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公开(公告)号：CN105369342A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510843576.9
申请日：2015-11-25
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明涉及一种感应加热金红石单晶体生长炉及其制备金红石方法，属于单晶体生长领域。解决温度分布难于精确控制，晶体生长界面以下轴向温度梯度较大，晶体中易存在较大的应力的问题，生长炉包括：分为上腔体与下腔体的炉壳，第一加热装置，包括导电陶瓷管置于上腔体内作为加热段，导电陶瓷管为进料口与下腔体的进料通道，导电陶瓷管外套设石英管，石英管外缠绕第一电磁感应线圈；设置在下腔体内生长室，第一加热装置下方设置为生长室的生长区；第二加热装置，包括设置晶体生长区的下方的生长室的保温层内的第二电磁感应线圈形成保温段。本发明可以做到温度的变化更加精确，可以根据需要随时调整晶体生长的温度梯度。
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公开(公告)号：CN205241849U
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201520962478.2
申请日：2015-11-25
Applicant: 东北大学
Abstract: 本实用新型涉及一种感应加热金红石单晶体生长炉，属于单晶体生长领域。解决温度分布难于精确控制，晶体生长界面以下轴向温度梯度较大，晶体中易存在较大的应力的问题，生长炉包括：分为上腔体与下腔体的炉壳，第一加热装置，包括导电陶瓷管置于上腔体内作为加热段，导电陶瓷管为进料口与下腔体的进料通道，导电陶瓷管外套设石英管，石英管外缠绕第一电磁感应线圈，设置在下腔体内生长室，第一加热装置下方设置为生长室的生长区；第二加热装置，包括设置晶体生长区的下方的生长室的保温层内的第二电磁感应线圈形成保温段。本实用新型可以做到温度的变化更加精确，可以根据需要随时调整晶体生长的温度梯度。
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