然后将预制坯置于真空烧结炉中,抽真空至20~100Pa,以5~8℃/min速度升温至1850~2060℃,保温10~60分钟,得到碳化硼基多孔预烧体;最后在真空条件下熔渗铝,熔渗工艺为900~1100℃,保温0.5~2h,真空度为5~100Pa。本发明优点和产生积极效果是:在单一碳化硼材料的基础上提高断裂韧性1.78~2.75倍;生产成本低;制备方法简单,有利于加工成各种形状复杂的产品,易于在碳化硼陶瓷材料制造领域推广应用。
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