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公开(公告)号：CN105369342A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510843576.9
申请日：2015-11-25
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明涉及一种感应加热金红石单晶体生长炉及其制备金红石方法，属于单晶体生长领域。解决温度分布难于精确控制，晶体生长界面以下轴向温度梯度较大，晶体中易存在较大的应力的问题，生长炉包括：分为上腔体与下腔体的炉壳，第一加热装置，包括导电陶瓷管置于上腔体内作为加热段，导电陶瓷管为进料口与下腔体的进料通道，导电陶瓷管外套设石英管，石英管外缠绕第一电磁感应线圈；设置在下腔体内生长室，第一加热装置下方设置为生长室的生长区；第二加热装置，包括设置晶体生长区的下方的生长室的保温层内的第二电磁感应线圈形成保温段。本发明可以做到温度的变化更加精确，可以根据需要随时调整晶体生长的温度梯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1301933C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200410021250.X
申请日：2004-04-09
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种制备钇铝石榴石纳米粉的方法，属于含稀土氧化物透明制品精细陶瓷制备技术领域，以AlCl3和YCl3为原料，步骤有：(1)制备Al3+为0.08～0.3M浓度的AlCl3和YCl3混合盐溶液，将混合盐溶液慢速滴定到0.8～3M的沉淀剂NH4HCO3溶液中，即反向滴定，沉淀剂溶液要不停搅拌，对于每升NH4HCO3沉淀剂溶液滴定混合盐溶液的速度为1～6ml/min，反应体系温度控制在4～20℃，滴定终点pH值为9～10，生成先驱沉淀物0.3Y2(CO3)3·nH2O·NH4AlO(OH)HCO3；(2)连续搅拌，时间1小时，温度为4～20℃；(3)对先驱沉淀物用蒸馏水清洗4次，无水乙醇清洗2次；(4)在常压下将先驱沉淀物60℃烘干36小时，后在流动氧气气氛中900～1200℃下煅烧2～4小时1～2次，得到钇铝石榴石纳米粉，并在此基础上可进一步制备YAG透明陶瓷。
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公开(公告)号：CN1563509A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410021398.3
申请日：2004-03-16
Applicant: 东北大学
Abstract: 一种可控气氛焰熔法制备金红石单晶体的工艺及装置，以4N5高纯金红石微粉为原料，在装有由内供氧管、供氢管与外供氧腔同轴依次套在一起构成的水冷燃烧器和炉膛为纺锤型的晶体生长炉中，通过调整燃烧器外供氧管的供氧量控制生长室炉膛中氢氧比m＝0.5～0.85，室内氧气分压力为0.04～0.076MPa，生长室轴向温度梯度ΔT为4.5°～6.5℃/mm，生成直径φ≥20mm金红石单晶体；生成的金红石单晶体要在1570°～1650℃下在氧气气氛退火炉中退火，退火炉中绝对压力为0.13～0.2MPa。纺锤型炉膛由上下两圆台体和中间圆柱体构成，上圆台体进口直径d1，中间圆柱体直径为d3，下圆台体为倒锥形，出口直径d2，上圆台体高为h1，中圆柱体高为h2，下圆台体高为h3，参数关系为：d1＝d2，d3＝1.2～1.5d，h1＝h2，h3＝5h1。
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公开(公告)号：CN1562880A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410021250.X
申请日：2004-04-09
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种制备YAG纳米粉及透明陶瓷的碳酸氢铵共沉淀法，属于含稀土氧化物透明制品精细陶瓷制备技术领域，是以AlCl3和YCl3混合盐溶液与NH4HCO3溶液反应生成先驱沉淀物0.3Y2(CO3)3·nH2O·NH4AlO(OH)HCO3，为常压、反向滴定；用Al+3为0.08～0.3M浓度的混合盐溶液向0.8～3M浓度NH4HCO3中滴定时，每1升NH4HCO3溶液的滴定速度为1～6ml/min；终点pH值9～10,反应温度为4～20℃;在900℃～1200℃流动氧气氛下煅烧2小时1～2次，得到YAG纳米粉；配入重量比0.2～1wt％的含Si有机酯或SiO2溶胶，在树脂内衬球磨罐中湿磨，球磨介质为无水乙醇，加入量为YAG纳米粉重量的50～200wt％，球磨粉经60℃烘干，150～230MPa冷等静压压制成生坯，而后在1600℃～1800℃温度下真空炉中烧结，真空度高于1×10－3Pa，得到相对密度≥99.1％，在可见光区域透光率为60～75％，在红外光区域内透光率接近80％的YAG透明陶瓷。
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公开(公告)号：CN1323194C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200410021398.3
申请日：2004-03-16
Applicant: 东北大学
Abstract: 一种可控气氛焰熔法制备金红石单晶体的工艺及装置，以4N5高纯金红石微粉为原料，在装有由内供氧管、供氢管与外供氧腔同轴依次套在一起构成的水冷燃烧器和炉膛为纺锤型的晶体生长炉中，通过调整燃烧器外供氧管的供氧量控制生长室炉膛中氢氧比m＝0.5～0.85，室内氧气分压力为0.04～0.076MPa，生长室轴向温度梯度ΔT为4.5～6.5℃/mm，生成直径φ≥20mm金红石单晶体；生成的金红石单晶体要在1570～1650℃下在氧气气氛退火炉中退火，退火炉中绝对压力为0.13～0.2MPa。纺锤型炉膛由上下两圆台体和中间圆柱体构成，上圆台体进口直径d1，中间圆柱体直径为d3，下圆台体为倒锥形，出口直径d2，上圆台体高为h1，中圆柱体高为h2，下圆台体高为h3，参数关系为：d1＝d2，d3＝1.2～1.5d1，h1＝h2，h3＝5h1。
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公开(公告)号：CN205241849U
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201520962478.2
申请日：2015-11-25
Applicant: 东北大学
Abstract: 本实用新型涉及一种感应加热金红石单晶体生长炉，属于单晶体生长领域。解决温度分布难于精确控制，晶体生长界面以下轴向温度梯度较大，晶体中易存在较大的应力的问题，生长炉包括：分为上腔体与下腔体的炉壳，第一加热装置，包括导电陶瓷管置于上腔体内作为加热段，导电陶瓷管为进料口与下腔体的进料通道，导电陶瓷管外套设石英管，石英管外缠绕第一电磁感应线圈，设置在下腔体内生长室，第一加热装置下方设置为生长室的生长区；第二加热装置，包括设置晶体生长区的下方的生长室的保温层内的第二电磁感应线圈形成保温段。本实用新型可以做到温度的变化更加精确，可以根据需要随时调整晶体生长的温度梯度。
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